工程化设计中应用多路模拟开关需注意的问题

扼要介绍了高速CMOS集成电路中多路模拟开关／多路分配器的组成和原理。探讨了在工程化设计中应用多路模拟开关／多路分配器需注意的实际问题。     

AFDX网络接口雷电防护设计

飞机在遭受雷击,往往会对机载设备造成损伤和干扰。AFDX网络通常在飞机中作为飞机主干网络,若遭受雷击导致工作不正常时,可能会对飞行安全造成严重的威胁。本文介绍了AFDX网络接口雷电损伤的机理,介绍了几类常见的雷电防护器件,针对AFDX网络接口的特点,进行了雷电防护设计并进行了试验验证。     

本溪市明山净水厂的自动化系统

本文结合本溪市明山净水厂自动化系统的实例,介绍了该系统的配置和功能。该系统从投运以来已经运行五年了,节省了劳动力,提高了管理水平,产生了很好的经济效益。本文介绍了控制技术、TVS监视系统、检测仪表等。     

基于移动通讯终端的ESD问题研究

介绍了手机的工作原理及存在的静电问题;从实际出发,重点阐述了手机的结构设计、PCB设计、电路设计中应注意的问题,提出了手机设计中静电防护和改进的措施。     

TVS二极管用于半导体桥静电安全性研究?

为了加强半导体桥(SCB)的静电安全性,利用TVS二极管抗浪涌特性,分别对经TVS二极管加固前、后的SCB进行静电安全性研究。研究结果发现:并联TVS二极管后,SCB的发火时间无显著性变化;在500 p F、不串电阻条件下,SCB在6 k V条件下均未发火,在8 k V条件下均发火;在500 p F、不串电阻条件下,TVS二极管加固后的SCB在9 k V条件下均未发火,在13 k V条件下均发火;9 k V静电作用后,TVS加固后SCB的发火时间无显著性变化。因此,TVS二极管既能不影响SCB的正常发火性能,又能有效提高SCB的静电安全性。     

超低压ESD保护器件设计与工艺研究

介绍了一种新颖的超低压保护器件的工作原理、结构特点,并进行了器件结构模拟。结合理论分析与模拟仿真得到超低压1.8～5 V的ESD保护器件系列模型。经过设计与工艺验证,制作出了非常吻合模拟结果的超低压器件,该系列器件具有工作电压低、电容小、漏电小的特点。由于采用新型复合型穿通结构及单片低温减压外延工艺,器件的电参数一致性非常理想,在高速数据线的保护电路中成功地得到应用。     

家用电器的抗浪涌干扰抑制

频谱分析表明,标准测试浪涌波的能量主要分布在低频部分,但其高频部分的能量也是不容忽视的。为了进行可靠的浪涌保护以及满足电磁兼容的要求,压敏电阻与瞬态二极管进行浪涌抑制是十分必要的。     

一种系统级封装的ESD保护技术

介绍了一种系统级封装(SiP)的ESD保护技术.采用瞬态抑制二极管(TVS)构建合理的ESD电流泄放路径,实现了一种SiP的ESD保护电路.将片上核心芯片的抗ESD能力从HBM 2 000 V提升到8 000 V.SiP ESD保护技术相比片上ESD保护技术,抗ESD能力提升效果显著,缩短了开发周期.该技术兼容原芯片封...     

沿面闪络真空开关触发特性的实验研究

触发真空开关(triggered vacuumswitch,TVS)是脉冲功率技术的核心器件,为满足对TVS放电时延及其分散性、工作电压范围、通流容量等的要求,设计了高介电系数的电介质材料制作的沿面闪络真空开关,研究了触发脉冲、主间隙两端的电压对TVS放电时延及其分散性的影响规律。实验研究表明:采用高介电常数电介质材料制作的沿面闪络真空开关,在自击穿电压为120 kV的条件下,TVS的最小工作电压为1.3 kV,工作电压范围为1.08%～99%;最大的放电时延400 ns,最小的放电时延为130 ns,最小的时延分散性为±10 ns;TVS的通过的电流峰值150 kA。该TVS不仅满足一般放电开关的性能要求,用于高电压、大电流脉冲功率技术中,而且可以用于对放电开关有特殊要求的Crowbar回路中。     

聚合物ESD抑制器抑制特性的测试方法

为了消除静电放电时产生的辐射场对静电放电抑制器测试结果的影响,基于法拉第笼的屏蔽效应、依据国际电工委员会IEC61000-4-2标准和国军标GJB911-1990,利用静电放电模拟器和静电放电电流波形测试装置等设备,测试了某型号聚合物静电放电抑制器的抑制特性。测试结果表明,采用IEC61000-4-2标准规定的电流靶结合法拉第笼的方法,测试静电放电时通过抑制器的电流,能够保证电流波形不失真;而加在抑制器两端的电压,须使用有效带宽足够宽的电压探头配合示波器来测量,同时应尽可能消除静电放电时产生的辐射场对电压探头的影响。