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51.
本文对人脸定位、识别,人眼定位,眼睛状态识别以及相关的图像处理技术进行了较为深入的研究,分析有关国际先进成果的不足之处,在借鉴和选取已有相关算法的基础上,设计并实现了一套适合于驾车疲劳预警的软件监测系统,并通过实验证实了系统的有效性,该系统可以推广应用于民用车载驾驶系统。 相似文献
52.
An improved multi-recessed 4H–SiC metal semiconductor field effect transistor (MRD-MESFET) with double-recessed p-buffer layer (DRB-MESFET) is proposed in this paper. By introducing a double-recessed p-buffer layer, the gate depletion layer is further modulated, and higher drain saturation current and DC transconductance are obtained compared with the MRD-MESFET. The simulations show that the drain saturation current of the DRB-MESFET is about 42.4% larger than that of the MRD-MESFET. The DC transconductance of the DRB-MESFET is almost 15% higher than that of the MRD-MESFET and very close to that of double-recessed structure (DR-MESFET) at the bias conditions of Vgs=0 V and Vds=40 V. The proposed structure has an improvement of 26.1% and 74.2% in the output maximum power density compared with that of the MRD-MESFET and DR-MESFET, respectively. In the meanwhile, the proposed structure possesses smaller gate-source capacitance, which results in better RF characteristics. 相似文献
53.
唐元洪 《固体电子学研究与进展》1997,17(4):329-332
提出了用空间电荷限制电流(SCLC)法测量非晶硅材料的有效隙态密度的新方法,并且报告了用4061A型半导体综合测试仪测量有效隙态密度的结果。测量结果发现与用低频电容法所得结果相符。 相似文献
54.
55.
介绍了FA006型往复式抓棉机的结构性能和基本参数;计算了不同产量条件下的开棉度,将对影响开棉度的各种因素进行了详细的分析。 相似文献
56.
An analytical two-dimensional capacitance-voltage model for AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMTs) is developed, which is valid from a linear to saturation region. The gate source and gate drain capacitances are calculated for 120 nm gate length including the effects of fringing field capacitances. We obtain a cut-off frequency (fT) of 120 GHz and maximum frequency of oscillations (fmax) of 160 GHz. The model is very useful for microwave circuit design and analysis. Additionally, these devices allow a high operating voltage VDS, which is demonstrated in the present analysis. These results show an excellent agreement when compared with the experimental data. 相似文献
57.
58.
Ionization rate coefficients and saturation drift velocities for electrons and holes are the vital material parameters in determining the performance of an IMPATT diode. We have performed a sensitivity analysis of the millimeter wave characteristics of 4H-SiC and 6H-SiC IMPATT diodes with reference to the above mentioned material data and an operating frequency of 220 GHz. The effect of a small variation in the ionization rate and drift velocity on the device characteristics like break down voltage, efficiency, noise measure and power output has been presented here. 相似文献
59.
60.
本文分析了电力设备的状态监控与诊断技术,提出了状态监控与诊断的构成框架,给出了基于状态监控与诊断的智能化高压电力设备的测试方法. 相似文献