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W. Tang H.Z. Shi G. Xu B.S. Ong Z.D. Popovic J.C. Deng J. Zhao G.H. Rao 《Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)》2005,17(19):2307-2311
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Understanding how the structure of the unit-cell affects the cryogenic performance of a Si power Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) is an important step toward optimizing of the device for cryogenic operations. In this paper, numerical simulations of the Si power Double Diffused MOSFET’ (DMOS) are performed at room temperature and cryogenic temperatures. Physically based models for temperature dependent silicon properties are employed in the simulations. The performances of power DMOS’ with various unit-cell structures are compared at both room temperature and low temperatures. The effect of the cell structure on the on-resistance and breakdown voltage of the device are analyzed. The simulation results suggest that the device optimized for room temperature operation can be further optimized at cryogenic temperatures. 相似文献
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OSEK/VDX——汽车电子系统的开放式平台 总被引:6,自引:0,他引:6
介绍了当前在国际汽车工业界日益占据主导地位的汽车电子系统开放式平台--OSEK/VDX体系.详细地论述了这种体系的由来、运行机制和最新的发展动向,以及它对汽车电子技术发展的深远影响. 相似文献
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9.
朱珉 《电气电子教学学报》2002,24(6):55-56
本文介绍由东南大学组织编写,东南大学出版社出版的《电工电子实践课程丛书》的编写背景,每本教材内容的简要内容,特色与使用情况。 相似文献
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