低压电容器装置运行与维护管理

阐述了低压电容器装置运行的布置、参数调节、投切方式、安装容量、额定电压的选择以及电容器装置运行对电网产生的影响;分析了低压电容器装置相移角、起动电流的选择,总结了维修故障分析、日常巡检及注意事项,以提高电网的功率因数,实现节约电能,改善电网的电能质量。     

新型高k栅介质材料研究进展

随着半导体技术的不断发展，MOSFET（metal-oxide-semiconductor field effect transistor）的特征尺寸不断缩小，栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著，将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料，能够在保持和增大栅极电容的同时，使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义；MOS栅介质的要求；主要新型高k栅介质材料的最新研究动态；展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题。     

种分Δαk与种分首槽αk的关系

针对烧结法和拜尔法种分槽的 Δαk 变化进行了概述 ,阐述了种分 Δαk 与种分首槽 αk 的关系。     

征稿启事

插值（Interpolation)，有时也称为“重置样本”，是在不生成像素的情况下增加图像像素大小的一种方法，在周围像素色彩的基础上用数学公式计算丢失像素的色彩。简单地说，插值是根据中心像素点的颜色参数模拟出周边像素值的方法，是数码相机特有的放大数码照片的软件手段。