圆转矩形收敛段型面对喷管流动与红外辐射特性影响

针对圆转矩形收扩喷管的收敛段截面面积沿轴向的变化规律进行了优化设计,得到了4种圆转矩形收敛段模型,与相同的矩形扩张段相匹配,形成4种圆转矩形收扩喷管模型,对其气动、换热与红外辐射特征进行了数值研究.得到如下结论:收敛段截面积沿程变化规律对喷管气动与红外辐射特性影响明显:按照前急后缓规律设计的喷管红外抑制效果较差,按照维托辛斯基公式以及缓急相当规律设计的喷管略有增强,而按照前缓后急规律设计的喷管则最佳.这是因为在模型C中随着收敛段截面积沿程收敛速度较快,壁面压力峰值减小,出口旋流增强,尾喷流掺混增强,尾喷流高温区长度减小,尾喷流和喷管红外辐射强度分别降低19.2％和20.6％.     

pnp型SiGe HBT特性与Ge组分分布的相关性

在进行pnp型SiGe HBT的设计时,通过改变基区Ge组分改变能带结构,从而获得较高的电流增益和截止频率。本文就基区中Ge组分分布的三种形式:三角形、梯形、矩形进行计算机模拟并对结果进行讨论,发现其他条件相同时,梯形分布的pnp SiGe HBT的放大系数最大,而且梯形和三角形随Ge组分的增大而增大,但是矩形分布在Ge组分增大到一定数值后开始减小,而特征频率情况类似。     

窄带,高矩形度声表面波滤波器的研制

声表面波滤波器因其在电子系统中的使用和使用环境的不同，具有不同的指标要求。文章介绍了一种窄带，高矩形度声表面波滤波器的设计过程，制作出了中心频率为１４０．９～１４５．１ＭＨｚ四路器件，其相对带宽０．３９％；矩形系数小于２．５，并成功应用于整机系统。     

一种L形活塞环截面系数的计算方法

本文介绍一种简单快速计算活塞环截面系数的方法,通过将异形截面分割成在横轴方向上的一个矩形（或近似矩形）,并对分割后的每一个截面进行弹力计算,其弹力计算的和就是异形截面的弹力,利用此方法求得活塞环截面系数.     

无线电基础知识讲座

19 电流产生的磁场 从微观讲,分子电流能产生磁性,从宏观上讲,导体上只要有电流流过,其周围也会产生磁场,即产生磁力线。磁力线的多少与流过导体的电流强度成正比;磁力线的方向取决与导体上的电流方向,两者的关系如图1所示。     

基于广义矩形时频分布的跳频信号参数估计

能够有效地对接收到的跳频信号进行参数估计是干扰跳频通信的重要前提。由于广义矩形时频分布能够在有效抑制交叉干扰项的同时具有好的时频聚集性,提出了一种基于广义矩形时频分布的跳频信号参数盲估计算法。该算法能够在低信噪比条件下估计出跳频信号的跳频周期、跳变时刻和跳频频率。仿真结果表明,与基于平滑伪Wigner-Ville时频分布（SPWVD）估计跳频信号参数的算法进行比较,该算法提高了跳频信号参数估计的准确度和可靠性。     

使用遗传算法简化设计矩形微带天线

讨论了矩形微带天线的传输线模型、遗传算法的编码方式、适应度函数的设计等,提出了一种利用遗传算法优化结果设计矩形微带天线的方法.利用反射系数,设计了简单的适应度函数,采用小规模的初始种群,加速了程序的收敛速度.仿真结果表明,遗传算法优化设计微带天线,可使反射系数小于-25 dB、增益大于5.5 dB.     

浅面浮雕矩形台面垂直腔面发射半导体激光器

为实现垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)大功率窄线宽输出,设计了浅面浮雕矩形台面结构的垂直腔面发射激光器(SR VCSEL)。电流密度分布会影响模式的分布,模拟结果表明,矩形台面VCSEL相比于圆形台面VCSEL,在有源区面积增大的情况下,电流密度分布不变。在矩形台面VCSEL出光孔表面刻蚀浅面浮雕后,高阶模式比基模的阈值增益的变化大,基模对高阶模式的抑制增强。理论结果表明,矩形浅面浮雕结构的VCSEL能够实现对高阶模式的抑制,测试结果得到连续输出为5.87mW,光谱宽度为0.1nm,功率偏振度为10,横向模式抑制比超过30dB的窄线宽输出。     

对完整轮数ARIRANG加密模式的相关密钥矩形攻击

对SHA-3计划候选算法ARIRANG采用的分组密码组件进行了安全性分析,利用初始密钥的一个线性变换和轮函数的全1差分特征,给出了一个完整40轮ARIRANG加密模式的相关密钥矩形攻击,该攻击是第一个对ARIRANG加密模式的密码分析结果。攻击结果表明:ARIRANG加密模式作为分组密码是不抵抗相关密钥矩形攻击的。     

各向异性热参量对Nd:YVO4晶体热效应的影响

基于解析各向异性分析理论,研究了矩形横截面Nd:YVO4激光晶体受到具有高斯分布LD端面抽运时的激光晶体温度场分布和抽运面热形变分布.通过LD抽运Nd:YVO4激光晶体工作特点分析,建立了符合激光晶体工作状态的热模型,利用各向异性介质热传导方程的一种求解方法,得出了矩形截面Nd:YVO4晶体的温度场、热应变场和端面热形变场的通解表达式,分析了各向异性热参量对Nd:YVO4激光晶体热应变场的定量影响.研究结果表明:当使用输出功率为15 W LD端面中心入射Nd:YVO4晶体(Nd3 浓度0.5 atm%)时,在抽运端面中心获得244.9℃最高温升和1.99μm最大热形变量.