硅微机械梳齿静电谐振器的建模与分析

基于参数化的计算机辅助设计（CAD）软件，对硅微机械梳齿静电谐振器进行了实体建模，以有限元分析软件为工具，进行了谐振器的模态分析，静态分析和谐响应分析，初步揭示了谐振器的静、动态特性，有助于改善设计效率和质量，展示了计算机辅助工程（CAE）技术在微机电系统（MEMS）研究中的重要作用。     

利用黄河泥沙加固下游大堤

黄河是一条举世闻名的多泥沙河流，善淤、善决、善徒给沿河人民带来对过深重灾难，防洪问题一直是国家的心腹之患。泥沙问题是黄河防洪问题的症结所在。在总结固大堤经验的基础，进行挖河疏浚，淤筑“相对地下河”，已作为黄河治理的一项重大决策付诸实施。     

合成己二腈反应技术研究——(Ⅴ)己二腈工业反应过程模拟与反应器改造

对己二腈工业反应器提出了两釜串联带回流的模型,通过模拟计算得出模型的级间返混系数 f=6的结论。该模型能较好地预测工业反应器中物料组分浓度变化和气、液两相的流动特性;指出了现工业反应器的鼓泡中和段体积偏小是造成己二酸浓度偏高的关键;提出了可以通过增加串连一个鼓泡预反应段的改造方案,能有效地降低己二酸的浓度,从7%降至4%左右,从而能较好地减缓腐蚀和结焦。     

双波长稳频CO_2激光模糊控制系统的建模与优化

报导一种模糊逻辑控制系统的建模与优化方法。以此方法设计的模糊逻辑控制器，用于双波长稳频ＣＯ２激光器的控制得到令人满意的结果。     

Modeling ion implantation of HgCdTe

Ion implantation of boron is used to create n on p photodiodes in vacancy-doped mercury cadmium telluride (MC.T). The junction is formed by Hg interstitials from the implant damage region diffusing into the MC.T and annihilating Hg vacancies. The resultant doping profile is n⁺/n^-/p, where the n⁺ region is near the surface and roughly coincides with the implant damage, the n^- region is where Hg vacancies have been annihilated revealing a residual grown-in donor, and the p region remains doped by Hg vacancy double acceptors. We have recently developed a new process modeling tool for simulating junction formation in MC.T by ion implantation. The interstitial source in the damage region is represented by stored interstitials whose distribution depends on the implant dose. These interstitials are released into the bulk at a constant, user defined rate. Once released, they diffuse away from the damage region and annihilate any Hg vacancies they encounter. In this paper, we present results of simulations using this tool and show how it can be used to quantitatively analyze the effects of variations in processing conditions, including implant dose, annealing temperature, and doping background.     

T8钢－聚有机硅氧烷仿生减粘降阻复合涂层的特性

研究了Ｔ８钢－聚有机硅氧烷仿生减粘降阻复合涂层的表面润湿性、磨料磨损特性及对土壤的减粘降阻性能与金属材料相比，仿生复合涂层的表面憎水性显著提高，水在其表面上的接触角达９２°；与４５钢相比，其磨料磨损的体积相对耐磨系数为６３％，降阻率达１５．２２％～２２．２７％     

LDD方法在提高电路工作电压中的应用研究

研究了利用轻掺杂漏结构来制作高电源电压器件的工艺方法。分析了ＬＤＤ结构参数对器件击穿特性的影响，并结合实验结果对Ｎ＾－区的注入剂量，长度及引入的串联电阻进行了优化设计。     

NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算

分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数，给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式，以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压，文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。     

芝麻营养原液的开发与研究

本文对芝麻营养保健成分的提取进行了系统的研究。确定了芝麻营养原液的制取工艺。为充分发挥芝麻的营养保健作用开辟了新的途径。     

中国古典园林三维造型研究

论述了采用层次结构化及参数化三维造型方法，建立一个以造型函数库为核心，从而构造各类、各级园林景观构件表面模型的方法和过程。对于某些非建筑类的园林配景构件，采用了Ｆｒａｃｔａｌ方法进行造型。