基于多帧相关算法的稀布阵雷达目标航迹检测

为提高稀布阵脉冲孔径雷达探测能力和小目标的发现概率,采用降低信号处理门限的方法,致使虚警概率高。常规方法难以完成目标航迹检测,需要通过TBD处理来完成目标检测。文中给出了基于多帧相关的TBD算法,利用目标的运动特性,通过对多帧数据的帧间相关处理,沿目标轨迹累积能量,从而提高信噪比,实现了在高虚警环境下的目标航迹检测。     

基于LabWindows/CVI的双通道数据采集系统

介绍了使用LabWindows/CVI和DAQ/PXI-2005数据采集卡搭建的数据测量系统。通过传感器将所测特征信号变为电信号传输,再用数据采集卡采集传送给处理器,用LabWindows/CVI搭建数据处理和显示的人机交互界面,实现对物体特征的测量。该系统可以实时显示所测物体特征,修改数据采集时的各项参数,显示采集到数据的波形,存储、调用采集到的数据。     

基于贝叶斯稀疏学习的多跳频信号频率跟踪方法

以往的跳频信号参数盲估计方法大多难以适应多个信号同时存在的情况,且需要积累一定数量的样本以后才能从中提取所需要的信息.为了稳定实时地跟踪跳频信号的频率,该文提出一种利用贝叶斯稀疏学习的单/多通道跳频信号频率估计和跳变时刻检测方法来实现多跳频信号频率的实时跟踪.首先建立了多跳频信号的稀疏表示模型,然后介绍了多观测贝叶斯稀疏学习算法及跳变时刻实时检测方法,最后仿真结果验证方法的有效性.     

动作识别技术及其发展

首先简要介绍了目前主流的两个动作识别技术及其主要原理,主要包括基于图像和视频识别技术进行识别和基于运动传感器参数进行识别;然后根据这些动作识别技术重点介绍了其发展和应用状况,以及相关专利的申请状况;最后,对动作识别技术的发展前景进行展望.     

微机接口实验板的开发和应用

基础型实验、设计型实验和研究型实验构成了"微型计算机原理与接口技术"课程的实验教学体系,其中设计型实验发挥着承上启下的重要作用.为了满足设计型实验教学的需要,设计了微机接口实验板.本文详细论述了该实验板的硬件设计方案和驱动函数的建立方法,并列举出该实验板在设计型实验教学中的应用实例.该实验板具有成本低,接口开放及易于学习使用等特点.一年的教学实践表明,学生利用该实验板可以拓展知识面,增加工程实践经验,提高动手能力和分析能力.     

一种基于PCI接口的1394B总线的设计与实现

1394B是一种高带宽、低延迟、高可靠特性高速串行总线,已经广泛应用于工业控制、汽车和航空航天等领域。文章设计了一种基于OHCI协议的1394B总线,主机通过PCI接口与1394B控制器之间通过DMA操作,实现数据的高速传输。     

中频解调电路中的I^2C总线接口电路

为了简化中频解调电路的外围接口电路,缩小芯片面积,提高芯片的通用性和可靠性,在I^2C总线数据传输协议的基础上,设计一个兼容I^2C协议的中频解调接口电路。为了防止芯片地址冲突,增加了4位地址选择位,并重点对接口电路的状态机与控制逻辑进行优化设置。仿真结果表明,该电路功能正确,可靠性高,可广泛用于TV,VTR,PC,STB等方面。     

D-SUB接口的EMI问题分析及对策

介绍某款笔记本电脑由于D-SUB接口信号处理不当造成的系统辐射超标问题,并分别使用改善接口接地和信号滤波的方法对辐射进行抑制。结果表明：加滤波元件的方法可使产品符合GB9254-2008B级ITE的限值要求。最后,综合信号传输性能选择了最符合要求的整改方案。     

软件接口自动化测试技术研究与实现

软件接口测试是软件系统测试的一个重要方面。文中通过雷达软件测试工作的实践,探讨研究接口测试自动化技术,设计了接口自动化测试框架和实现流程,采用灵活的XML语言作为数据交互的载体,并将该技术应用于实际的测试工作中,结果表明软件接口自动化测试技术能够有效地减少接口测试的工作量,提高测试工作的效率。     

Density Functional Theory Modeling of (001)Si–Oxynitride Interfaces

Four interface models for crystalline oxynitride on (001)Si substrates are proposed and investigated. All four models are proposed to model thin oxynitride films on Si substrates, according to experimental findings and theoretical studies on amorphous oxynitride films and nitrogenated SiO₂. State-free insulating interfaces were obtained by expanding the bulk oxynitride cell by approximately 12% and 1% along the [100] and [010] axes, respectively, and interfacing it with (001)Si. Results demonstrate state-free insulating interfaces for all models with, however, valence-band offsets slightly above or below 1 eV. The significant decrease in the valence-band offsets is mainly attributed to the significant expansion of the oxynitride’s lattice constant to lattice-matched (001)Si, as well as to the high concentration of nitrogen atoms in the oxynitride bulk.