全文获取类型
收费全文 | 103621篇 |
免费 | 12181篇 |
国内免费 | 4785篇 |
专业分类
电工技术 | 51152篇 |
技术理论 | 5篇 |
综合类 | 8551篇 |
化学工业 | 5025篇 |
金属工艺 | 1940篇 |
机械仪表 | 3875篇 |
建筑科学 | 4212篇 |
矿业工程 | 2299篇 |
能源动力 | 8528篇 |
轻工业 | 1786篇 |
水利工程 | 2738篇 |
石油天然气 | 1144篇 |
武器工业 | 601篇 |
无线电 | 12900篇 |
一般工业技术 | 3332篇 |
冶金工业 | 2272篇 |
原子能技术 | 2117篇 |
自动化技术 | 8110篇 |
出版年
2024年 | 466篇 |
2023年 | 1271篇 |
2022年 | 2414篇 |
2021年 | 2900篇 |
2020年 | 3338篇 |
2019年 | 2686篇 |
2018年 | 2395篇 |
2017年 | 3419篇 |
2016年 | 3714篇 |
2015年 | 4197篇 |
2014年 | 7269篇 |
2013年 | 5847篇 |
2012年 | 8127篇 |
2011年 | 8826篇 |
2010年 | 6552篇 |
2009年 | 6668篇 |
2008年 | 6551篇 |
2007年 | 7855篇 |
2006年 | 7013篇 |
2005年 | 5733篇 |
2004年 | 4765篇 |
2003年 | 4001篇 |
2002年 | 3062篇 |
2001年 | 2630篇 |
2000年 | 2170篇 |
1999年 | 1546篇 |
1998年 | 1037篇 |
1997年 | 822篇 |
1996年 | 746篇 |
1995年 | 581篇 |
1994年 | 523篇 |
1993年 | 304篇 |
1992年 | 256篇 |
1991年 | 160篇 |
1990年 | 129篇 |
1989年 | 105篇 |
1988年 | 77篇 |
1987年 | 60篇 |
1986年 | 38篇 |
1985年 | 42篇 |
1984年 | 63篇 |
1983年 | 50篇 |
1982年 | 52篇 |
1981年 | 24篇 |
1980年 | 12篇 |
1979年 | 13篇 |
1978年 | 13篇 |
1977年 | 10篇 |
1959年 | 13篇 |
1955年 | 4篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
91.
电网无功补偿方式的探讨 总被引:1,自引:0,他引:1
概述了电网无功补偿的基本情况,并对几种无功补偿方式进行了技术分析,结合几种补偿方式的特点,提出了无功补偿配置原则。 相似文献
92.
孙进 《石油化工管理干部学院学报》2003,(3):40-42
引入劳动力市场价位是企业薪酬制度改革的必然趋势。系统研究和分析了劳动力市场价位的基本特征;提出企业在引入劳动力市场价位过程中应该遵循的基本原则。 相似文献
93.
燃气联合循环的新发展 总被引:4,自引:0,他引:4
根据国内外能源结构的调整变化,就我国和世界上其他国家采用燃气联合循环发电的情况以及能电共生新趋势作一些介绍,供规划建设联合循环发电决策参考。 相似文献
94.
95.
质子交换铌酸锂波导MMI光功分器 总被引:1,自引:1,他引:0
利用三维非旁轴近似光束传输法对退火质子交换铌酸锂渐变折射率分布波导中的自镜像效应进行分析与模拟 .在此基础上 ,利用退火质子交换技术在 X切 Y传铌酸锂衬底上进一步制作了 1× 8MMI光功分器 .测试表明器件实现了 1路分成 8路的光功分功能 . 相似文献
96.
掺铒光纤放大器(EDFA)和拉曼放大器(FRA)的使用,使得光纤通信系统中的入纤功率有了很大的提高.较高的入纤功率不仅会在光纤中引起各种非线性效应,对光脉冲的传输产生影响,也会对光纤本身的可靠性产生影响,为此介绍了高入纤功率对光纤系统的影响,分析了其产生的机理,并提出了应对措施. 相似文献
97.
98.
脉冲电镀最佳参数之探索和优化 总被引:3,自引:0,他引:3
本文利用正交实验法对脉冲电镀各控制参数进行试验,对影响分散能力、镀层可靠性及外观质量的各种因素进行探讨,寻找影响外观质量的显著因子并加以控制,同时进一步优化脉冲电镀的工艺参数。 相似文献
99.
介绍了作者研制的应用于固态雷达发射机上的L波段500W固态功放组件的工作原理、用途及其主要技术指标。描述了功放组件的设计过程和测试结果。该功放组件在窄脉宽条件下实现了快速上升沿,性能优良,工作稳定可靠。 相似文献
100.
提出了一种新的器件结构——非对称Halo L DD低功耗器件,该器件可以很好地抑制短沟效应,尤其可以很好地改善DIBL效应、热载流子效应以及降低功耗等,是低功耗高集成度电路的优选结构之一.分析了非对称HaloL DD器件的主要特性,并将其与常规结构、非对称L DD结构、非对称Halo结构的器件进行了比较并进行了参数优化分析. 相似文献