全文获取类型
收费全文 | 58040篇 |
免费 | 6982篇 |
国内免费 | 3591篇 |
专业分类
电工技术 | 5848篇 |
技术理论 | 6篇 |
综合类 | 4619篇 |
化学工业 | 7758篇 |
金属工艺 | 2514篇 |
机械仪表 | 3013篇 |
建筑科学 | 4528篇 |
矿业工程 | 2000篇 |
能源动力 | 1952篇 |
轻工业 | 3342篇 |
水利工程 | 2010篇 |
石油天然气 | 4873篇 |
武器工业 | 458篇 |
无线电 | 9584篇 |
一般工业技术 | 5881篇 |
冶金工业 | 3254篇 |
原子能技术 | 903篇 |
自动化技术 | 6070篇 |
出版年
2024年 | 288篇 |
2023年 | 863篇 |
2022年 | 1607篇 |
2021年 | 1830篇 |
2020年 | 2122篇 |
2019年 | 1824篇 |
2018年 | 1730篇 |
2017年 | 2131篇 |
2016年 | 2419篇 |
2015年 | 2529篇 |
2014年 | 3947篇 |
2013年 | 3707篇 |
2012年 | 4597篇 |
2011年 | 4745篇 |
2010年 | 3415篇 |
2009年 | 3338篇 |
2008年 | 3098篇 |
2007年 | 3650篇 |
2006年 | 3431篇 |
2005年 | 2888篇 |
2004年 | 2373篇 |
2003年 | 2267篇 |
2002年 | 1792篇 |
2001年 | 1606篇 |
2000年 | 1347篇 |
1999年 | 1040篇 |
1998年 | 714篇 |
1997年 | 561篇 |
1996年 | 482篇 |
1995年 | 400篇 |
1994年 | 382篇 |
1993年 | 289篇 |
1992年 | 228篇 |
1991年 | 175篇 |
1990年 | 141篇 |
1989年 | 109篇 |
1988年 | 78篇 |
1987年 | 43篇 |
1986年 | 55篇 |
1985年 | 63篇 |
1984年 | 67篇 |
1983年 | 39篇 |
1982年 | 29篇 |
1981年 | 12篇 |
1980年 | 19篇 |
1979年 | 12篇 |
1976年 | 9篇 |
1966年 | 11篇 |
1964年 | 23篇 |
1962年 | 8篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
101.
O. Gravrand E. De Borniol S. Bisotto L. Mollard G. Destefanis 《Journal of Electronic Materials》2007,36(8):981-987
This paper aims at studying the feasibility of very long infrared wavelength (VLWIR) (12–18 μm) focal plane arrays using n-on-p planar ion-implanted technology. To explore and analyze the feasibility of such VLWIR detectors, a set of four Cd
x
Hg1−x
Te LPE layers with an 18 μ cutoff at 50 K has been processed at Defir (LETI/LIR–Sofradir joint laboratory), using both our “standard” n-on-p process and our improved low dark current process. Several 320 × 256 arrays, 30-μm pitch, have been hybridized on standard Sofradir readout circuits and tested. Small dimension test arrays characterization
is also presented. Measured photonic currents with a 20°C black body suggest an internal quantum efficiency above 50%. Typical
I(V) curves and thermal evolution of the saturation current are discussed, showing that standard photodiodes remain diffusion
limited at low biases for temperatures down to 30 K. Moreover, the dark current gain brought by the improved process is clearly
visible for temperatures higher than 40 K. Noise measurements are also discussed showing that a very large majority of detectors
appeared background limited under usual illumination and biases. In our opinion, such results demonstrate the feasibility
of high-performance complex focal plane arrays in the VLWIR range at medium term. 相似文献
102.
103.
104.
简要介绍了国内地化录井技术的发展历程,分析了该技术的特点及在油气勘探开发应用中取得的成效。认为中国地化录井技术在引进、消化、吸收的基础上,扩展了该技术的应用领域和范围,目前该专业的整体技术水平处于国际领先地位。在以统计资料及应用实例报道该技术的应用成果及独特技术优势的同时,也分析了存在的问题,指出了解决问题的主要途径。 相似文献
105.
低渗透油田合理注采井距的确定--以纯41块沙4段低渗透油田为例 总被引:3,自引:1,他引:2
以纯41块沙4段低渗透油田为例,从低渗透油田渗流机理出发,分析了造成低渗透油田开发效果差的主要原因。在计算注水井最大井底流压、油井最小井底流压、油水井之间可建立的最大注采压差的基础上,结合室内试验确定的最小启动压力梯度公式计算油田技术极限注采井距,并结合经济合理井距计算结果,确定了油田合理注采井距,并提出了下二步调整方案,实施后取得了显著的效果。该方法为低渗透油田合理井距的确定、提高低渗透油田的开发效果提供了理论依据。 相似文献
106.
107.
M型四能级原子与三模场相互作用系统的动力学特性 总被引:2,自引:2,他引:0
采用全量子理论,研究了M型四能级原子与三模场相互作用系统的动力学特性,通过数值计算,分析了光场失谐量、初始光子数和原子初始状态对原子布居概率和光子统计演化规律的影响. 相似文献
108.
109.
苏里格低渗强非均质性气田开发技术对策探讨 总被引:29,自引:2,他引:27
鄂尔多斯盆地苏里格气田储集层具有低渗、强非均质性、中强压敏的特点,气井产能低,稳产期短。根据单井模拟及生产动态分析,气井低产量生产可以降低压敏效应的影响,加强气井低产量生产阶段的管理,有利于合理利用地层能量,提高井控外围低渗区储量动用程度;分层压裂、多层合采可以在纵向上充分动用气井控制储量,增加气井最终累计产气量和稳产时间;地质研究与地震相结合,是提高储集层预测精度和钻井成功率的技术关键;降低成本,争取优惠政策也是提高经济效益的有效途径。 相似文献
110.
H.J. Bolink E. Coronado D. Repetto M. Sessolo E.M. Barea J. Bisquert G. Garcia‐Belmonte J. Prochazka L. Kavan 《Advanced functional materials》2008,18(1):145-150
A new type of bottom‐emission electroluminescent device is described in which a metal oxide is used as the electron‐injecting contact. The preparation of such a device is simple. It consists of the deposition of a thin layer of a metal oxide on top of an indium tin oxide covered glass substrate, followed by the solution processing of the light‐emitting layer and subsequently the deposition of a high‐workfunction (air‐stable) metal anode. This architecture allows for a low‐cost electroluminescent device because no rigorous encapsulation is required. Electroluminescence with a high brightness reaching 5700 cd m–2 is observed at voltages as low as 8 V, demonstrating the potential of this new approach to organic light‐emitting diode (OLED) devices. Unfortunately the device efficiency is rather low because of the high current density flowing through the device. We show that the device only operates after the insertion of an additional hole‐injection layer in between the light‐emitting polymer (LEP) and the metal anode. A simple model that explains the experimental results and provides avenues for further optimization of these devices is described. It is based on the idea that the barrier for electron injection is lowered by the formation of a space–charge field over the metal‐oxide–LEP interface due to the build up of holes in the LEP layer close to this interface. 相似文献