2×8低噪声InGaAs/InP APD读出电路设计

对In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管(APD)探测器进行了特性分析.以大阵列研究为基础,结合器件特性设计了一个2×8低噪声读出电路(ROIC),电路主要由电容反馈互阻放大器(CTIA)和相关双采样(CDS)电路单元构成,并对读出电路的时序、积分电容等进行了设计.电路采用0.6 μm CMOS工艺流片,芯片面积为2 mm×2 mm,电荷存储能力为5×107个,功耗小,噪声低,设计达到预期要求.     

一款低噪声低频频谱搬移电路的设计

地球物理探测领域中的频率域电磁法仪器,需要对低频微弱信号进行检测,有时受某些条件的制约,很难采用增大人工场源的方法来增大信噪比(S/N),因而采用常规的滤波放大方法难于提纯有用信号。本文设计了一款低频低噪声频谱搬移电路,电路由低噪声前置放大器(LNA)、基准信号源(Fre)f、开关式相敏检波器(PSD)及固定频率的窄带通滤波器组成,经组装、调试与测试,折合到输入端短路时的噪声电压为,由于Fref设置范围为1~9999Hz,步进为1Hz,通过改变Fref的频率就可实现对不同频率的微弱信号的检测。     

Design of a 40-GHz LNA in 0.13-μm SiGe BiCMOS

A low-noise amplifier (LNA) operated at 40 GHz is designed. An improved cascode configuration is proposed and the design of matching networks is presented. Short-circuited coplanar waveguides (CPWs) were used as inductors to achieve a high Q-factor. The circuit was fabricated in a 0.13-μm SiGe BiCMOS technology with a transistor transit frequency fT of 103 GHz. The chip area is 0.21 mm2. The LNA has one cascode stage with a-3 dB bandwidth from 34 to 44 GHz. At 40 GHz, the measured gain is 8.6 dB; the input return loss, S11, is-16.2 dB; and the simulated noise figure is 5 dB. The circuit draws a current of only 3 mA from a 2.5 V supply.     

Signal-Processing Electronics for a Capacitive Micro-Sensor

An interface circuit in a 0.8-m CMOS process for the on-chip integration of a capacitive micro-sensor used as a microphone is presented. In order to circumvent 1/f noise contributions and to improve the signal/noise ratio, a synchronous modulation-demodulation technique has been applied. For the implementation of this technique, we have studied and designed several functional block, such as modulator with signal conversion, low-noise amplifier, demodulator, etc. To deal with problems related to dispersions of intrinsic capacitance of the sensor, a feedback compensating solution is suggested. The designed circuit has a sensibility of 1200 V/pF, with a minimum detectable capacitance variation of 2 10^-6 pF.1 – 43 bd du 11 Novembre 1918|–     

功放动态供电技术在TD-SCDMA手机中的应用

针对TD—SCDMA手机功放在实际使用中的平均增加效率（PAE）低的特点,提出了一种适合手机设计并能提高功放增加效率的低噪高效的动态功放电源供应技术,给出了具体的硬件实现,并以试验的方法对功放的性能提高进行了定量分析,充分证明采用高效低噪的动态功放电源供应技术可以很大程度提高功放的增加效率,从而延长了电池使用寿命。     

低噪声屏蔽电机的电磁设计

以37 kW两极屏蔽电机为例,给出了低噪声屏蔽电机的电磁设计参数,并对该电机的起动性能进行了仿真计算.将计算结果与路算法进行对比验证后,发现两者基本吻合.然后当对电机采用场-路耦合有限元法进行电磁力计算和对定子铁心进行模态分析时,确认定子铁心固有频率和电机运行频率及主要电磁力波频率三者没有重合点,即不存在共振的激励点,...     

一个具有40dB增益、4.5dB噪声系数的应用于6-7GHz IR-UWB接收机的0.13μm CMOS射频前端设计

本文中使用0.13μm CMOS工艺实现了一款应用于脉冲式超宽带无线电的接收机射频前端电路。由于使用了欠采样的接收机架构,接收机中不再具有混频过程。因此,低噪声放大器和可变增益放大器均需要直接处理宽带射频信号。为了优化噪声和线性度,低噪声放大器使用了具有电容交叉耦合的全差分共栅结构,在1.2V电源下仅消耗了1.8mA电流。低噪声放大器之后,一个具有两级结构的电流引导型可变增益放大器被用来实现增益调节功能。同时,低噪声放大器和两级可变增益放大器共同构成了一个三级参差峰化网络,以提高接收机的总体带宽。测试结果表明,该射频前端模块在6-7GHz带宽内实现了5-40dB的增益调节范围,最小噪声系数和最大输入三阶交调分别达到了4.5dB和-11dBm。电路总体功耗为14mW,使用1.2V电源电压,核心部分芯片面积为0.58mm2.     

CMOS 1.4THzΩ 155Mb/s光接收机差分跨阻前置放大器

采用本土CSMC0.6μm标准CMOS技术设计实现了一种用于光纤用户网的CMOS跨阻前置放大器.电路采用差分结构以提高共模抑制比,减小高频下电源波动和寄生反馈通路的干扰,抑制衬底耦合噪声和温漂,从而有效抑制前置放大器的噪声.同时前置放大器为双端输出,易与后面差分结构的主放大器级联,无需单端-双端转换电路和片外元件,电路结构更为简单,实现了单片集成.电路采用单级放大结构,比通常的多级电路更为稳定.测试结果表明,前置放大器在5V电源电压下增益-带宽积可达1.4THzΩ,等效输入电流噪声为1.81pA/Hz,可稳定工作在155Mb/s(STM-1)的速率上     

一种单光子探测器前置超宽带低噪声放大器的设计

为了进一步提高单光子探测器的性能,设计并研制了利用高电子迁移率晶体管基于混合集成负反馈结构的低成本、超宽带、低噪声前置放大器,并利用ADS软件对该放大器进行了优化和仿真。该放大器工作频段5MHz～6GHz,功率增益19.5±0.61dB,噪声系数小于2.6dB,输入电压驻波比和输出电压驻波比均小于1.8,仿真和实验结果表明该放大器可以将雪崩光电二极管上产生的亚纳秒级雪崩信号幅度放大10倍,满足单光子探测器日益提高的探测频率需求。     

短距离LED可见光音频传输系统设计

基于白光LED照明和通信双重作用,构建了一种短距离白光LED可见光音频传输系统。从短距离、低功率系统考虑,分析可见光传输模型和影响因素,设计可行的可见光发射端和接收端。采用AGC电路和限幅放大电路提高系统的动态范围,保证语音信息输出稳定;采用阵列接收方式扩大接收角,提高系统灵敏度。为了实现系统噪声匹配,设计了低噪声高增益前置放大器。测试结果表明,系统实现了可见光短距离音频信息的无失真传输,验证了系统的可行性。