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CASS作为在CAD下开发的测绘软件,因其易学,界面友好,操作方便等特点受到广大测绘工作者的喜爱.而并非所有你需要的命令都在其中,这个时候就需要借助LISP这个CAD二次开发工具来量身定做所需要的特殊功能.有的时候灵活的运用LISP程序进行二次开发,对于节省人力,物力,财力有着立竿见影的效果,如地籍测量后期资料的批量提... 相似文献
993.
通过对比分析国内外双列圆锥滚子汽车轮毂轴承产品系列的结构特征和参考目前国内(单列)圆锥滚子轴承设计方法,分析了反向映射法在双列圆锥滚子汽车轮毂轴承结构设计中的应用。 相似文献
994.
随着科学技术的不断进步,国民经济水平的不断提高,我国的建筑事业也得到了快速发展。测绘工程专业是新兴起的一门学科,通过采取科学合理的教学方法,能够增强测绘工程专业学生的技能,并提高教学质量,从而培养出高级测绘人才。通过对测绘工程专业技能进行细致的分析,并结合实践内容,发表一些见解。 相似文献
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998.
RAO Wei 《电子学报:英文版》2014,(1):124-128
It is well known that the famous Constant modulus algorithm (CMA) presents a large steady-state Mean square error (MSE) for nonconstant modulus sig- nals. In this paper a coordinate mapping approach for a 4-PAM nonconstant modulus signal is described which can change the signal to an Offset QPSK (OQPSK) constant modulus signal. And a new algorithm based on this ap- proach is proposed which is also suitable for a 16-QAM signal. For the 4-PAM and 16-QAM nonconstant modulus signals the proposed algorithm can achieve a zero steady- state MSE in a noiseless environment but CMA cannot, Theoretical analysis and simulations results demonstrate the high performance of the proposed algorithm. 相似文献
999.
Three‐dimensional integration technology results in area savings, platform power savings, and an increase in performance. Through‐silicon via (TSV) assembly and manufacturing processes can potentially introduce defects. This may result in increases in manufacturing and test costs and will cause a yield problem. To improve the yield, spare TSVs can be included to repair defective TSVs. This paper proposes a new built‐in self‐test feature to identify defective TSV channels. For defective TSVs, this paper also introduces dynamic self‐repair architectures using code‐based and hardware‐mapping based repair. 相似文献
1000.
This paper proposes a novel technique for modeling the electrostatic discharge (ESD) characteristic of the enclosed-gate layout transistors (ELTs). The model consists of an ELT, a parasitic bipolar transistor, and a substrate resistor. The ELF is decomposed into edge and comer transistors by solving the electrostatic field problem through the conformal mapping method, and these transistors are separately modeled by BSIM (Berkeley Short- channel IGFET Model). Fast simulation speed and easy implementation is obtained as the model can be incorporated into standard SPICE simulation. The model parameters are extracted from the critical point of the snapback curve, and simulation results are presented and compared to experimental data for verification. 相似文献