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1.
2.
瞬态电压抑制器在快上升沿电磁脉冲作用下的瞬态响应 总被引:1,自引:0,他引:1
为了研究瞬态电压抑制器(TVS)对快上升沿电磁脉冲的响应,基于传输线脉冲(TLP)测试理论,建立了由高频脉冲发生器、同轴电缆、专用测试夹具、30dB脉冲衰减器和高性能的数字存储示波器等组成的测试系统。参考时域传输(TDT)TLP测试方法,利用该测试系统,对典型双极TVS器件在快上升沿电磁脉冲作用下的电流特性和电压特性进行了研究,并对试验数据进行了拟合分析。结果表明,TVS器件的箝位电压、峰值电流等参数均随着测试电压的增大而增大,且与测试电压呈线性关系;而由箝位电压决定的箝位响应时间受测试电压的影响较小。经对比分析实验结果得出,对快沿电磁脉冲,采用固定响应时间下的箝位电压来衡量TVS器件的防护性能是较为合理的。 相似文献
3.
介绍了用于LED灯的新型抗感应浪涌的EMI模块的结构及原理电路.讨论了其工作原理和器件参数对工作的影响,分析模块中磁集成共模电感的结构。 相似文献
4.
为了实现低温推进剂的长期在轨贮存,保证推进剂从贮箱到发动机的液态供应,拟采用热动力排气系统(Thermodynamic Vent System,TVS)来实现推进剂的热管理。以单位长度液氧管路为例,阐述了热动力排气系统的原理,进行热动力排气系统孔板及TVS管路设计、在轨贮存时间计算、TVS管路排放量计算以及排放量影响因素分析。 相似文献
5.
Adding transient voltage suppressor(TVS) transistors to an electric circuit is an important method to protect it from the fast-risetime electromagnetic pulse(FREMP) damage. The package form of the TVS transistors influences the volume, response time, and power consumption of the circuit. However, the influence of the package form on the clamp voltage of TVS transistors affected by FREMP is not considered yet. In this article, the results of the experiment comparing the influence of package form are described, where the rectangular pulses with rise time shorter than 1 ns are used to test protection performance of three different TVS transistors, which have the same framework but different breakdown voltages. The influence of the different package forms on the clamp voltage is analyzed by using the fitting model. It is found that the package form of TVS transistors has less influence on the current characteristics of their protection performance, but more on the voltage characteristics. It is concluded that the diameter or width of the TVS transistors is the main factor determining the clamp voltage. Thus, the diameter or width of the TVS transistors should be big enough to ensure the stabilization of clamp voltage, but, at the same time, fit the allowing volume. 相似文献
6.
目前低压瞬间电压抑制(TVS)二极管工艺参数的研究还不够深入.从深p型(DP)基区杂质浓度、杂质注入能量及基区尺寸控制三个方面探究了工艺条件对低击穿电压的影响.当DP注入剂量小于6.0×1014cm-2时,pn结以雪崩击穿为主,耐压大于6V.DP注入能量在50 keY以下与高浓度n+区复合形成的pn结雪崩击穿耐压大于6V;当控制基区尺寸使n+集电区与DP基区的间距大于1.2 μm时击穿电压保持为7V,但是随着n+与DP基区的间距增加,电流导通路径受到挤压变窄,在相同的反向测试电流下,器件耐压略有提升.通过对单向TVS工艺仿真优化,选择了关键工艺参数,并进行了工程实验,制备了兼具低电容和高抗ESD能力的TVS器件,保证了对主器件实施可靠的保护. 相似文献
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9.
电流源逆变器(CSI)随着反阻断IGBT器件的成功开发,在电动汽车等大功率变频调速领域前景广大。FPGA作为控制器,其时序控制能力强大,适合用来实现基于电流型空间矢量脉宽调制(SVPWM)技术的永磁同步电机(PMSM)变频驱动器。该系统通过采用最小直流链电流命令产生法和合理的死区开关状态设置,有效减小直流和开关损耗。系统为应对开路故障引起直流链电感产生瞬间高压打坏开关器件的现象,设置由双向TVS管和功率电阻构成的电感电压箝位环节,并监测直流链电流值,一旦低于限值则实现保护性停机。实际系统使用Xilinx公司FPGA开发板,基于电流源逆变器转子参考框下交流侧的理论模型,建立了一套数字化闭环调速策略,实测定子电流THD值及功率因数均达到良好效果。 相似文献
10.
电气电子设备可能由于雷击、运行操作中的过压,而承受浪涌电压(电流),必须采用浪涌抑制器件构成保护电路加以抑制。浪涌测试模拟了在电源线和长信号线上可能出现的高能量但相对较慢的瞬态过压现象,浪涌抑制器件与被保护电路并联,来观察是否能起到对电路更好的保护作用。 相似文献