3GHz～5GHz CMOS超宽带低噪声放大器设计

提出了一个低噪声、高线性的超宽带低噪声放大器(UWB LNA).电路由窄带PCSNIM LNA拓扑结构和并联低Q负载结构组成,采用TSMC 0.18 μm RFCMOS工艺,并在其输入输出端引入了高阶带通滤波器.仿真结果表明,在1.8V直流电压下LNA的功耗约为10.6 mW.在3 GHz～5 GHz 的超宽带频段内,...     

基于低噪声运放的传感器前置放大器设计

随着低噪声运放技术的发展，基于低噪声运放的传感器前置放大器将得到越来越广泛的应用。与分立元件的传感器前置放大器设计相比，基于低噪声运放的传感器前置放大器设计面临一些新的挑战。探讨了基于低噪声运放的传感器前置放大器设计中的若干技术问题，包括低噪声运放的选择、同相放大与反相放大的选择、负反馈对噪声性能的影响、噪声匹配、外围电阻选择及合理布局布线。     

Design and analysis of a UWB low-noise amplifier in the 0.18μm CMOS process

An ultra-wideband （3.1-10.6 GHz） low-noise amplifier using the 0.18μm CMOS process is presented. It employs a wideband filter for impedance matching. The current-reused technique is adopted to lower the power consumption. The noise contributions of the second-order and third-order Chebyshev fliers for input matching are analyzed and compared in detail. The measured power gain is 12.4-14.5 dB within the bandwidth. NF ranged from 4.2 to 5.4 dB in 3.1-10.6 GHz. Good input matching is achieved over the entire bandwidth. The test chip consumes 9 mW （without output buffer for measurement） with a 1.8 V power supply and occupies 0.88 mm^2.     

900MHz 低噪声功率放大器的仿真设计

低噪声放大器的特点是噪声系数小而输出功率较小,功率放大器的特点是输出功率较大而噪声系数较大。为了实现噪声系数小而输出功率较大的放大器,本文结合低噪放和功率放大器的设计方法,设计了一种用于谐波雷达发射机的低噪声功率放大器,该放大器由两级放大器组成,前级主要实现低噪声功能,后级主要实现功率增益。通过优化仿真设计,该放大器达到了比较理想的结果,具有良好的线性度和二次谐波抑制能力。     

一种新型低噪声掺Er光纤放大器的研究

提出了一种新型的低噪声掺Er光纤放大器(EDFA)。将光波长交错器的输入端口与普通EDFA的输出端相连接,用于降低噪声,信号光由光波长交错器的偶信道端口输出。利用光波长交错器的梳状反射特性,抑制EDFA的放大自发辐射(ASE),改善EDFA的噪声特性,使其具有低噪声的特点。采用4m长的掺Er光纤(EDF)作为增益介质,小信号功率为-26dBm时,在1530～1560nm带宽范围内,测得低噪声EDFA的噪声系数低于3.83dB,仅比噪声系数的量子极限3dB大0.83dB。     

A Wide-Band Low Noise Amplifier for Terrestrial and Cable Receptions

提出并设计了一种用于数字电视接收调谐芯片的宽带低噪声放大器.该设计采用0.35μm SiGe BiCMOS工艺,器件的主要性能为:增益等于18.8dB,增益平坦度小于1.4dB,噪声系数小于5dB,1dB压缩点为-2dBm,输入三阶交调为8dBm.在5V供电的情况下,直流功耗为120mW.     

低噪声CMOS电荷敏放大器设计与研制

提出了一种新的低噪声低功耗电荷敏感放大器设计方案。用EDA软件Cadence进行模拟,得到了满意的仿真结果:直流开环增益为82.9 dB,f-3dB为28 kHz,相位裕度为46.9°,低频下输出噪声频谱密度为1.5μV/Hz2。采用标准的3 mm P阱CMOS工艺进行了流片,测试结果与模拟情况相近。     

Broadband microwave and optoelectronic devices design by the real frequency technique

This paper presents microwave and optoelectronic devices designed by the real frequency method. These devices are broadband multistage amplifiers, low noise amplifiers, active filters, ultra-broadband amplifiers with resistive matching networks, active one-ports for differential structures, laser command circuits, and transimpedance amplifiers. The advantages of the real frequency method are as follows. First, the mathematical formalism is simple and presents no approximations in the various stages of the procedure design. Second, especially for matching networks that constitute distributed elements, this method gives, after the optimization process, several syntheses. Indeed, for a given number of transmission lines and stubs, the synthesis procedure gives all the possible combinations, with their associated different characteristic impedances. So, according to the chosen technology (microstrip or uniplanar, for example), the feasibility of the different characteristic impedances will be taken into account to chose the best synthesis. © 1998 John Wiley & Sons, Inc. Int J RF and Microwave CAE 8: 142–155, 1998.     

寒区低噪声路面的研究

低噪声路面可以降低由于车辆行驶带来的噪声,以及雨天行驶车轮碾压积水产生的噪声.在参考国内外成功经验的基础上,提出适用于北方寒冷地区低噪声路面的配合比方案,对其路用性能进行试验,结果表明:此低噪声路面具有良好的降噪性、透水性、耐久性等特点.     

辽河盆地二次地震采集技术与效果

辽河盆地由于其特殊的地震地质条件,以往采集的深层地震资料主频多在20～25Hz左右,以往的地震资料已变成辽河探区勘探工作的“瓶颈”,制约了油田的进一步勘探和开发。为了满足精细构造解释与油藏描述对地震资料的需求,辽河油田在大民屯地区开展了一系列的采集方法攻关,形成了一套完整的精细三维地震采集技术方法,在二次地震采集中取得了较好的应用效果。