基于自抗扰控制器的柴油机转速控制

当柴油机作为转速控制系统的被控对象时,是一个多变量强耦合非线性系统,采用经典PID控制难以得到满意的控制效果,但是自抗扰控制理论设计的控制器,能够提高调速系统的精度、准确度和柴油机的抗扰动能力。本文主要介绍了自抗扰控制技术(Active Disturbance Rejection Control Technique,ADRC),并且根据自抗扰控制技术设计了切实可行的自抗扰控制器,通过与PID控制的仿真比较,显示出自抗扰控制器对转速控制的较小超调量和较短调节时间,反应出良好的动态性能和稳态特性。     

不同条件下的曲柄摇杆机构设计

将图解原理解析化,完成不同条件下满足设计参数的曲柄摇杆机构各构件尺寸确定,整个过程借助计算机辅助设计。精确、实用。     

高压大容量变频技术现状及交——交SDM级联技术简介

本文通过对目前广泛使用的三电平及多电平级联高压变频控制方案技术特点的对比论述，介绍了一种新型高压大容量变频器控制方案，并对该方案的优越性作了介绍。     

基于MCS-51单片机的转速测量系统

对转速测量原理进行了研究,设计出一种由MCS-51单片机为主体的转速测量系统.设计出转速信号采集及调理电路,并使用单片机汇编语言编写信号处理程序.     

一种用于北斗手持式终端的高功率放大器

采用完全对称的双链路功率合成架构,设计了一种 应用于北斗手持式终端的 高输出功率的功率放大器。采用F类输出匹配网络和自适应偏置电路,使得该功率放大器获得较高的功率附加效率和较好的谐波抑制性能。电路采用InGaP/GaAs HBT工艺流片,并通过搭载基板实现了集成化芯片的研制。芯片测试结果表明,该功率放大器的小信号增益为30 dB,1 dB压缩点为37 dBm,饱和输出功率为38 dBm,功率附加效率为45%,具有较好的谐波抑制性能。     

耐高过载LTCC一体化LCC封装的研制

通过封装结构设计及其制造工艺流程和LTCC基板加工、围框与基板共晶焊接、平行缝焊封盖等制造工艺的研究,成功研制了适于多芯片、多元器件微电子模块的LTCC一体化LCC封装外壳,封装气密性满足国军标要求,能够达到抗25000g机械冲击应力的耐高过载水平。     

一种基于网络的实时限速牌识别算法

针对现有关于车载限速牌识别算法所存在的检测速度慢、准确率低、无法应用于嵌入式系统等问题,提出了一种基于网络的实时限速牌识别算法。该算法基于SSD_MobileNet_v1网络框架进行改进,对原来的网络进行架构裁剪以去除冗余结构;同时引入了特征金字塔网络结构,并使用focal loss作为网络训练的分类损失。实验表明,提出的识别算法准确率可达88.11%,虽然略低于目前主流目标检测算法的检测精度,但是网络的每秒帧率(Frame per Second,FPS)可以达到35.13,拥有较快的检测速度,而权重文件只有24 MB 。因此,与其他算法相比,该算法不仅适合小型的嵌入式人工智能（Artifical Intelligence,AI）设备,而且更贴近真实车载场景下的识别。     

Post-process thermal treatment for microwave power improvement of AlGaN/GaN HEMTs

The effects of post-process rapid thermal annealing (RTA) treatment after device fabrication on direct current, microwave and power performances of AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) with a gate-length of 0.2 μm were fully investigated. By 3 min post-process RTA treatment at 350 °C under N₂ atmosphere, the direct current (DC), radio frequency (RF) small signal and power performances of AlGaN/GaN HEMTs have been much improved. The output power, power gain and power added efficiency (PAE) of GaN HEMT device with gate wide of 1 mm increase from 37.09 dBm, 6.09 dB and 42.79% to 38.22 dBm, 7.22 dB and 67.3%. The post-process RTA after device fabrication has two merits. On the one hand, it improves passivation effect of SiN_x dielectric layer on AlGaN/GaN HEMT surface, suppressing RF current dispersion. On the other hand, it helps recover dry-etch damage at the Schottky metal/AlGaN interface, leading to reduction of reverse Schottky leakage current.     

发展高电压等级真空断路器的技术问题探讨

本文对发展高电压等级真空断路器的关键技术问题，如触头材料，灭弧室耐压特性、电弧特性、弧后特性、波纹管设计及触头运动特性等进行了探讨，可为高电压等级真空断路器的设计提供依据。     

一种超低功耗5.8GHz双模前置分频器设计

基于目前流行的TSPC高速电路,利用TSMC90nm 1P9M 1.2V CMOS工艺设计了高速、低压、低功耗32/33双模前置分频器,其适用于WLAN IEEE802.11a通信标准。运用Mentor Graphics Eldo对该电路进行仿真,仿真结果显示,工作在5.8GHz时功耗仅0.8mW,电路最高的工作频率可达到6.25GHz。