市场需求变化与纳米粉体产业技术升级走向

纳米材料产业化技术的回顾 纳米粉体产业是纳米材料产业的一个组成部分，起步早，并且与传统粉体制备技术有一定的联系，高技术含量相对比较低。自20世纪90年代中期第一批纳米粉体产业建立以来，已有十多年的历史，已经能够生产出几十种纳米粉体材料，对我国传统产业产品的研发、升级起到了积极作用。     

美国工程师合成P型ZnO纳米线

美国加州大学圣地亚哥分校的工程师们合成了长期寻求的半导体材料-P型ZnO纳米线，为价格更低廉的新型发光二极管的制作铺平了道路。     

安徽中鼎成功攻克纳米“瓶颈”

日前，安徽中鼎密封件股份公司和安徽大学合作，成功攻克了以橡胶为基体的陶瓷纳米粉体分散技术“瓶颈”，在国内首次研制出汽车减震器油封、三元乙丙橡胶耐磨胶管、减震器用止动橡胶等3种汽车用橡胶主要零部件产品。[第一段]     

掺Nd纳米ZnO薄膜特性研究

研究了用真空蒸发法在玻璃衬底上制备稀土掺杂纳米ZnO薄膜结构、导电性及光透射性能。结果显示 ,在 5 0 0℃氧化、热处理稀土元素Nd掺杂后能够明显改善纳米ZnO薄膜的结构特性 ,薄膜的晶粒尺寸随掺杂含量的增加而减小。掺Nd使ZnO薄膜的电性能有所改善但使纳米ZnO薄膜的光透射性有所降低。     

ZnO陶瓷材料的负阻特性

介绍了ＺｎＯ陶瓷的负阻特性，主要研究了ＭｎＯ２掺杂和Ｎｉ２Ｏ３掺杂对ＺｎＯ陶瓷负阻特性的影响。     

ZnO压敏陶瓷最佳掺杂含量的理论计算

从对电子薄膜材料研究中得到的最佳掺杂含量定量理论推广到ZnO陶瓷材料。该理论建立了电子薄膜材料的某一物理性能与晶体结构、制备方法和掺杂剂含量之间的联系，给出了一个能够拟合实验曲线的具有确定物理意义的抛物线方程。该方程的极值点确定了最佳掺杂含量与晶体结构和制备方法之间的定量关系，进而得到了一个掺杂最佳含量的表达式。系统地分析了ZnO压敏陶瓷的掺杂改性的实验结果，应用此表达式定量计算了ZnO压敏陶瓷的最佳掺杂含量，定量计算的结果与实验数据相符合。该理论也适用于其他薄膜材料最佳掺杂含量的理论计算。     

湿化学法制备纳米ATO导电粉

采用非均相成核法 ,在Sn(OH) 4 晶种上均匀生长Sb掺杂Sn(OH) 4 ,制备纳米ATO粉末。以电阻测定系统研究了合成条件如掺杂浓度、反应温度、pH值、SnCl4浓度等对最终粉末电阻性能的影响。以TG DSC热分析、XRD、TEM等手段研究了晶粒生长过程 ,XRD显示为四方金红石型结构 ,平均粒径为15nm。当Sb/Sn(mol比 ) =0 .0 5 ,pH =2 ,T =60℃ ,SnCl4=1.2～ 1.8mol·L-1时 ,粉体电阻小于 0 .5Ω。     

纳米ZnO薄膜制备及液态源掺杂

用真空蒸发法在玻璃和单晶硅片 (10 0 )上制备Zn薄膜 ,然后对Zn薄膜进行氧化、热处理获得纳米ZnO薄膜。对在硅片上制备的Zn薄膜一次性进行高温掺杂、氧化获得纳米ZnO∶P和ZnO∶B薄膜。研究不同氧化、掺杂温度和时间对薄膜结构、电学性能的影响。结果表明 :氧化温度和时间对ZnO薄膜结构影响较大 ,液态源掺P可明显改善纳米ZnO薄膜的导电性能、结构特性和化学组分     

光与人

Z氏纳米杀菌消毒灯饰【专利】／杨源／／CN2667301Y。本实用新型公开了一种Z氏纳米杀菌消毒灯饰，包括灯管和灯饰光照面，其特征是：在所述的灯饰光照面上设有一层TiO2或ZnO纳米膜。本实用新型是一种用途广泛、效果理想、简捷实用且结构简单、制造方便、性能可靠的Z氏纳米消毒灯饰。     

纳米晶CaO稳定化ZrO粉体的制备及其烧结

本文采用胶体-超临界流体干燥法合成CaO稳定化ZrO2纳米粉体，并对粉体的烧结性能进行研究。研究结果表明，该法合成的粉体具有粒径小、粒径分布范围窄、比表面积大等特点；将粉体作为ZrO2基陶瓷起始粉料，具有很高的烧结活性，可以有效地降低烧结温度，缩短烧结时间。此外，粉体中稳定剂的含量会很大程度上影响其性能。