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971.
We have proposed a TSV (through-silicon-via) alkaline barrier slurry without any inhibitors for barrier CMP (chemical mechanical planarization) and investigated its CMP performance. The characteristics of removal rate and selectivity of Ti/SiO2/Cu were investigated under the same process conditions. The results obtained from 6.2 mm copper, titanium and silica show that copper has a low removal rate during barrier CMP by using this slurry, and Ti and SiO2 have high removal rate selectivity to Cu. Thus it may be helpful to modify the dishing. The TSV wafer results reveal that the alkaline barrier slurry has an obvious effect on surface topography correction, and can be applied in TSV barrier CME 相似文献
972.
影响TD-LTE网络性能的因素众多,主要研究重叠覆盖对TD-LTE网络性能的影响,结合扫频数据与路测数据,能够定量地给出重叠覆盖对路测SINR与下载速率的影响关系,进而为下一步的TD-LTE网络优化工作提供相关依据。 相似文献
973.
通过迷宫密封泄漏量的计算,阐述了影响泄漏量的因素。分别对三种特性因素:密封齿形、节流间隙和节流口数进行分析。结果表明,圆形齿产生的泄漏量较大,尽量避免使用;节流间隙与泄漏量呈线性关系,取较小值密封效果较好;节流口数越多,泄漏量越小,但是随着节流口数增多,节流效果增加越不明显,并且经济成本较高,设计时需合理选用节流口数。试验也验证了光电转台迷宫密封满足工程应用要求。 相似文献
974.
针对数字脉冲间隔调制(DPIM)存在的问题和性能方面的不足,提出了一种新型的双幅度定长脉冲间隔调制(DAFDPIM)方式,对其调制结构进行了详细阐述,讨论了发射功率、带宽需求、传输容量和差错性能等问题,并与其他几种DPIM的改进方式进行了仿真对比。理论分析和仿真结果表明:这种新型的DAFDPIM方式能实现性能方面较好的平衡,并解决了DPIM符号长度不固定的问题,在无线光通信系统中具有一定的应用前景。 相似文献
975.
谐振式空心光子带隙光纤陀螺中的光克尔效应 总被引:4,自引:2,他引:4
谐振式光纤陀螺(PROG)采用空心光子带隙(HCPBG)光纤后,光克尔效应引入的系统漂移将会与普通单模光纤(SMF)谐振式陀螺系统中的有所不同。为了研究谐振式空心光子带隙光纤陀螺中光克尔效应的变化情况,采用光场叠加的方法,从理论上分析谐振式空心光子带隙光纤陀螺中的光克尔效应,同时针对光克尔效应引入的系统漂移进行了数值仿真,并且与普通单模光纤谐振腔陀螺中的光克尔效应进行对比。理论计算表明,采用空心光子带隙光纤的谐振式光纤陀螺比采用普通单模光纤谐振式陀螺的光克尔效应有明显的降低,在光源线宽不变时,不同光纤环长度对应的光克尔效应引起的旋转角速度漂移前者比后者降低了1~2个数量级。 相似文献
976.
抛光液组成对LiNbO3 CMP去除速率的影响 总被引:2,自引:1,他引:2
影响LiNbO3化学机械抛光速率的因素很多,如抛光液组成、抛光垫质量、抛光工艺参数等.主要研究了抛光液对去除速率的影响,采用磨料 碱 活性剂的配方,首先分析了抛光液各成分对去除速率的影响机理,然后结合各因素的部分相关实验,从机械、化学角度分析其性质特点,对LiNbO3晶片的去除速率进行了研究.结果表明,在保证获得较好抛光表面的前提下,采用的磨料质量分数越高越好,但活性剂体积分数不宜过高,溶液pH值采用无机碱进行调节,即可获得较高的去除速率. 相似文献
977.
978.
行波管的可靠性现状及其差距 总被引:1,自引:2,他引:1
行波管广泛地应用于雷达、电子对抗和通讯等国防重点工程,被誉为武器装备的“心脏”,本文从行波管现场应用情况分析出发,论述我国行波管可靠性水平、质量状况、“八五”期间研制情况及存在问题等,进一步指出宽带大功率行波管国内外的差距,最后提出行波管可靠性工作的建议和相应措施。 相似文献
979.
P. N. Brunkov A. R. Kovsh V. M. Ustinov Yu. G. Musikhin N. N. Ledentsov S. G. Konnikov A. Polimeni A. Patanè P. C. Main L. Eaves C. M. A. Kapteyn 《Journal of Electronic Materials》1999,28(5):486-490
Capacitance- and conductance-voltage studies have been carried out on Schottky barrier structures containing a sheet of self-organized
InAs quantum dots. The dots are formed in GaAs n-type matrices after the deposition of four monolayers of InAs. Quasi-static
analysis of capacitance-voltage measurements indicates that there are at least two filled electron levels in the quantum dots,
located 60 and 140 meV below the GaAs conduction band edge. The conductance of the structure depends on the balance between
measurement frequency and the thermionic emission rate of carriers from the quantum dots. An investigation of the temperature-dependent
conductance at different frequencies as a function of the reverse bias allows us to study separately the electron emission
rates from the ground and first excited levels in the quantum dots. We estimate that the electron escape times from both levels
of the quantum dots become comparable at room temperature and equal to about 100 ps. 相似文献
980.