HDPE／PS／HDPE－g－PS合金的相容性和力学性能研究

用自制接枝共聚物ＧＲ－Ⅰ、ＧＲ－Ⅱ相容剂研究其对ＨＤＰＥ／ＰＳ共混物相容性和力学性能的影响。通过ＳＥＭ、ＤＭＡ、ＤＳＣ和力学性能测试表征，表明在ＨＤＰＥ／ＰＳ共混中加入这些相容剂其相容性和力学性能有一定提高     

移动式宽频带高产额中子发生器

多用途中子发生器有着广阔的市场和应用领域 ,文章对移动式宽频带高产额中子发生器 ,在设计制造过程中所涉及到的技术难点 :绝缘尺寸小、频率适应范围宽、为中子管提供靶压的高压负载特性好等作了技术分析 ,使多用途中子发生器在更广阔的范围内应用 ,提供了广阔前景。     

Magnetization and rotation of MTG HTSC ring in magnetic field

The magnetization of a melt-texture growth (MTG) HTSC ring has been studied. It is shown that the magnetic field inside the ring is larger than the external field under a certain range of external magnetic fields. We have also investigated the magnetic field dependence of the response of a detective coil near a rotating superconducting ring. The responses of the MTG sample are different for different cooling methods.     

关于我国的粮食标准

本文总结了我国粮食标准的历史，将历次我国小麦标准和小麦粉标准的技术指标，分别集中列表，并据以估计我国优质小麦标准的良好发展前景。     

铜线材酸性高速电镀致密光亮锡、锡铜合金

为了寻找低成本、低腐蚀、低污染高速电镀锡、锡铜合金工艺 ,在含光亮剂、柔软剂DL0 1、0 2、0 3的硫酸槽中在不同的电流密度、不同的搅拌速度下 ,在Φ0 .5mm的铜线上电镀Sn和Sn Cu合金镀层。DL0 1、0 2的主要成分是无芳香族的希夫碱 ,DL0 3的主要成分是醇醛缩合物。结果表明 ,在含有DL0 1、0 2、0 3和 35g/LSnSO4 ,137g/LH2 SO4 的镀液中 ,在Jc=10～ 90A/dm2 ,v=16 0～ 314m/min时 ,所得镀层致密、柔软、光亮。在含CuSO4 ·5H2 O 0 .5 ,3.5g/L的硫酸镀槽中 ,在Jc=9,18A/dm2 ,v=16 0m/min时获得了致密、柔软、光亮的Sn (0 .3%～ 0 .6 % )Cu合金镀层。     

孤岛油田西区聚合物驱开发研究

孤岛油田西区注聚区1997年3月投入注聚后，高渗层得到有效封堵，吸水剖面得到明显改善。注聚期间，通过实施注聚区外围水井降水或停注、油井放大生产压差和调整注聚井注入速度等开发措施，扩大了聚合物波及体积，聚合物驱取得了明显效果。     

Incoloy 800H合金的应用和性能分析

通过对耐热耐蚀合金Incoloy 80 0H的性能分析 ,指出它与普通奥氏体不锈钢相比具有较优的抗氧化性能、耐蚀性和高温蠕变强度。针对催化裂化装置同轴式沉降再生器内部所用Incoloy 80 0H焊件易出现裂纹的问题进行分析 ,认为在施焊过程中由于合金凝固时有低熔点金属或化合物的液态膜残留在晶界区 ,该合金具有高的焊接热裂纹敏感性 ,若焊材选择不当 ,焊丝填充不充分、缺少保护气等将导致晶间裂纹产生。提出了该合金采用TIG焊接防止热裂纹产生的措施。     

NGO-Ⅲ催化剂的异构化性能评价

直馏汽油非临氢高效异构化使用最新一代NGO－Ⅲ型催化剂，生产的产品汽油辛烷值、产品收率及催化剂稳定性等全面超过现用的工业催化剂，达到目前国内同类产品的领先水平。     

吐丝圈径对大规格高碳盘条组织性能的影响

计算与分析了斯太尔摩冷线上盘条的吐丝圈径、搭接密度及"佳灵"装置横向布风曲线之间的关系,研究了吐丝圈径的大小对大规格82B盘条组织和性能的影响,确定了大规格82B盘条最小吐丝圈径应为980mm.     

新型高k栅介质材料研究进展

随着半导体技术的不断发展，MOSFET（metal-oxide-semiconductor field effect transistor）的特征尺寸不断缩小，栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著，将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料，能够在保持和增大栅极电容的同时，使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义；MOS栅介质的要求；主要新型高k栅介质材料的最新研究动态；展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题。