非线性平板波导中均匀芯区场的归一化形式

通过理论分析及典型实例计算，分析了包层及衬底均为非线性Kerr型介质、芯区为线性均匀介质的对称3层平板波导的TE0模出现均匀场分布的条件及其归一化形式。给出了自聚焦和自散焦情况下对称3层平板波导TE0模的归一化场分布曲线以及功率随归一化模折射率变化曲线。     

现场总线互操作性的探讨

介绍了现场总线的概念和特点,着重对“互操作性”进行了分析,对互操作性的定义,分类和度量进行了阐述,分析了出现互操作性问题的原因,提出了提高互操作性置信度的方法,并在此基础上,研究了现场总线的互操作性及其采用的技术和面对的问题。     

基于聚类识别的极化SAR图像分类

该文提出一种基于判别式聚类框架的非监督极化SAR图像分类算法,利用判别式监督分类技术实现非监督聚类。为实现该算法,定义了一个结合softmax回归模型和马尔科夫随机场光滑性约束的能量函数。该模型中,像素类标和分类器均为需要优化的未知变量。该算法从基于${H / {\bar \alpha }}$目标极化分解和K-Wishart极化统计分布而产生的初始化类标开始,交替迭代优化分类器和类标的能量函数,从而实现对分类器和类标的求解。真实极化SAR数据上的实验结果证明了该算法的有效性和先进性。     

2,7‐Carbazolenevinylene‐Based Oligomer Thin‐Film Transistors: High Mobility Through Structural Ordering

We have fabricated organic field‐effect transistors based on thin films of 2,7‐carbazole oligomeric semiconductors 1,4‐bis(vinylene‐(N‐hexyl‐2‐carbazole))phenylene (CPC), 1,4‐bis(vinylene‐(N′‐methyl‐7′‐hexyl‐2′‐carbazole))benzene (RCPCR), N‐hexyl‐2,7‐bis(vinylene‐(N‐hexyl‐2‐carbazole))carbazole (CCC), and N‐methyl‐2,7‐bis(vinylene‐(7‐hexyl‐N‐methyl‐2‐carbazole))carbazole (RCCCR). The organic semiconductors are deposited by thermal evaporation on bare and chemically modified silicon dioxide surfaces (SiO₂/Si) held at different temperatures varying from 25 to 200 °C during deposition. The resulting thin films have been characterized using UV‐vis and Fourier‐transform infrared spectroscopies, scanning electron microscopy, and X‐ray diffraction, and the observed top‐contact transistor performances have been correlated with thin‐film properties. We found that these new π‐conjugated oligomers can form highly ordered structures and reach high hole mobilities. Devices using CPC as the active semiconductor have exhibited mobilities as high as 0.3 cm² V^–1 s^–1 with on/off current ratios of up to 10⁷. These features make CPC and 2,7‐carbazolenevinylene‐based oligomers attractive candidates for device applications.     

二极管阵列侧面泵浦固体激光介质的光场分布

研究LD阵列侧面泵浦Nd：YAG激光器泵浦光场的分布特点。首先,在已建立的二极管单bar单侧面泵浦YAG晶体泵浦光场分布数值模型的基础上,进一步建立了适用于激光二极管阵列多侧面泵浦YAG晶体的泵浦光场分布数值模型。然后,根据所建模型,采用光线追迹的方法,借助Matlab编程模拟了单侧面、二侧面、三侧面、五侧面泵浦方式的泵浦光分布特点．分析了系统参数：介质半径、介质吸收系数、光束光腰半径、泵浦距离、二极管bar间距、介质表面粗糙程度对泵浦光分布特性的影响,总结出了一般规律。可为二极管泵浦固体激光器的结构设计和实验研究提供理论参考。在理论分析的基础上,进行了单侧面、二侧面泵浦方式的二极管阵列直接侧面泵浦固体激光器的实验研究。实验结果与理论分析结果基本相符,验证了所建数值模型的正确性。该数值模型的特点是：采用光线追迹方法;适用于漫反射表面工作物质：适用于多种侧面直接泵浦方式,具有可扩充性。     

基于低能电子束的光刻技术

讨论了聚焦电子束曝光中的邻近效应问题,阐述了扫描隧道显微镜的原理和工作方式。把扫描隧道显微技术用于低能电子束的光刻,不仅能提高图形的分辨率,而且使电子束加工工艺不再局限于真空环境。对曝光电子的能量和线条宽度之间的关系进行了分析。     

高压大电流VDMOS研究

本论文主要介绍高压大电流VDMOS功率晶体管的研制。这次研制的VDMOSFET,设计耐压高达600V,导通电流达到8A,导通电阻为1Ω。设计中,按照要求,确定外延层浓度和厚度;芯片元胞结构参数,阱掺杂浓度;器件边缘保护环,场极板参数。在大量参阅国内外资料的基础上,我们提出新的芯片元胞设计方案,由此确定的垂直电流区宽度比以往方案缩小一个数量级,大大节约芯片面积,成功地实现了把大约二万人元胞集成在一块芯片上。同时,在器件边缘终端结保护环设计中提出新思路,提高了器件可靠性,并有效减少芯片面积。     

阵列场发射电子源的新进展

阵列场发射阴极与真空微电子学是当前国际电子学领域的研究热点之一 ,发展迅速,某些先进电子物理装置的真空不加热电子源也有相应发展。根据这一趋势,按真空电子发射学科的特点,抓住其中研究与报道相对集中的阴极类型,进行了扼要的总结、归纳与评价;对近年来信息显示学科领域内已发展为实用的阵列等离子体电子源也进行了简单的介绍。     

平面薄膜场致发射的模型分析

该文系统地讨论宽带隙平面薄膜的场致电子发射(FEE)的机理。基本的理论模型是电子对表面势垒的隧穿效应,同时考虑到晶格的散射和薄膜势垒中微细贯穿通道的电子发射作用。分析结果表明,宽带隙平面薄膜结构用作场致电子发射阴极,具有发射电压的阈值低,发射电子的能量分布范围小等优点。另外这种结构制作简单、材料选择范围宽、理化稳定性好,是一种理想的场致发射电子源。     

交流电动机磁场定向控制的解耦性分析

交流电动机的数学模型比较复杂,动态特性的分析难以理解。空间向量动态结构图能比较直观地表示电机内各变量相互作用的途径,和观察坐标旋转角速度的影响。本文利用空间向量动态结构图分析了交流异步电动机转子磁场定向和定子磁场定向控制的解耦性质。