Memory capacity, selective control, and value-directed remembering in children with and without attention-deficit/hyperactivity disorder (ADHD).

Objective: The ability to select what is important to remember, to attend to this information, and to recall high-value items leads to the efficient use of memory. The present study examined how children with and without attention-deficit/hyperactivity disorder (ADHD) performed on an incentive-based selectivity task in which to-be-remembered items were worth different point values. Method: Participants were 6–9 year old children with ADHD (n = 57) and without ADHD (n = 59). Using a selectivity task, participants studied words paired with point values and were asked to maximize their score, which was the overall value of the items they recalled. This task allows for measures of memory capacity and the ability to selectively remember high-value items. Results: Although there were no significant between-groups differences in the number of words recalled (memory capacity), children with ADHD were less selective than children in the control group in terms of the value of the items they recalled (control of memory). All children recalled more high-value items than low-value items and showed some learning with task experience, but children with ADHD Combined type did not efficiently maximize memory performance (as measured by a selectivity index) relative to children with ADHD Inattentive type and healthy controls, who did not differ significantly from one another. Conclusions: Children with ADHD Combined type exhibit impairments in the strategic and efficient encoding and recall of high-value items. The findings have implications for theories of memory dysfunction in childhood ADHD and the key role of metacognition, cognitive control, and value-directed remembering when considering the strategic use of memory. (PsycINFO Database Record (c) 2010 APA, all rights reserved)     

HUMAN LIMITATIONS AND VEHICLE DESIGN∗

This paper contains a review of research on road vehicle design in relation to human physiological, anthropometric and psychological factors     

电网规划中常规中长期负荷预测方法的探讨

电力负荷的不断增长是电网发展的根据,正确地预测电力负荷,既是为了保证国民经济发展及人民生活对电力的需求,也是电网自身发展的需求。电力负荷预测工作是电网规划工作的重要组成部分,也是电网规划的基础工作。在掌握铜陵地区经济、电网历史实绩的前提下,探讨了在电网规划中运用中长期常规负荷预测的几种方法,得出铜陵地区中长期负荷预测结果,以便为铜陵地区电网发展提供与此相适应的负荷保证。     

基于周期波动及其影响分析的电力市场中长期电价预测

电力市场中的中长期电价受众多不确定因素影响,很难用传统的经验统计方法建模预测。现有的预测方法一般从系统模拟角度出发进行预测,需要较多的系统信息资料,难度很大。本文采用经验模式分解将电价分解成多个相对独立的分量,详细分析不同的因素对于这些分量的影响,从不同的时间尺度分析电价的影响因素。根据分量的特点有针对性地选择时间序列和支持向量机建模预测。实例研究表明该方法适合于分析和预测复杂的中长期电价。     

新型的形状记忆合金／硅薄膜微驱动器

介绍了一种用硅微加工技术制作的ＮｉＴｉ／Ｓｉ 薄膜结构的双向微驱动器。它利用ＮｉＴｉ 形状记忆合金薄膜（ＳＭＡ） 大的相变回复应力和Ｓｉ 衬底膜的反偏置力产生有一定位移量的双向运动。对ＮｉＴｉ 薄膜进行合理的图形化后使得驱动器位移量增大,双向效应显著,响应速度提高。同时图形化后的ＮｉＴｉ 膜也是加热电阻,使驱动结构简单,所需功率减少。驱动器实际驱动面积为３ ×３ｍ ｍ２ 厚度为２０μｍ 。可产生的最大位移为５０μｍ ,最高驱动频率可达１００Ｈｚ。驱动功率可减小到２００ｍ Ｗ。经过１０００ 万次振动后,驱动膜无开裂,性能正常。它已被成功的应用于压缩型微泵,该泵最大流量达３４０μＬ／ｍｉｎ 。     

基于异构数据的电力短期负荷大数据预测方案

随着多种可再生能源电力的接入,电力系统正在向更智能、更灵活、交互性更高的系统过渡。负荷预测,特别是针对单个电力客户的短期负荷预测在未来电网规划和运行中发挥着越来越重要的作用。提出了一个基于异构数据的电力短期负荷大数据预测方案,该方案收集来自智能电表和天气预报的数据,预处理后将其加载到非关系型数据库中进行存储并做进一步的异构数据处理;设计并实现了一个长短期记忆递归神经网络模型,用于确定负荷分布并预测未来24 h的住宅小区用电量;最后利用一个住宅小区的智能电表数据集对提出的短期负荷预测框架进行了测试,并使用均方根误差和平均绝对百分比误差两个指标,对比了预测模型与两种经典算法的性能,验证了所提模型的有效性。     

基于CAM的雷达信号实时预分选硬件实现

CAM(内容可寻址存储器)是一种快速匹配存储器件,在通信、雷达等许多领域有着广泛的应用。在介绍CAM基本原理的基础上,例举了一种基于CAM实现关联比较器的设计方法,通过仿真验证了设计的正确性,基本上实现了雷达信号的纯硬件快速预分选,达到了实时性和可靠性要求。     

光纤光栅生物传感器的研究进展综述

本文介绍了光纤光栅生物传感器的传感原理,从光纤光栅新型结构的研究、可固定光纤表面的生物活性膜的研究以及应用研究三个不同的角度阐述了近年来光纤光栅生物传感器研究的进展情况,并分析目前该领域内面临的一些问题,对光纤光栅生物传感器的研究方向提出了一些建议。     

基于周期压力写入的长周期光纤光栅的一阶光学微分器

根据一阶光学微分器的传递函数,理论分析了均匀 长周期光纤光栅(LPFG)作为一阶瞬态光学微分器应满足的条件。周期压力产生的LPFG能够通 过压力的控制加强光栅的模式耦合,因而得到大的光栅谐 振损耗,实验证明了周期压力在细径光纤上产生的LPFG能够产生大于50dB的谐振损耗。数值模拟结果表明,此光栅光 学微分器能够高精度地完成对高斯脉冲的微分运算,在超快全光信号处理、飞秒脉冲整形和 任意光脉冲产生等领域中有宽广的应用前景。     

替代衬底上的碲镉汞长波器件暗电流机理

基于暗电流模型,通过变温I-V分析长波器件(截止波长为9~10μm)的暗电流机理和主导机制.实验对比了不同衬底、不同成结方式、不同掺杂异质结构与暗电流成分的相关性.结果表明,对于B+离子注入的平面结汞空位n~+-on-p结构,替代衬底上的碲镉汞(HgCdTe)器件零偏阻抗(R0)在80 K以上与碲锌镉(CdZnTe)基碲镉汞器件结阻抗性能相当.但替代衬底上的HgCdTe因结区内较高的位错,使得从80 K开始缺陷辅助隧穿电流(I_(tat))超过产生复合电流(I_(g-r)),成为暗电流的主要成分.与平面n~+-on-p器件相比,采用原位掺杂组分异质结结构(DLHJ)的p~+-on-n台面器件,因吸收层为n型,少子迁移率较低,能够有效抑制器件的扩散电流.80 K下截止波长9.6μm,中心距30μm,替代衬底上的p~+-on-n台面器件品质参数(R0A)为38Ω·cm2,零偏阻抗较n-on-p结构的CdZnTe基碲镉汞器件高约15倍.但替代衬底上的p+-on-n台面器件仍受体内缺陷影响,在60 K以下较高的Itat成为暗电流主导成分,其R0A相比CdZnTe基n~+-on-p的HgCdTe差了一个数量级.