基于SiGe BiCMOS 工艺的X 和Ka 波段T / R 多功能芯片设计

提出了应用0. 13 μm SiGe BiCMOS 工艺设计的全集成X 和Ka 波段T/ R 多功能芯片。包括5 位数控 移相器、低噪声放大器、功率放大器和收发控制开关都被集成在单片上。首次将分布式结构应用在多功能芯片的小 信号放大器设计中,而且将堆叠式结构的功放集成在收发芯片中,此两款多功能芯片均有着带宽宽、增益高、输出功 率大等优点。其中X 波段收发芯片接收、发射增益分别达到25 dB、22 dB,发射输出P(-1dB) 达到28 dBm;Ka 波段收发 芯片接收、发射增益分别达到17 dB、14 dB,发射输出P(-1 dB)达到20. 5 dBm。此两款应用硅基工艺设计的多功能芯片 指标均达到国际先进水平,为X 和Ka 波段相控阵系统的小型化和低成本化提供了良好的条件。     

基于MSP430的内置T6963C液晶显示模块控制技术

介绍了内置T6963C的液晶显示模块与MSP430单片机的硬件设计和软件设计技术,详细阐述了其文本、图形及文本属性显示方式的软件设计思想,给出了显示程序实例,对模块实现了很好的控制。     

国外InP HEMT和InP HBT的发展现状及应用

在毫米波段,InP基器件由于其具有高频、高功率、低噪声及抗辐射等特点,成为人们的首选,尤其适用于空间应用.InP HEMT和InP HBT已在卫星、雷达等军事应用中表现出了优异的性能.分别介绍了InP HEMT和InP HBT器件及电路的发展现状,现在能达到的最高性能及主要生产公司等,其中InP HEMT又分别按低噪声和功率进行了详细介绍.介绍了它们在军事上的主要应用,以具体的应用实例介绍了在卫星相控阵雷达系统天线中的T/R模块中、航天器和地面站的接收机中、以及雷达和通信系统中的应用情况、达到的性能及可靠性等.并根据国外InP器件和电路的发展现状总结了其未来发展趋势.     

小型化X波段双通道T/R组件的设计与实现

介绍了一种X波段的双通道T/R组件,采用MCM工艺进行小型化设计,并结合电磁仿真软件对组件中的关键电路和结构进行分析和优化,最终实现的T/R组件具有体积小、重量轻的优点。测试结果表明,该组件具有良好的电气性能。     

基于SP4T开关的4位MEMS开关线式移相器设计

设计了一款4位MEMS开关线式移相器,由SP4TMEMS开关和微带传输线构成,工作于X波段。单刀四掷(single pole 4throw,SP4T)开关用于切换两条不同电长度的信号通道,即参考相位通道和延迟相位通道。每个SP4T开关包含4个悬臂梁接触式RF MEMS串联开关。介绍了4位MEMS开关线式移相器的总体设计,并给出了其关键部件SP4T开关和相位延迟线的设计细节。采用ADS软件仿真分析了器件的电气性能。仿真分析得到:SP4T开关在中心频率10GHz处的回波损耗为-36dB,插入损耗约为0.18dB;移相器各相位的回波损耗均低于-15dB,插入损耗为-0.8～-0.4dB。这种射频MEMS移相器具有小型化、低功耗和高隔离度的优点。     

UHF ASK/FSK 发射器 T5750 的原理及应用

T5750是ATMEL公司推出的单片UHFASK/FSK发射器芯片 ,它内含发射功率放大器、晶体振荡器、压控振荡器、相频检波器、分频器、充电泵等电路。当T5750在868～928MHz范围内工作时 ,其输出功率为8dBm ,数据速率为32kbps。文中介绍了T5750的结构功能及应用实例。     

相控阵雷达数字T／R组件研究

简要介绍了基于直接数字合成（DDS）技术的数字T／R组件的基本原理,对基于DDS的相控阵数字发射组件进行了实验研究,文章给出了实验结果,并进行了分析。     

DMF5005N点阵图形液晶显示模块电路分析

DMF5005N是日本东芝公司生产的点阵式图形液晶显示模块。它具有体积小、重量轻、低电压、低功耗等特点。文中介绍了它的整体结构,并对控制器T6963C、行和列驱动器T6A40和T6A39的工作原理和功能进行了详细地分析和说明。     

8～12GHz低噪声PHEMT单片集成电路

描述了以ＰＨＥＭＴ为有源器件的８～１２ＧＨｚ宽带低噪声单片电路的设计及制造，获得了满意的结果。其性能为ｆ＝８～１２ＧＨｚ，Ｇａ＝１７．４～１９．５ｄＢ，Ｆｎ＝１．８４～２．２０ｄＢ；ｆ＝８～１４ＧＨｚ，Ｇａ＝１７．４～１９．９ｄＢ，Ｆｎ＝１．８４～２．５ｄＢ     

塔河奥陶系隐蔽溶洞体地震精细识别

实际钻探结果表明,塔河奥陶系发育T₇⁴强轴屏蔽型溶洞体和强“串珠”屏蔽型溶洞体,部分溶洞体产能较高,初步显示了较大的开发潜力。由于该类储集体埋深大（超过5300m）、地震资料主频较低（约28Hz）,地震分辨率为30m（约1/4波长）;同时小型溶洞体尺度小,地震响应较弱,地震异常特征不明显,预测强“串珠”储集体的方法明显不适用,亟需加强预测方法研究。为此,在钻、测井资料解释基础上,针对T₇⁴强轴屏蔽型溶洞体,首次采用主成分分析技术克服强子波匹配不足或匹配过度等稳定性问题,有效剥离T₇⁴强干扰,增强隐蔽缝洞体地震响应特征;针对强“串珠”屏蔽型溶洞体,采用低频模型优化的地质统计学反演去除强“串珠”子波旁瓣干扰,以增强隐藏在强子波旁瓣中的缝洞体的辨识度,精细预测隐蔽溶洞体。结果表明,对溶洞体的纵向辨识能力明显提高,可刻画8m厚的溶洞体,反演结果与钻测井符合率达83%,可靠性较高。