DGPSL：A DISTRIBUTED GRAPHICS LIBRARY

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对分布式数据库发展方向的分析

本文对分布式数据库的设计方法、分割与分配技术作了一些探讨，并就分布式数据库的发展方向进行了初步分析。     

氢电弧等离子体法制备的纳米镍铈粒子的催化特性

利用氢电弧等离子法制备具有储氢特性纳米镍铈粒子，并在气相苯加氢反应中研究了其催化特性，发现其催化活性与储氢特性及表面层中ＮｉＣｅ合金存在有关，且具有高的选择性和热稳定性，这与纳米粒子独特的结构及铈的加入有关。     

D36580/97t锥顶储罐罐顶桁架的整体吊装和旋转就位

本文针对大型储罐罐顶整体桁架结构尺寸大、质量大、易变形的特点,详细介绍了一种切实可行的整体吊装及旋转就位方法。从选定吊装方案入手,阐叙了实现本方法的思路和技术细节,提出了实施过程中的注意事项。实践证明,该方法能保证安装质量,安全、可靠、可行。     

地地战术导弹飞行可靠性指标评定方法

在小子样情况下 ,利用系统和分系统试验数据对导弹的飞行可靠性指标进行评定 ,从数学上说是系统可靠性综合问题 .运用MML SR方法对新型号地地战术导弹的飞行可靠性指标进行评定 ,避免了MML方法在遇到无失败单元时不适用的缺陷 ,在利用地面试验信息方面有其明显优势 ;运用Bayes方法对改进型导弹的飞行可靠性指标进行评定 ,将不同试验阶段的多源试验信息作为验前信息 ,扩大了信息量 .最后 ,对两种方法在工程应用上遇到的问题进行了讨论 ,并给出了解决方法 .     

分布式光纤喇曼放大技术及其在WDM系统中的应用

介绍了分布式光纤喇曼放大技术的原理、特点和应用 ,并从受此影响的 WDM传输系统的信噪比、噪声指数和品质因数三个方面讨论了光纤喇曼放大技术在提升光纤通信系统性能方面的重要作用。     

Voltage sag compensation with minimum energy injection by use of a micro‐SMES

This paper presents a method to compensate voltage sags with minimum energy injection for a series‐connected voltage restorer using a micro‐SMES. A circuit for extracting the fundamental symmetrical components from sag voltages and a minimum energy injection algorithm is described. Simulations of voltage sag compensation have been carried out using PSCAD/EMTDC for various faults. The simulation results confirm the validity of the proposed method and show the possibility of reducing the size of energy storage devices. © 2002 Wiley Periodicals, Inc. Electr Eng Jpn, 141(3): 70–80, 2002; Published online in Wiley InterScience ( www.interscience.wiley.com ). DOI 10.1002/eej.10047     

抽水蓄能电站运行方式和电网经济效益分析

用计算机模拟法建立模拟模型，对选定的系统进行生产模拟，统计计算出电网系统投入不同抽水蓄能容量时所发生的系统运行总燃料费用（包括抽水蓄能电站的抽水费）和系统的负荷缺电力时间概率（LOLP）等指标。通过对计算结果的分析，得出不同系统在投入不同容量抽水蓄能机组和采取不同运行方式的情况下，其运行总燃料费用的边际成本和LOLP的边际值的变化规律，并且对电网的经济效益进行合理分析。从而为抽水蓄能电站的规划和投资建设提供理论依据，推动抽水蓄能电站的发展，促使我国电源结构趋向合理。     

黄河黑山峡河段大柳树水库比小观音水库原始库容多40亿m3的作用

一级开发大柳树高坝原始库容比二级开发小观音高坝多 4 0亿m3 ,库容大带来的好处体现在 5～ 7月可多向下游增供水量 ,缓解下游河道断流 ;延长泄放清水时间 ;增加发电效益 ;满足宁蒙河段防凌要求 ;增加汛期集中泄水 ,减缓下游河道淤积萎缩 ;满足南水北调西线工程水量调节要求等。为了更好优化配置黄河水资源 ,从全局和长远利益考虑 ,应采用一级开发方案 ,修建大柳树高坝大库     

Organic Materials and Thin‐Film Structures for Cross‐Point Memory Cells Based on Trapping in Metallic Nanoparticles

Non‐volatile solid‐state memory cells based on composites of metal nanoparticles and polymers are embedded in organic semiconducting host materials. This paper presents data from a wide range of materials and device structures and shows that the switching phenomenon is commonly observed.