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21.
20CrMo棒材带状组织的控制研究 总被引:1,自引:0,他引:1
通过Gleeble-1500热模拟机对20CrMo轧材精轧阶段轧制过程及冷却过程的模拟,研究了终轧温度、冷却速度对室温组织的影响,分析了形成带状组织的条件,最终得出了理想室温组织的终轧温度和冷却速度。 相似文献
22.
23.
简介剪切带扩展法(SBP)的原理及其在海底滑坡稳定性分析的应用;以舟山六横岛典型海底斜坡为分析案例,开展基于高斯函数的SBP和极限平衡法(LEM)斜坡稳定性对比分析研究;进行SBP输入参数对剪切带扩展系数R的敏感度分析. 研究结果显示,对于斜坡剪切带破坏长度,当剪切带扩展系数R不大于1时,LEM与SBP得到的滑坡滑裂面区域一致,当R大于1时,SBP计算得到的最终滑动区域比LEM计算得到的区域大;在斜坡发生滑动破坏区域SBP比LEM计算得到的安全系数低;地震影响因素和土体特征位移对R的影响较大. 相似文献
24.
0 IntroductionThe merits of narrow gap welding (NGW) such ashigh productivity and quantity, minimal distortion, highcost-effectiveness, and all position capability are wellknown. The narrower the gap, the more significant the a-bove merits. Moreover, while an ultra-narrowgap welding(UNGW) process with less than 5 mm gap width is used,its some advantages are very useful for preventing thestress corrosion crack in austenitic steel piping, and forwelding some update steels. For example, in aus… 相似文献
25.
26.
双滑移取向Cu单晶的循环形变行为──Ⅱ.滑移带和形变带SCIEI 总被引:2,自引:0,他引:2
用光学显微镜和扫描电镜研究了双滑移取向([034],[117])Cu单晶循环饱和后的表面形貌,塑性分切应变幅(γpl)低于10^(-3)时,[034]晶体表面上要为主滑移系的驻留滑移带(PSBs)占据,次滑移只在边缘区域启动,其PSBs细窄(<1μm),体积百分数在1%以下.γpl>10^(-3)时,次滑移开始在试样的中部启动,同时,表面出现二种贯穿晶体的宏观形变带(DBI,DBII),滑移带在形变带内集中.[117]晶体在γpl=4.4×10^(-4)时,双滑移现象已十分明显.γpl>10^(-3)时,表面也形成与前者相似的形变带.DBI的惯习面与主滑移面平行([034]晶体)或接近([117]晶体),DBII的惯习面则与前者垂直,文章讨论了形变带形成的可能原因. 相似文献
27.
0 IntroductionSelf-shielded flux cored wire is a newly developedwelding material used without gas protection. Use of suchcored wires has grown rapidly in developed countriesbecause of the following advantages: simple use, goodwind resistance ability, lower cost resulted from highproductivity and strong desulfurization ability[1]. Self-shielded flux cored wires are preferred for on-site weldingsuch as ship and barge building, storage tank, bridge,offshore oil platform buildings and so on[2 -3].… 相似文献
28.
基于高速局域网的连续搅拌反应釜(CSTR)控制系统 总被引:1,自引:0,他引:1
提出基于客户-服务器模式的连续搅拌反应釜(CSTR)控制系统。系统充分利用网络设备和技术,扩大了实时控制设备的应用范围和资源利用率,方便了学生学习和巩固基本的控制理论和技术。本系统可提供的操作(控制策略)有PID控制和鲁棒控制,同时还提供传输可执行文件和反馈执行结果的功能,以便测试实验者自行编写的算法程序。 相似文献
29.
Computing scattering rates of electrons and phonons stands at the core of studies of electron transport properties. In the high field regime, the interactions between all electron bands with all phonon bands need to be considered. This full band interaction implies a huge computational burden in calculating scattering rates. In this study, a new accelerated algorithm is presented for this task, which speeds up the computation by two orders of magnitude (100 times) and dramatically simplifies the coding. At the same time, it visually demonstrates the physical process of scattering more clearly. 相似文献
30.
Dilip Chandra Ghimire Sudip Adhikari Hideo Uchida Masayoshi Umeno 《Diamond and Related Materials》2006,15(11-12):1792
We report the effects of gas composition pressure (GCP) on the optical, structural and electrical properties of thin amorphous carbon (a-C) films grown on p-type silicon and quartz substrates by microwave surface wave plasma chemical vapor deposition (MW SWP CVD). The films, deposited at various GCPs ranging from 50 to 110 Pa, were studied by UV/VIS/NIR spectroscopy, atomic force microscopy, Raman spectroscopy, X-ray photoelectron spectroscopy and current–voltage characteristics. The optical band gap of the a-C film was tailored to a relatively high range, 2.3–2.6 eV by manipulating GCPs from 50 to 110 Pa. Also, spin density strongly depended on the band gap of the a-C films. Raman spectra showed qualitative structured changes due to sp3/sp2 carbon bonding network. The surfaces of the films are found to be very smooth and uniform (RMS roughness < 0.5 nm). The photovoltaic measurements under light illumination (AM 1.5, 100 mW/cm2) show that short-circuit current density, open-circuit voltage, fill factor and photo-conversion efficiency of the film deposited at 50 Pa were 6.4 μA/cm2, 126 mV, 0.164 and 1.4 × 10− 4% respectively. 相似文献