Mixed Analog Digital Simulation of Integrated Circuits with BRASIL

In this paper the approach of BRASIL in modelling digitalintegrated circuits is presented. BRASIL consists of a timingsimulator for digital MOS circuits coupled with an algorithmfor circuit simulation. The timing simulation is based upon afast macromodelling approach and the calculation of time-variantRC networks. The circuit simulator takes advantage of structuringthe system of nodal equations. With BRASIL a fast and accuratesimulation of digital circuits, with special regard to the analogbehaviour of highly integrated systems is possible.     

深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析

利用器件模拟手段对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流进行了研究和分析，给出了有效的道长度，栅氧厚度，源漏结深，衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ衬底电流的影响，发现电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流有着强烈的影响，热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小，当电源电压降低到一定程度时，热载流子效应不再成为影响深亚微米ＭＯＳ电路可靠性的主要问题。     

L－B膜修饰电极循环伏安行为模拟──（Ⅰ）电荷转移速度常数对循环伏安性能的影响

本文用计算机数字模拟方法研究了电活性分子多层Ｚ型Ｌ－Ｂ膜修饰电极的循环伏安行为。计算了电极与修饰Ｌ－Ｂ膜分子第一层之间的电荷转移速度常数Ｋ_ｏ，Ｌ－Ｂ膜分子层间的电荷转移速度常数ｋ_ｉ；对峰电位差△Ｅ_ｐ及阳极峰面积Ｑ的影响，以及在不同条件下各层分子的氧化态分数随扫描时间的变化。为研究和设计电活性分子修饰电极的实际体系提供了大量数据和信息。     

冶金过程中复杂夹杂物和钢液化学平衡计算

本文提出一个同温冶炼过程中预测非金属夹杂物沉淀的计算机程序。本研究中，多元硅酸盐溶体的Ｇｉｂｂｓ自由能由基于统计热力学的晶胞模型来计算，该晶胞模型按照氧与周围的阳离子构成的对称和非对称晶胞来描述硅酸盐熔体结构，假定高温冶炼时认与非金属夹杂物平衡，钢液中氧化物元素的活度由Ｗａｇｎｅｒ交互作用系数来计算，利用本程序可以估计炼钢时沉淀的非金属氧化物的成分，为调整冶炼工艺和提高产品质量提供指导，进一步可计     

微机监控技术 一

本文系统地讲述了以微型计算机为中心的微机监控系统的工作原理、系统组成和应用方面的有关技术。分为监控系统的功能和结构、硬件系统和软件系统三个部分。本文为第一部分。     

单片机仿真系统

本文讨论单片机离线仿真系统的设计方法，其关键技术是：单片机硬件系统（ＲＡＭＲＥＧＩＳＴＥＲＳ）仿真，指令系统仿真，中断系统仿真，应用系统硬件仿真。     

一种新的线性分布参数系统辨识方法

本文应用块脉冲函数（ＢＰＦ）将含有未知参数的线性分布参数系统偏微分方程转换为矩阵方程，通过最小二乘法辨识线性分布参数系统的参数，辨识结果表明，ＢＰＦ辨识法具有原理简捷，实现方便，辨识精度高等优点。     

利用地理信息系统ARC/INFO计算地物面积的方法

详细介绍利用地理信息系统工具ARC/lNFO来计算地物分布专题图中各种不同地物面积的方法，并给出海南省大边河库区地物面积的计算实例。     

大系统分散鲁棒容错控制的进展及主要成果

综述了近２０年来关联大系统分散鲁棒容错控制的研究动态及取得的主要成果。说明了统一地研究分散鲁棒容错控制的必要性。在分散控制、鲁棒控制和容错控制研究领域内，分析了各种设计方法的主导思想及实质；指出了这些研究成果的意义与存在的问题。文中着重论述了分散、鲁棒、容错控制研究方法的发展途径。     

模拟信号的恢复及其误差研究

数模混合仿真中模拟信号的恢复及其误差对整个仿真过程具有重要影响。本文探讨了用零阶保持和一阶保持进行信号恢复的方法，比较了它们的误差及工作特点。特别指出了一阶保持中，由于存在积分器复原时间及数字机操作时间的影响而会带来附加的误差，因此一阶保持方法较难达到其理论的精度。