PbO-B2O3-CuV2O6掺杂对(Pb,Ca,La)(Fe,Nb)O3陶瓷微波介电性能的影响

研究了PbO3-CuV2O6(PBC)玻璃对(Pb,Ca,La)(Fe,Nb)O3(PCLFN)陶瓷微波介电性能的影响.当纯PCLFN陶瓷在1150℃烧结,介电常数εr=103,品质因数与频率之积Qf=5640 GHz,频率温度系数τf=7.1×10-6/℃.PBC玻璃添加剂能降低PCLFN陶瓷的烧结温度到1 050℃左右,同时能保持良好的介电性能.随着PBC玻璃添加量的质量分数从1.0%增加2.0%,陶瓷的Qf值减小.掺杂ω(PBC)=1%玻璃、在1 050℃烧结的陶瓷样品,能获得良好的微波介电性能为Qf=5 392 GHz,τf=8.18×10-6/℃,εr=101.     

P2P大规模流媒体调度技术研究

随着宽带、IPV6、3G等技术的日渐成熟,流媒体应用已成为Internet承载的重要业务.调度技术是保证大规模可信流媒体服务质量的关键问题之一.对典型流媒体调度和分发技术进行综述,归纳分析了基于P2P网络环境下树型、网状以及混合拓扑结构的流媒体技术的优缺点,对mesh网下的资源发布于查找、服务节点选择、数据块调度等进行了重点分析和评述.依据流媒体应用的发展趋势,预测了P2P大规模可信流媒体调度技术在适应复杂网络,及结合云技术等方面的研究方向与内容.     

基于非规则LDPC码的图像传输性能

LDPC码性能非常逼近香农极限且实现复杂度低,具有很强的纠错抗干扰能力,几乎适用于所有信道。在此采用DVB-S2标准中LDPC码的构造和编码方案,重点研究了LDPC码的译码原理,并将其用于加性高斯白噪声信道（AWGN Channel）图像的传输中。仿真结果表明在非规则LDPC码在低信噪比情况下,能为图像传输带来显著性能提高,且系统复杂度低,译码时延短。     

Eu^2＋在KCaPO4中的发光及晶体学格位

采用高温固相法制备了KCaPO4：Eu^2＋蓝绿色荧光粉,研究了材料的发光特性。在400 nm近紫外光激发下,材料呈非对称的单峰发射,主峰位于487 nm。监测487 nm发射峰,对应的激发光谱覆盖300-450 nm,说明材料能够很好的吸收紫外-近紫外光,发射蓝绿色光。利用van Uitert公式计算了Eu^2＋取代...     

ZnO量子点／SiO2复合器件的可调控电致发光研究

在不同浓度的SiO2乙醇溶液中制备了一系列ZnO量子点／SiO2复合材料,通过匀胶方法将其制备成复合薄膜器件。器件的电致发光（EL）随着SiO2浓度的增加逐渐蓝移。通过实验,探索了发生蓝移的机制。选取一种ZnO量子点／SiO2复合材料均匀混入不同质量的纯SiO2后,测试结果表明,该蓝移现象不是SiO2自身发光引起的。通...     

基于AT45DB642D存储器的音频播放器设计

介绍了Atmel公司的AT45DB642D存储器和美国Cygnal公司的C8051F350单片机．以AT45DB642D为外部掉电存储介质，以C8051F350单片机为控制核心，设计了音频播放器。详细阐述了系统硬件组成和软件设计，给出了单片机与AT45DB642D的SPI接1：7电路、程序流程图及部分程序代码。音频播放器具有多通道采集、存储容量大、数据保存具有非易失性等特点。     

基于USB的智能数据采集处理系统

给出了基于USB的智能数据采集处理系统的设计及实现.硬件电路设计中,下位机选用通用8位51内核MCU AT89C52.USB接口芯片采用Philips公司推出的PDIUSBDl2.本设计软件包括3部分:固件程序、驱动程序及用户应用程序.固件程序用Keil uVision2开发,采用Windriver开发USB驱动,并用Visual C 6.0对主机软件中硬件接口操作部分进行动态链接库封装.     

CaB2O4/CBS复相陶瓷的制备及性能

研究了偏硼酸钙(CaB2O4)与钙硼硅(CBS)玻璃按不同比例制备的CaB2O4/CBS复相陶瓷的相组成、显微结构、介电性能和热膨胀系数等。在200～500℃时,复相陶瓷的热膨胀系数为10×10–6 K–1。当添加w(CBS)为20%,CaB2O4/CBS复相陶瓷经过930℃保温2 h后,试样主要由CaB2O4晶相和少量的β-CaSiO3晶相所构成。微观结构致密,气孔率低,晶粒尺寸为5μm左右。在10 MHz下,εr为7.18,tanδ为1.2×10–4。     

ZrW2O8/E-51电子封装材料电学性能研究

采用具有负热膨胀特性的ZrW2O8粉体和SiO2粉体分别作为填料制备E—51环氧树脂电子封装材料。测试了填料对封装材料的相对介电常数、介质损耗、阻温特性和电击穿场强等电性能的影响。结果表明:在相同含量下,ZrW2O8填料效果好;随ZrW2O8量的增加,介质损耗不断减小,ZrW2O8与E—51的质量比为0.7∶1时,相对介电常数最大;在室温~163℃范围内,ZrW2O8/E—51的电阻率稳定在3.03×106?.m,电击穿场强均大于10 kV/m。     

Thermoelectric Properties of Na<Subscript><Emphasis Type="Italic">x</Emphasis></Subscript>CoO<Subscript>2</Subscript> and Prospects for Other Oxide Thermoelectrics

We discuss the thermoelectric properties of Na _x CoO₂ using the electronic structure, as determined in first principles calculations, and Boltzmann kinetic transport theory. The Fermi energy lies near the top of a manifold of Co t _2g bands. These t _2g bands are separated by a large gap from the higher-lying e _g states. Although the large crystal-field splitting implies substantial Co–O hybridization, the bands are narrow. Application of standard Boltzmann transport theory to such a narrow band structure yields high thermopowers in accord with experimental observations, even for high metallic carrier densities. The high thermopowers observed for Na _x CoO₂ can therefore be explained by standard band theory and do not rely on low dimensionality or correlation effects specific to Co. We also present results for the cubic spinel structure ZnRh₂O₄. Like Na _x CoO₂, this compound has very narrow valence bands. We find that if it could be doped with mobile carriers, it would also have a high thermopower, comparable with that of Na _x CoO₂.