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电力市场中的中长期电价受众多不确定因素影响,很难用传统的经验统计方法建模预测。现有的预测方法一般从系统模拟角度出发进行预测,需要较多的系统信息资料,难度很大。本文采用经验模式分解将电价分解成多个相对独立的分量,详细分析不同的因素对于这些分量的影响,从不同的时间尺度分析电价的影响因素。根据分量的特点有针对性地选择时间序列和支持向量机建模预测。实例研究表明该方法适合于分析和预测复杂的中长期电价。 相似文献
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以灵武长枣为主要原料,低筋小麦粉、黄油、玉米油、白砂糖、泡打粉等为辅料,制作灵武长枣营养饼干,重点研究灵武长枣果粒的添加量(0、15、30、45、60、75 g)对饼干烘焙品质及相关物理特性的影响。实验结果表明:适量的添加灵武长枣粒,不仅可以改善饼干的感官品质,还可以改善饼干的质构、吸水率、色度。灵武长枣粒在低添加量时对饼干的感官品质具有改善作用,但当添加量超过45 g后,饼干的感官品质有所降低,灵武长枣粒的添加对饼干的硬度和咀嚼度有促进作用,弹性有下降的趋势,粘聚性和吸水率先升高后降低,对饼干的色度值影响较小。综合分析灵武长枣粒的添加量,以30~45g为宜。添加适量灵武长枣所制的饼干比一般饼干更酸甜可口,香气浓郁,口感酥脆,亮度适宜,色泽均匀,呈现棕黄色,相关物理特性均有所改善。 相似文献
43.
本文介绍了一种双色光柱等离子体显示板,阐述了彩色光柱板的基本工作结构和工作原理,对研制过程中解决的关键工艺技术问题进行了总结。 相似文献
44.
随着多种可再生能源电力的接入,电力系统正在向更智能、更灵活、交互性更高的系统过渡。负荷预测,特别是针对单个电力客户的短期负荷预测在未来电网规划和运行中发挥着越来越重要的作用。提出了一个基于异构数据的电力短期负荷大数据预测方案,该方案收集来自智能电表和天气预报的数据,预处理后将其加载到非关系型数据库中进行存储并做进一步的异构数据处理;设计并实现了一个长短期记忆递归神经网络模型,用于确定负荷分布并预测未来24 h的住宅小区用电量;最后利用一个住宅小区的智能电表数据集对提出的短期负荷预测框架进行了测试,并使用均方根误差和平均绝对百分比误差两个指标,对比了预测模型与两种经典算法的性能,验证了所提模型的有效性。 相似文献
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46.
47.
基于暗电流模型,通过变温I-V分析长波器件(截止波长为9~10μm)的暗电流机理和主导机制.实验对比了不同衬底、不同成结方式、不同掺杂异质结构与暗电流成分的相关性.结果表明,对于B+离子注入的平面结汞空位n~+-on-p结构,替代衬底上的碲镉汞(HgCdTe)器件零偏阻抗(R0)在80 K以上与碲锌镉(CdZnTe)基碲镉汞器件结阻抗性能相当.但替代衬底上的HgCdTe因结区内较高的位错,使得从80 K开始缺陷辅助隧穿电流(I_(tat))超过产生复合电流(I_(g-r)),成为暗电流的主要成分.与平面n~+-on-p器件相比,采用原位掺杂组分异质结结构(DLHJ)的p~+-on-n台面器件,因吸收层为n型,少子迁移率较低,能够有效抑制器件的扩散电流.80 K下截止波长9.6μm,中心距30μm,替代衬底上的p~+-on-n台面器件品质参数(R0A)为38Ω·cm2,零偏阻抗较n-on-p结构的CdZnTe基碲镉汞器件高约15倍.但替代衬底上的p+-on-n台面器件仍受体内缺陷影响,在60 K以下较高的Itat成为暗电流主导成分,其R0A相比CdZnTe基n~+-on-p的HgCdTe差了一个数量级. 相似文献
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脑电信号(electroencephalography,EEG)已成为医生诊断神经系统疾病最 广泛使用的工具,实现癫痫EEG的自动识别对 于癫痫患者的临床诊断和治疗具有重要意义。为了提高癫痫EEG的识别精度,提出了一 种基于多尺 度卷积特征融合的癫痫EEG自动识别模型。首先采用多尺度卷积特征融合方法提取多粒 度数据特征, 实现卷积神经网络(convolutional neural network,CNN)中不同层次的信息互补;然后经过长短期记忆网络(long short-term memory network,LSTM)提取时间 特征,利用 softmax分类器给出最终的识别结果。为了评估提出方法的识别性能,在波恩大学癫痫病研 究中心数据集 中进行实验,并与CNN-LSTM模型、单一的LSTM等模型的识别性能进行了比较,实验结果表 明,提出 方法的识别精度明显高于其余方法, 平均可达到99.19%。该模型能够 有效识别癫痫EEG类别,具有较高的识别性能和临床应用潜力。 相似文献
49.
发光体MAl2O4:Eu2+,RE3+的长余辉形成机理 总被引:7,自引:0,他引:7
提出了Eu^2 激活的MAl2O4:Eu^2 ,RE^3 (M=Ca,Sr,Ba;RE=Dy,Nd,Ho,Er,Pr,Tb等稀土元素)系列铝酸盐发光体的长余辉发光机理。认为O^2-空位Vo是一种电子俘获陷际,是形成余辉的根本原因,RE^3 的引入使陷阱深度适宜而使余辉时间延长。缺陷在晶格中成簇分布,Vo和碱土金属离子空位VM在高温下可相互缔合。利用电子陷阱模型解释了实验中的一些普遍现象并提出了固相反应法合成此类发光体的工艺改进措施。 相似文献
50.