高效的基于ID的无证书签名方案

通过利用gap diffie-hellman(GDH)群,提出了一种高效的基于ID的无证书签名方案,该方案通过将2个部分公钥绑定相同的一个ID,从而解决了密钥托管问题.在这个方案中,私钥生成中心(PKG,private key generator)不能够伪造合法者的签名,因为只能生成一部分私钥,其安全性依赖于CDHP(computational diffie-hellman problem).在随机预言机模型下,新方案被证明能够抵抗适应性选择消息攻击和ID攻击下的存在性伪造.该方案不仅解决了密钥托管问题而且与许多已有的方案相比具有较高的效率.     

Differences of Band Gap Characteristics of Square and Triangular Lattice Photonic Crystals in Terahertz Range

Band gap characteristics of the photonic crystals in terahertz range with square lattice and triangular lattice of GaAs cylinders are comparatively studied by means of plane wave method (PWM). The influence of the radius on the band gap width is analyzed and the critical values where the band gap appears are put forward. The results show that the maximum band gap width of photonic crystal with triangular lattice of GaAs cylinders is much wider than that of photonic crystal with square lattice. The research provides a theoretic basis for the development of t rahertz (THz) devices.     

基于EBG结构的波导缝隙天线RCS减缩研究

波导缝隙阵列天线具有结构紧凑、性能稳定等优点被广泛应用于雷达及卫星系统中,然而该天线会产生较强的雷达散射截面。文中采用在波导缝隙阵列天线上放置开槽的EBG结构,对其RCS减缩进行了研究。结果表明,在不影响天线辐射特性的情况下,加载该EBG结构可以有效地减缩波导缝隙天线的RCS。     

微带线不连续性对光电导开关非线性特性的影响

实验对自行研制的全固态同轴―微带型横向半绝缘砷化镓(SI-GaAs)光电导开关传输特性进行了研究：当偏置电压达到一定阈值时,普通开关进入了非线性锁定（Lock-on）工作模式;在相同实验条件下,当微带线出现不连续时,输出的电脉冲波形没有出现锁定现象;分别用空气击穿的流注模型和微带线等效电容机理分析了微带线不连续效应引起整个开关电路性能变化及抑制开关Lock-on效应的原因。     

二氧化硅胶体光子晶体的光学特性研究

采用垂直沉积法自组装SiO2胶体光子晶体,并利用紫外-可见-近红外分光光度计对胶体晶体的光学特征进行了研究。结果发现,二氧化硅胶体微球的浓度越大,光子带隙深度增加,透射率变小,但光子带隙中心波长位置保持一致。此外,当入射光以不同的角度入射到样品表面时,其透射光谱具有新颖的光学特性,其成因被探究。     

非均匀微结构光纤中超连续光的产生和传输

报道了利用自行拉制的具有大空气比、小纤芯的非均匀微结构光纤同纳焦耳量级的飞秒激光脉冲相互作用的试验研究。大空气比所带来的大折射率差能将传输的光场强烈地局域在纤芯中，大大增强了非线性效应，所以在1～2cm的传输距离内，便有白光产生，传输60cm后，输入的24nm，35fs飞秒脉冲就展宽成超过一个倍频程(Octave)(390～1050nm)的超连续光谱，并且由于其包层具有非均匀分布的大小不等的空气孔，从而在传输过程中观察到由这种结构形成的非完全光子带隙影响下，侧向光泄露呈现颜色变化的新现象。     

纳米掺杂光子晶体材料的研究

采用传输矩阵的方法研究带缺陷的一维光子晶体,纳米缺陷的引入使得原来不透电磁 波的禁带中,出现了缺陷模,即某一频率的电磁波可以透过,计算表明缺陷模的频率与透射谱随着不同介电常量、不同几何结构以及掺杂的晶体结构而改变。     

适合铝丝键合后热老化要求的金导体浆料

研究了一种适合铝丝键合后热老化要求的金导体浆料，性能达到使用要求。在金浆中添加了少量合金元素，并选用混合型粘结剂。对金导体铝丝焊后热老化失效机理以及添加合金元素的作用，进行了讨论     

Enhanced Electron Mobility Due to Dopant‐Defect Pairing in Conductive ZnMgO

The increase of the band gap in Zn_1‐xMg_xO alloys with added Mg facilitates tunable control of the conduction band alignment and the Fermi‐level position in oxide‐heterostructures. However, the maximal conductivity achievable by doping decreases considerably at higher Mg compositions, which limits practical application as a wide‐gap transparent conductive oxide. In this work, first‐principles calculations and material synthesis and characterization are combined to show that the leading cause of the conductivity decrease is the increased formation of acceptor‐like compensating intrinsic defects, such as zinc vacancies (V_Zn), which reduce the free electron concentration and decrease the mobility through ionized impurity scattering. Following the expectation that non‐equilibrium deposition techniques should create a more random distribution of oppositely charged dopants and defects compared to the thermodynamic limit, the paring between dopant Ga_Zn and intrinsic defects V_Zn is studied as a means to reduce the ionized impurity scattering. Indeed, the post‐deposition annealing of Ga‐doped Zn_0.7Mg_0.3O films grown by pulsed laser deposition increases the mobility by 50% resulting in a conductivity as high as σ = 475 S cm^‐1.     

高密度超多芯连接器组装工艺研究

为了适应电子产品小型化和高密度集成要求,高密度超多芯连接器被广泛使用。由于其引线数量多、间距小、焊接间隙微小等原因,传统手工焊接方法很难满足其焊接质量要求。对高密度超多芯连接器组装方法进行了研究。通过焊接工艺优化,成功实现了焊接间隙0.08 mm的LRMS系列连接器可靠焊接,一次组装合格率达到98%以上。