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991.
A trade-off analysis on the cost and system packaging metrics of an electronic product aimed at the commercial/retail industry has been carried out. By comparing the system cost and packaging metrics with those of comparable consumer products, we have determined that there is opportunity for significant cost, size, and weight reduction of the overall electronics packaging system. These include the use of fine pitch IC packages, smaller discrete components, denser PCB wiring technology, double sided IC package surface mount, surface mount connectors, and improved plastics for the product housing. The analysis concluded that PCB area reduction of 40%, using a single PCB instead of three boards, reduction in board cost of over 50% and product weight reduction of over 28% are possible using available technologies. 相似文献
992.
本文介绍了一种利用现有机载模拟通信设备进行数字通信的高性能机载报警系统。文中,着重论述了该系统在编码和解码技术方面,提高报警信号的抗干扰性、保密性、防止误码以及提高传输距离等关键技术;较详细地介绍了系统的工作原理及调制解调电路的特点。 相似文献
993.
光纤综合业务区域网是近年来迅速发展的一个领域,环形网是这种网最常用的一种拓扑结构。由于环形网结点串联的特点,网络的可靠性是必须解决的问题。本文针对一个具有34Mb/s速率,可以传输计算机数据、话音、传真和会议电视的光纤综合业务环网(ISR),研究了其故障的自动隔离。文中分析了ISR的故障,讨论了故障的检测、定位和隔离的方法。为了适应综合业务的混合电路交换和分组交换技术,本文提出了采用二分搜索法来定 相似文献
994.
甄汉生 《真空科学与技术学报》1993,(2)
微波电子回旋共振等离子体是淀积薄膜、微细加工和材料表面改性的一种重要手段。由于这种等离子体电离水平高,化学活性好,可以用来实现基片上薄膜的室温化学气相淀积和反应离子刻蚀,因此对于微电子学、光电子学和薄膜传感器件的发展,这种等离子体会具有重要的意义。此外,采用微波电子回旋共振等离子体原理,没有灯丝的离子源可以提高离子源的使用寿命,可以增加离子束的束流密度。可以确信,微波电子回旋共振等离子体的发展,将把离子源技术提高到一个新的水平。显然,这必将对材料表面改性工艺,包括离子注入掺杂等工艺的发展发挥作用。自从1985年以来,为了得到大容积等离子体而发展了微波电子回旋共振多磁极等离子体,这些技术在薄膜技术、微细加工以及材料表面改性中的应用前景是乐观的。我们将在本文中,介绍微波电子回旋共振等离子体的原理及其应用。 相似文献
995.
NOMENCLATUREc radialclearanceh filmthickness h dimensionlessfilmthickness (h/c)L/D ratiooflengthtodiameterp film pressuree eccentri 相似文献
996.
R. Theuer 《Journal of food science》2002,67(3):1208-1211
ABSTRACT: Iron added as ferrous sulfate at 500 mg*kg−1 to rice, oats, whole grain wheat, or proanthocyanidin-free barley porridge caused significant changes in the Hunter "L", "a", and "b" values but the visual appearance of these porridges remained satisfactory. Porridge made with normal barley flour fortified with 500 mg*kg−1 of iron developed an unappealing gray color with ferrous sulfate, ferrous fumarate, or electrolytic iron, 3 salts differing in solubility. At 100 and 250 mg*kg−1 of iron, the discoloration of normal barley porridge was less pronounced, but still objectionable. When fortified with 50 mg*kg−1 of iron, normal barley porridge had a slight color change but was not noticeably gray. Thus barley-containing foods can be fortified with a soluble iron compound at the level of iron used in enriched flour and similar cereal-grain foods for the general population without developing an unattractive color. 相似文献
997.
本文在讨论了下一代信令转接点在满足传统信令网络功能的基础上,着重介绍了下一代的信令转接点上实现的号码携带、灵活路由等新业务,并如何实现传统STP面向下一代网络的平滑过渡。 相似文献
998.
线性联合检测算法在TD-SCDMA系统中的性能分析与比较 总被引:18,自引:3,他引:15
时分、同步码分多址(TD-SCDMA)系统是基于时分双工(TDD)的块传输系统,它使用了联合检测这项关键技术来抵抗符号间干扰(ISI)和多址干扰(MAI)。以上行链路为例,本文分析了三种线性联合检测算法--匹配滤波块均衡器(MF-BLE)、迫零块均衡器(ZF-BLE)和最小均方误差块均衡器(MMSE-BLE)。从理论上,我们描述了这三种线性联合检测算法的基本原理,并对它们进行了比较(包括抗干扰性能和计算量)。随后,我们模拟了不同参数条件下(信道模型、码道数目、天线数目)这几种算法的性能,并与理论分析进行对照,得出一定结论。 相似文献
999.
K. Yasuda Y. Tomita Y. Masuda T. Ishiguro Y. Kawauchi H. Morishita Y. Agata 《Journal of Electronic Materials》2002,31(7):785-790
Iodine doping of CdTe layers grown on (100) GaAs by metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE) was studied using diethyltelluride
(DETe) and diisopropyltelluride (DiPTe) as tellurium precursors and ethyliodine (EI) as a dopant. Electron densities of doped
layers increased gradually with decreasing the growth temperature from 425°C to 325°C. Doped layers grown with DETe had higher
electron densities than those grown with DiPTe. When the hot-wall temperature was increased from 200°C to 250°C at the growth
temperature of 325°C, doped layers grown with DETe showed an increase of the electron density from 3.7×1016 cm−3 to 2.6×1018 cm−3. On the other hand, such an increase of the electron density was not observed for layers grown with DiPTe. The mechanisms
for different doping properties for DETe and DiPTe were studied on the basis of the growth characteristics for these precursors.
Higher thermal stability of DETe than that of DiPTe was considered to cause the difference of doping properties. With increasing
the hot-wall temperature from 200°C to 250°C, the effective ratio of Cd to Te species on the growth surface became larger
for layers grown with DETe than those grown with DiPTe. This was considered to decrease the compensation of doped iodine and
to increase the electron density of layers grown with DETe. The effective ratio of Cd to Te species on the growth surface
also increased with decreasing growth temperature. This was considered to increase the electron density with decreasing growth
temperature. 相似文献
1000.