首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   268426篇
  免费   26254篇
  国内免费   15994篇
电工技术   20433篇
技术理论   7篇
综合类   19136篇
化学工业   56957篇
金属工艺   15182篇
机械仪表   16335篇
建筑科学   11570篇
矿业工程   9688篇
能源动力   15526篇
轻工业   18874篇
水利工程   6487篇
石油天然气   27250篇
武器工业   2235篇
无线电   23315篇
一般工业技术   25892篇
冶金工业   11479篇
原子能技术   3889篇
自动化技术   26419篇
  2024年   1002篇
  2023年   3934篇
  2022年   6768篇
  2021年   8490篇
  2020年   8552篇
  2019年   7931篇
  2018年   7304篇
  2017年   8688篇
  2016年   9666篇
  2015年   9781篇
  2014年   14545篇
  2013年   16051篇
  2012年   17821篇
  2011年   19533篇
  2010年   14411篇
  2009年   15728篇
  2008年   14631篇
  2007年   17069篇
  2006年   16593篇
  2005年   14000篇
  2004年   11887篇
  2003年   11160篇
  2002年   9334篇
  2001年   7878篇
  2000年   6928篇
  1999年   5539篇
  1998年   4373篇
  1997年   3684篇
  1996年   3167篇
  1995年   2924篇
  1994年   2485篇
  1993年   1990篇
  1992年   1614篇
  1991年   1099篇
  1990年   884篇
  1989年   803篇
  1988年   473篇
  1987年   328篇
  1986年   284篇
  1985年   226篇
  1984年   226篇
  1983年   148篇
  1982年   139篇
  1981年   148篇
  1980年   104篇
  1979年   52篇
  1978年   40篇
  1977年   34篇
  1976年   36篇
  1951年   65篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
991.
The defect engineering in metalorganic vapor phase epitaxy InxGa1-xAs and InP by controlled oxygen doping using diethyl aluminum ethoxide (DEALO) was developed in this study. DEALO doping has led to the incorporation of Al and O, and the compensation of shallow Si donors in InxGa1−xAs: Si with 0 ≤ x ≤ 0.25. With the same DEALO mole fraction during growth, the incorporation of Al and O was found to be independent of x, but the compensation of Si donors decreases with increasing In content. Deep level transient spectroscopy analysis on a series of InxGa1-xAs: Si. samples with 0 ≤ x ≤ 0.18 revealed that oxygen incorporation led to a set of deep levels, similar to those found in DEALO doped GaAs. As the In composition was increased, one or more of these deep levels became resonant with the conduction band and led to a high electron concentration in oxygen doped In0.53Ga0.47As. Low temperature photoluminescence emission measurements at 12K on the same set of samples revealed the quenching of the near-band edge peak, and the appearance of new oxygen-induced emission features. DEALO doping in InP has also led to the incorporation of Al and O, and the compensation of Si donors due to oxygen-induced multiple deep levels.  相似文献   
992.
化学镀SiCp/Ni-P复合镀层与基体结合强度及其影响因素   总被引:1,自引:0,他引:1  
论述了SiCp/Ni-P复合镀层与钢基体的结合强度及其影响因素。复合镀层中离界面5μm厚度以内区域的组成及应力状态对镀层/基体的界面结合有决定性作用,在该区域以外SiC粒径变化不影响镀层的结合强度。适当的热处理可提高界面结合力。  相似文献   
993.
矿石中金的化学物相分析新方法   总被引:9,自引:2,他引:7  
郑大中  郑若锋 《黄金》1993,14(3):55-60
  相似文献   
994.
本文分析了T/C府绸集色条花产生的原因。通过工艺条件和操作方法,染色条花疵病得到明显改善。  相似文献   
995.
�¹������������յ���״�뷢չ   总被引:6,自引:0,他引:6  
吐哈油田在总结国内成功经验的基础上,立足先进适用,配套可靠,相继在鄯善、温米、丘陵三大油田建成了鄯善10#、鄯善30#、温米50#、丘陵120#轻烃回收装置,形成了210×104m3/d的处理规模。根据吐哈油田天然气的物理性质、压力、外输压力要求,采用低温分离法。在轻烃回收发展过程中,经不断完善和改进,现已形成燃气引擎往复式压缩机;分子筛脱水;多股流冷箱换热;重烃逐级降压闪蒸提馏脱水技术;丙烷制冷;膨胀机制冷;导热油供热;DHX工艺;屏蔽液烃泵;分布式集散控制系统和安全联锁控制10项关键技术。  相似文献   
996.
由于器件的快速退化,101.5小时似乎成了Znse基蓝绿色半导体激光器难于逾越的寿命极限。分析退化机制,发现在强电流注入的半导体激光器中,热退化具有重要影响。研究表明,用作载流子限制层的宽带Ⅱ-Ⅵ族四元合金(如ZnMgSSe)只能对ZnSe中的电子有效地限制,无法对空穴很好地限制;而对BeTe,却只能对空穴进行有效的限制,无法对电子很好地限制。这导致ZnSe(或BeTe)活性层空穴(或电子)漏电发热,引起退化。本文提出以ZnSe/BeTe超晶格为蓝绿发光层,并用包络函数理论具体计算了阱宽、垒宽对载流子能级的不同影响,考察了ZnSe、BeTe厚度比和超晶格周期对带隙、载流子限制能力的调节。为研制新型长寿命蓝绿色半导体激光器提供了一条新的途径。  相似文献   
997.
998.
张宇 《冶金能源》1996,15(4):45-48
介绍了一种新型双族流平焰烧嘴的设计思路、结构参数及工业试验结果。其结构特点是每个部件都易装易卸,其煤气旋流器的位置可根据煤气压力变化进行调节,无需稳焰器就可保证煤气压力在较大范围波动时,都可形成稳定的平展火焰。  相似文献   
999.
详细介绍了R-113流体管外上升流动的沸腾换热试验,包括试验台架、流量计和温度测量的修正,以及试验数据。拟合的换热关系式为q=528(Tw─Ts)1.33。  相似文献   
1000.
分析了液相色谱柱失效的诸多现象和原因,并论述了极性溶剂冲洗法等一些使色谱柱恢复活性的方法。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号