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The C49–C54 transformation has been studied in TiSi2 thin films having different concentration of defects. The defect concentration in the C49 phase has been varied using different thermal processes in the 460–540 °C temperature range; in fact, the defect concentration decreases with increasing the temperature and/or the duration of the thermal process as attested by the large variation of the silicide residual resistivity at 4 K. The kinetics of the transformation at 650 °C has been followed by in situ resistivity measurements and, for each sample, the transition time decreases as the defect concentration in the metastable phase decreases. 相似文献
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K. Zay E. MaawadH.-G. Brokmeier L. WagnerCh. Genzel 《Materials Science and Engineering: A》2011,528(6):2554-2558
TIMETAL 54M (in the following Ti-54M) is a newly developed (α + β) titanium alloy with nominal composition Ti-5Al-4V-0.6Mo-0.4Fe. The alloy can provide a cost benefit over Ti-6Al-4V due to improved machinability and formability. These attractive properties might be a driving force for replacing Ti-6Al-4V in many aircraft as well as biomedical applications. Since HCF performance is one of the most important requirements for these applications, it is essential to improve this property by microstructural optimization and by mechanical surface treatments such as shot peening or ball burnishing. The latter improvement is mainly the result of induced near-surface severe plastic deformation which results in work-hardening and the generation of compressive residual stresses that retard fatigue crack propagation. The main aim of the present study was to investigate the potential fatigue life improvements in Ti-54M due to shot peening and ball-burnishing. The process-induced residual stresses and stress-depth profiles were determined by energy-dispersive X-ray diffraction (ED) of synchrotron radiation with the beam energy of 10-80 keV. Results on Ti-54M and Ti-6Al-4V will be compared and correlated with the mean stress and environmental sensitivities of the fatigue strengths in the microstructures. 相似文献
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王靓 《自动化技术与应用》2008,27(1):95-98
时钟芯片SD2203AP具有内置晶振、两线式I^C总线通讯方式、高精度免调校,且与MCU的通讯接口电路简单,内部时钟精度高且功耗低的特点。文中详细介绍该模块的工作原理、应用举例(单片机STC89C54控制SD2203AP的硬件接口电路设计和软件编程方法)及应用中的一些注意事项。 相似文献
56.
DSP外部FLASH烧写的两种方法 总被引:2,自引:0,他引:2
通过烧写DSP外部程序存储器的实例,阐述了TMS320C54x系列DSP芯片在线烧写外部存储器和编程器烧写外部存储器两种通用的烧写方法。在TMS320C5409外挂AT29LV1024的硬件结构基础上,给出部分硬件连接方案和C语言在线烧写程序以及编程器烧写的关键步骤。 相似文献
57.
Die Feststellung auffallender Abweichungen betreffend die Geb?udeh?he erfordert eine begründete Festlegung des Bezugsbereiches
sowie eine Auflistung der erhobenen Geb?udeh?hen. 相似文献
58.
CCS集成环境下C与汇编的混合编程实现 总被引:3,自引:0,他引:3
本文对在TI公司提供的CCS集成开发环境下,编写采用C与汇编的混合编程实现的工程设计程序需要注意的问题,做了较完整的论述。详细地介绍了C与汇编的混合编程接口,并给出了实例。 相似文献
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60.