CMOS图像传感器辐射敏感参数测试电路设计及试验验证

以航天领域广泛应用的CMV4000型CMOS图像传感器(CIS)为研究对象,通过开展CIS辐射敏感参数测试电路设计,将CIS辐照电路板与测试电路板中FPGA数据采集及传输板分离,辐照电路板与测试电路板通过接插口通信,从而实现开展辐照试验时对FPGA数据采集部分进行辐射屏蔽防护,避免FPGA数据采集板受到辐射影响。开展了CIS测试电路中的电源模块、数据采集、存储模块、外围电路等设计及PCB版图的布局布线设计。采用Verilog HDL硬件描述语言对各个功能模块进行驱动时序设计,实现CIS辐射敏感参数测试功能。通过开展CMV4000型CIS ⁶⁰Co γ射线辐照试验,分析了平均暗信号、暗信号非均匀性、暗信号分布等辐射敏感参数随总剂量增大的退化规律,验证了CIS辐射敏感参数测试系统的可靠性。     

OpenMP‐oriented applications for distributed shared memory architectures

The rapid rise of OpenMP as the preferred parallel programming paradigm for small‐to‐medium scale parallelism could slow unless OpenMP can show capabilities for becoming the model‐of‐choice for large scale high‐performance parallel computing in the coming decade. The main stumbling block for the adaptation of OpenMP to distributed shared memory (DSM) machines, which are based on architectures like cc‐NUMA, stems from the lack of capabilities for data placement among processors and threads for achieving data locality. The absence of such a mechanism causes remote memory accesses and inefficient cache memory use, both of which lead to poor performance. This paper presents a simple software programming approach called copy‐inside–copy‐back (CC) that exploits the data privatization mechanism of OpenMP for data placement and replacement. This technique enables one to distribute data manually without taking away control and flexibility from the programmer and is thus an alternative to the automat and implicit approaches. Moreover, the CC approach improves on the OpenMP‐SPMD style of programming that makes the development process of an OpenMP application more structured and simpler. The CC technique was tested and analyzed using the NAS Parallel Benchmarks on SGI Origin 2000 multiprocessor machines. This study shows that OpenMP improves performance of coarse‐grained parallelism, although a fast copy mechanism is essential. Copyright © 2004 John Wiley & Sons, Ltd.     

超导/磁阻式复合磁传感器高灵敏及三轴化研究

超导/磁阻式复合磁传感器利用超导磁放大器上千倍的磁场放大能力,可大幅提升磁阻式传感器灵敏度,有望实现fT级的磁场分辨力,满足水下目标探测、生物磁场检测等新型弱磁探测需求。经过几十年的研究,超导/磁阻式复合磁传感器相关工作取得了重要进展和系列成果。首先从复合磁传感器工作原理、高灵敏和三轴化研究现状等方面进行了系统的回顾和总结,其中超导磁放大器的放大倍数在实验上已经超过1 000,低温下(4.2 K)的热噪声仅为■,然后针对目前存在的问题对下一步研究工作进行了简要展望。论文相关工作对于提升超导/磁阻式复合传感器性能、促进其推广应用具有重要的借鉴和指导意义。     

混凝土导热系数与其饱和度及温度的关系

在已有混凝土导热系数影响因素研究成果的基础上,以普通混凝土、泡沫混凝土、植物纤维陶粒混凝土、棉花秸秆石膏混凝土四种不同混凝土为研究对象,采用QTM-500导热测试仪分别对四种混凝土不同饱和度时不同温度下(-30~20℃)的导热系数进行试验,并分析不同饱和度下各混凝土导热系数随温度(-30~20℃)的变化规律,最后采用压汞仪对四种混凝土的孔隙率、孔径分布等参数进行测试,从微观孔隙角度深入分析各混凝土导热系数随温度的变化规律。结果表明,各混凝土的导热系数与其饱和度呈显著的正相关性,干燥状态下,四种混凝土的导热系数随温度变化不显著;饱和状态下,各混凝土导热系数在一定温度范围内会发生突变,当超出温度敏感区域后,各混凝土的导热系数基本趋于稳定值;在试验温度范围内,混凝土导热系数变化规律与其孔隙参数有关。该研究结果可为寒冷地区大体积混凝土结构、建筑节能混凝土的导热系数试验及分析提供参考。     

溶剂型聚丙烯酸酯类压敏胶的研制

采用溶液聚合制备了溶剂型聚丙烯酸酯类压敏胶．讨论了改性单体的种类及用量、链转移剂的用量、引发剂的加入方式、聚合反应温度、胶液黏度和烘胶温度对压敏胶粘接性能的影响。实验表明,丙烯酸可以全面提高压敏胶的粘接性能,引发剂的加入方式能够有效调节聚合产物分子质量,链转移剂可以维持聚合反应的稳定性,适当的胶液黏度和烘胶温度将有利于提高压敏胶的粘接性能。     

LiZnVO_4液相掺杂对Zn_2SnO_4材料感湿特性的影响

采用共沉淀法制备出Zn2SnO4 LiZnVO4系纳米粉体,考察了液相掺杂时LiZnVO4添加量对材料显微结构、导电类型以及湿敏性能的影响。实验结果表明,适当的LiZnVO4添加量可明显改善纳米材料的感湿特性。采用共沉淀法制备纳米粉体并使LiZnVO4液相掺杂量为0.1mol的配比,可使Zn2SnO4材料具有低湿电阻小、灵敏度适中的湿敏特性。     

改进的局部保持典型相关分析的无线传感器网络节点定位方法

利用接收信号强度（RSSI）进行无线传感器网络（WSN）定位是一类低成本定位方法。局部保持典型相关分析定位（LE-LPCCA）算法能通过节点间RSSI数据的相似度信息近似拟合WSN结构,取得了较高定位精度。但该算法只使用节点间相似性信息未保留信号空间和物理空间的相关性信息,且求解未知节点坐标时使用粗糙的质心法。针对以上问题,提出改进的局部保持典型相关分析定位（LE-ILPCCA）算法,该算法在样本训练阶段用平衡参数将数据的相似性和相关性信息进行融合,求取RSSI内在低维坐标表示的投影变换;在定位阶段,求解已知节点位置坐标和RSSI内在低维坐标之间存在的线性转换关系,获得未知节点的坐标。实验结果表明,本文算法与LE-LPCCA和LE-CCA相比定位精度高、稳定性强。     

一种基于文档副本局部性的分布式检索算法研究

摘 要: 分布式信息检索是信息检索领域的重要研究内容。为了提高分布式信息检索的性能,提出了一种基于文档副本局部性的分布式检索方法。对于任一站点,如果将查询结果中的非本地文档建立本地副本,那么可以减少查询处理中站点之间的查询转发,从而相应的提高信息检索的性能。基于该思想,将分布式信息检索中的副本放置转化为查询的局部性问题,建立了相应的优化模型,并针对不同的副本放置模型提出了相应的副本选择及放置策略。最后通过模拟实验验证表明,本文提出的方法与相关方法相比较既提高了查询结果的准确性,又减小了查询的响应时间。     

WO3基臭氧敏感元件的研制

在三氧化钨粉体材料中加入金属氧化物,以恒温600℃烧结1小时制成傍热式厚膜O3气体敏感元件.采用静态电压测量法,研究了加入一定质量分数的Nb2O5、Fe2O3、Co3O4、TiO2、Sb2O3后元件的加热电压与电导率、元件灵敏度、60 s后回复几率的关系,讨论了掺杂成分和杂质的质量分数对材料的气敏性能和环境适应能力的影响.实验结果显示:2%TiO2- 3% Nb2O5-WO3元件能开发成理想的O3敏感元件.     

ITO薄膜的气敏特性􀀁

本文研究了胶体法制备的ＩＴＯ薄膜的气敏特性;并同时研究了各种掺杂杂质对ＩＴＯ薄膜的气敏特性的影响。通过实验发现ＩＴＯ薄膜对乙醇气体具有最高的灵敏度,对二氧化氮等也有较好的敏感特性。一般催化剂型掺杂物如贵金属等掺杂杂对提高ＩＴＯ薄膜的灵敏度没有多大帮助。ＩＴＯ薄膜与ＳｎＯ２薄膜相比具有更高的稳定性。ＩＴＯ薄膜的气敏特性既具有表面控制型的特征,又权有体效应气敏材料的敏感特性。