硅衬底上共面线的特性及应用

基于理论和实验结果对深亚微米硅集成电路中的共面传输线的特性进行了研究,提出了硅衬底上传输线分布参数的提取方法和减小共面线衰减的一些设计准则.成功地将共面线应用在深亚微米高速集成电路的设计中,并给出了放大器芯片和共面线的测试结果.测试结果表明:在深亚微米CMOS高速集成电路中,用共面线实现电感是一种行之有效的方法.     

5Gb/s 0.25μm CMOS限幅放大器

采用TSMC 0.25μm CMOS技术设计实现了高速低功耗光纤通信用限幅放大器.该放大器采用有源电感负载技术和放大器直接耦合技术以提高增益,拓展带宽,降低功耗并保持了良好的噪声性能.电路采用3.3V单电源供电,电路增益可达50dB,输入动态范围小于5mVpp,最高工作速率可达7Gb/s,均方根抖动小于0.03UI.此外核心电路功耗小于40mW,芯片面积仅为0.70mm×0.70mm.可满足2.5,3.125和5Gb/s三个速率级的光纤通信系统的要求.     

一种新型的多功能照相胶片影像质量评价方法

本设计了一种新型的多功能照相胶片感光性能和影像质量评价方法。这种方法的主要特点的快速、方便并有满足 实用要求的精确度。该方法仅使用一个测试标板，就可以很容易地测定出照相胶片的感光性能、分辨率、均方根粒度和密度振幅响应（DAR）值等多种表征影像质量的参数。本简要介绍该方法并给出试验结果及其与传统测试方法的比较和讨论意见。     

OmniVision发布最新影像芯片

全球领先的影像芯片设计和供应商——OmniVision Technologies，Inc(豪威科技)，于11月18日在上海召开2004年最新产品发布会，推出其独有的CMOS影像芯片。据悉，本次推出的系列新品将把CMOS影像技术带到一个高点，使之能够挑战由CCD统治的传统高端应用。     

宽工作电压范围单电源CMOS误差放大器

采用0.8μm标准数字CMOS工艺(VTN0=0.836V,VTP0=0.930V),设计并流片验证了具有宽工作电压范围(3～6V),可作SOC系统动态电源管理芯片内部误差放大器应用的单电源CMOS运算放大器。该误差放大器芯核同时具有适合低电压工作,并对工艺参数变化不敏感的优点。对于相同的负载情况,在3V的工作电压下,开环电压增益AD=83.1dB,单位增益带宽GB=2.4MHz,相位裕量Φ=85.2°,电源抑制比PSRR=154.0dB,转换速率Sr=2.2V/μs;在6V工作电压下,AD=85.1dB,GB=2.4MHz,Φ=85.4°,PSRR=145.3dB,Sr=3.4V/μs。     

4万元捧回专业HDV——Sony Z1C高清数码摄像机

过去,我们曾经给读者朋友们介绍并评测过Sony首台民用 1080i高清摄像机HDR-FX1E,而今天展现在大家面前的是一款更专业的产品——HVR-Z1C。HVR-Z1C是Sony继民用旗舰HDR-FX1E 后,推出的专业产品,面向专业影像制作机构,但是和同类产品相比,价格却非常平民化,只有4万元。     

用CMOS工艺实现VSR光电集成接收机的途径

介绍了10Gbit／s速率的甚短距离光传输系统VSR(Very Short Reach)中的接收机。分析了几种有希望用于VSR系统的CMOS工艺兼容的光电探测器。提出用CMOS电路实现VSR光电集成(OEIC)接收机的可能性和实现方法。     

足不出户感受网上冲印的魅力

笔前一阵买了一台数码相机，每到周末就与朋友们一道游山玩水，记录下了很多精彩的瞬间，然而面对越来越拥挤的硬盘，笔着实为硬盘上的许多数码照片犯愁了。删除吧，实在不忍心：拿到数码冲洗店去冲印，太贵，笔所在城市的价格为15元左右，比普通的相片高出三、四倍；买专用数码打印机就更是令我“不堪重负”了……还好，笔找到了“网上冲印”这根救命稻草，足不出户也能完成数码相片的冲洗，价格还比较低。下面就看看这个时髦的“数码冲印”到底是如何进行的吧!     

16信道0.35μmCMOS/VCSEL光发射模块

研究了垂直腔面发射激光器 (VCSEL)及其列阵器件的光谱特性、调制特性、高频特性及与微电子电路的兼容性 ,将 1× 16的VCSEL与CMOS专用集成电路进行多芯片组装 (MCM ) ,混合集成为 16信道VCSEL光发射功能模块 .测试过程中 ,功能模块的光电特性及其均匀性良好 ,测量的 - 3dB频带宽度大于 2GHz.