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41.
在小子样情况下 ,利用系统和分系统试验数据对导弹的飞行可靠性指标进行评定 ,从数学上说是系统可靠性综合问题 .运用MML SR方法对新型号地地战术导弹的飞行可靠性指标进行评定 ,避免了MML方法在遇到无失败单元时不适用的缺陷 ,在利用地面试验信息方面有其明显优势 ;运用Bayes方法对改进型导弹的飞行可靠性指标进行评定 ,将不同试验阶段的多源试验信息作为验前信息 ,扩大了信息量 .最后 ,对两种方法在工程应用上遇到的问题进行了讨论 ,并给出了解决方法 . 相似文献
42.
A generalized effectiveness factor equation (Eq. (32)), in terms of modified Bessel functions, is derived for a catalyst pellet of arbitrary shape. The derivation is based on utilizing an appropriate one-dimensional approximation for the Laplacian in an arbitrary shaped body subjected to a uniform external concentration field. The comparison of the result with the available expressions for various geometries is highly satisfactory. It unifies the expressions for the three fundamental shapes, viz., infinite slab, infinite cylinder and sphere, and also compares very well with the exact solutions for finite shapes over the entire range of the Thiele modulus. 相似文献
43.
和所有设备一样,计算机设备也是在一定环境中工作的,各种环境因素无时不对设备产生影响。要使计算机设备在各种环境中保持良好的性能,必须了解各种环境对计算机设备影响的机理和过程,分析在环境因素中那些因素是影响计算机设备的主要因素及其力度、频率、周期等,以便采取措施保护计算机设备正常工作。简要介绍除温度外,各种环境因素对计算机设备的影响。 相似文献
44.
Cheul-Ro Lee 《Journal of Electronic Materials》2002,31(4):327-331
We have investigated the growth characteristics of n-Al0.15Ga0.85N:Si/GaN and the electronic properties of Au/n-Al0.15Ga0.85N:Si diode structures grown by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) with various Si incorporations. The Al0.15Ga0.85N:Si layers were grown on undoped GaN/sapphire (0001) epitaxial layers in a horizontal MOCVD reactor at the reduced pressure
of 300 torr. The mirrorlike surface, free of defects, such as cracks or hillocks, can be seen in the undoped Al0.15Ga0.85N epilayer, which was grown without any intentional flow of SiH4. However, many cracks are observed in the n-Al0.15Ga0.85N:Si, which was grown with Si incorporation above 1.0 nmol/min. While Au/n-Al0.15Ga0.85N:Si diodes having low incorporation of Si showed retively good rectifying behavior, the samples having high Si incorporation
exhibited leaky current-voltage (I-V) behavior. Particularly, the Au/n-Al0.15Ga0.85N:Si structure grown with Si incorporation above 1.0 nmol/min cannot be used for electrical rectification. Both added tunneling
components and thermionic emission influence the current transport at the Au/n-Al0.15Ga0.85N:Si barrier when Si incorporation becomes higher. 相似文献
45.
46.
研究了分析人员的心理状态、情绪变化、内在动机等对分析数据的影响,提出了具体的对策和预防措施 相似文献
47.
台北凹陷小草湖次凹油气成藏特点及有利区带 总被引:2,自引:0,他引:2
吐哈盆地小草湖次凹发育多套烃源岩,油源条件好,油气资源丰富,油气勘探潜力巨大,中侏罗统发育三套储盖组合,凹陷内油气藏类型主要为侏罗系三间房组,七克台组的构造-岩性复合型和侏罗系西山窑组的深盆气藏,燕山运动末期是小草湖次凹一次重要的成藏期,古构造,古构造背景和构造-岩性复合型圈闭发育是小草湖次凹成藏主控因素,根据小草湖次凹成藏主控因素评价和优选有利区带,勘探工作取得了良好效果。 相似文献
48.
49.
50.
本文从理论上分析了在不同功率因数下不同供电距离的能耗对比及近年来进行无功补偿的情况,从而说明了无功补偿对远距离供电节能降耗的重要意义。 相似文献