全文获取类型
收费全文 | 24812篇 |
免费 | 2106篇 |
国内免费 | 1149篇 |
专业分类
电工技术 | 5676篇 |
技术理论 | 2篇 |
综合类 | 1840篇 |
化学工业 | 2365篇 |
金属工艺 | 426篇 |
机械仪表 | 1191篇 |
建筑科学 | 1922篇 |
矿业工程 | 704篇 |
能源动力 | 1382篇 |
轻工业 | 427篇 |
水利工程 | 1797篇 |
石油天然气 | 1893篇 |
武器工业 | 190篇 |
无线电 | 2161篇 |
一般工业技术 | 1226篇 |
冶金工业 | 1258篇 |
原子能技术 | 280篇 |
自动化技术 | 3327篇 |
出版年
2024年 | 69篇 |
2023年 | 227篇 |
2022年 | 517篇 |
2021年 | 679篇 |
2020年 | 702篇 |
2019年 | 504篇 |
2018年 | 480篇 |
2017年 | 557篇 |
2016年 | 757篇 |
2015年 | 805篇 |
2014年 | 1590篇 |
2013年 | 1336篇 |
2012年 | 2016篇 |
2011年 | 2027篇 |
2010年 | 1614篇 |
2009年 | 1533篇 |
2008年 | 1369篇 |
2007年 | 1650篇 |
2006年 | 1629篇 |
2005年 | 1372篇 |
2004年 | 1091篇 |
2003年 | 980篇 |
2002年 | 855篇 |
2001年 | 700篇 |
2000年 | 609篇 |
1999年 | 472篇 |
1998年 | 365篇 |
1997年 | 278篇 |
1996年 | 254篇 |
1995年 | 234篇 |
1994年 | 203篇 |
1993年 | 143篇 |
1992年 | 107篇 |
1991年 | 81篇 |
1990年 | 64篇 |
1989年 | 53篇 |
1988年 | 39篇 |
1987年 | 25篇 |
1986年 | 13篇 |
1985年 | 13篇 |
1984年 | 5篇 |
1983年 | 8篇 |
1982年 | 4篇 |
1981年 | 8篇 |
1978年 | 3篇 |
1975年 | 2篇 |
1963年 | 2篇 |
1960年 | 2篇 |
1959年 | 3篇 |
1954年 | 2篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
81.
煤基链篦机-回转窑一步法直接还原设备改造及技术操作要点 总被引:2,自引:0,他引:2
本文主要论述了煤基链篦机-回转窑一步法直接还原关键设备改造及有关技术操作要点,并提出了进一步提高产量,稳定操作,延长作业周期,降低生产成本的技术改造方案。 相似文献
82.
83.
基于CAN总线的多回路温度检测仪 总被引:1,自引:0,他引:1
本文以AT89C52单片机为核心,设计了一种高精度,低价格的采样电路,完成了对现场6个点温度的采样。并且采用了现场总线技术,融入了CAN(Control Area Net)功能,性能可靠,开放型强,特别适合于工业现场温度的测量。 相似文献
84.
85.
开发有线电视收费管理系统需注意的问题 总被引:1,自引:1,他引:0
分析有线电视业务及用户管理中出现的问题与解决办法,为系统的开发建立数据模型,以确保有线电视网络公司和用户的利益。 相似文献
86.
87.
88.
89.
Kenji Nomura Hiromichi OhtaKazushige Ueda Toshio Kamiya Masahiro HiranoHideo Hosono 《Thin solid films》2003,445(2):322-326
We have investigated the characteristics of transparent metal-insulator-semiconductor field-effect transistors (MISFETs) fabricated using InGaO3(ZnO)m (m=integer) single-crystalline thin films as n-channel layers and amorphous alumina as gate insulator films. The MISFETs exhibit good characteristics such as insensitivity to visible light illumination, off-current as low as ∼1 nA with a positive threshold voltage of ∼3 V and on/off current ratio of 105. The field-effect mobility increased from ∼1 to ∼10 cm2 (V s)−1 as the m-value increased. Room temperature Hall mobility also increased. However, unexpectedly these values were lower than the field-effect mobility. It is explained by existence of shallow localized state in the homologous compounds. 相似文献
90.