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In this paper, we give a causal solution to the problem of spline interpolation using H∞ optimal approximation. Generally speaking, spline interpolation requires filtering the whole sampled data, the past and the future, to reconstruct the inter-sample values. This leads to non-causality of the filter, and this becomes a critical issue for real-time applications.Our objective here is to derive a causal system which approximates spline interpolation by H∞ optimization for the filter. The advantage of H∞ optimization is that it can address uncertainty in the input signals to be interpolated in design, and hence the optimized system has robustness property against signal uncertainty.We give a closed-form solution to the H∞ optimization in the case of the cubic splines. For higher-order splines, the optimal filter can be effectively solved by a numerical computation. We also show that the optimal FIR (finite impulse response) filter can be designed by an LMI (linear matrix inequality), which can also be effectively solved numerically. A design example is presented to illustrate the result. 相似文献
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Subir Parui Luca Pietrobon David Ciudad Saül Vélez Xiangnan Sun Fèlix Casanova Pablo Stoliar Luis E. Hueso 《Advanced functional materials》2015,25(20):2972-2979
The formation of an energy‐barrier at a metal/molecular semiconductor junction is a universal phenomenon which limits the performance of many molecular semiconductor‐based electronic devices, from field‐effect transistors to light‐emitting diodes. In general, a specific metal/molecular semiconductor combination of materials leads to a fixed energy‐barrier. However, in this work, a graphene/C60 vertical field‐effect transistor is presented in which control of the interfacial energy‐barrier is demonstrated, such that the junction switches from a highly rectifying diode at negative gate voltages to a highly conductive nonrectifying behavior at positive gate voltages and at room temperature. From the experimental data, an energy‐barrier modulation of up to 660 meV, a transconductance of up to five orders of magnitude, and a gate‐modulated photocurrent are extracted. The ability to tune the graphene/molecular semiconductor energy‐barrier provides a promising route toward novel, high performance molecular devices. 相似文献
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高峰值功率自准直脉冲Nd:YAG激光加工无锥度直孔研究 总被引:1,自引:1,他引:1
利用改进的脉冲Nd:YAG激光器,对激光冲击打孔加工无锥度直孔进行了实验研究。在优化激光脉冲峰值功率和脉冲能量、辅助气压参数的基础上,通过比较实验证明,能量递增组合脉冲是实现无锥度直孔加工的有效方式,增加脉冲组合中脉冲的个数可加工出负锥度的孔;激光焦点位置是影响孔锥度的重要因素,焦点位于材料表面上方1.1~1.7 mm有利于减小锥度。在厚度为1.5,3.0 mm的镍基高温合金材料上,获得孔径分别为480,510μm的直孔,重复打孔孔径误差约30μm,孔锥度<1%。给出了可实用于激光冲击打孔的直孔加工方法和脉冲激光器,并可用于其他材料的加工。 相似文献
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