在线自适应选择子空间的红外目标跟踪方法

传统基于子空间的目标跟踪方法以能量大小为准则建立子空间,没有考虑目标与背景之间的鉴别性,当两者间存在近似外观分布时将降低跟踪系统的性能。考虑到红外图像信噪比、对比度不高等特点,提出了一种以评估目标与背景间可区分能力为基础的子空间选择方法,并将该方法有效嵌入到粒子滤波跟踪框架下实现对红外目标的鲁棒跟踪。首先利用采样粒子分布以及当前目标状态,综合衡量粒子与目标间的特征分布差异和粒子逼近目标的程度来评估不同子空间的鉴别性,然后选择鉴别性最优的子空间作为下帧的跟踪子空间,从而实现对红外目标进行子空间自适应选择的鲁棒跟踪。对多个复杂场景下的目标跟踪实验表明所提出的算法要优于传统基于增量子空间学习的跟踪算法。     

基于多分辨分析的红外/被动毫米波图像主成分融合

红外/毫米波(IR/MMW)复合制导是当前发展多模复合制导技术的热点方向。针对红外探测系统在低能见度条件下穿透能力有限,而被动毫米波探测虽然穿透能力较强、但图像分辨率不高的问题,为了更好地进行红外与被动毫米波图像融合,使得复合探测器能够全天候工作,提出一种新的基于多分辨分析的主成分融合方法(M-P)。利用多分辨分析可以按图像的分辨率空间很好地处理信息的优势,M-P融合方法首先对红外与被动毫米波探测的坦克群图像进行分解去噪;对重构后图像分别进行主成分变换;用高分辨率图像的第1主分量代替低分辨率图像的第1主分量;最后做逆主分量变换来得到最终的融合图像。实验仿真结果表明,与PCA方法比较,新方法融合得到的图像能更好地区分坦克群目标和地物背景。     

红外靶标的研制及应用

提出了一种采用定量的红外源来代替实际红外目标的测量红外告警设备性能参数的一种试验方法．研制一种探照灯式定量红外靶标,论述了该靶标的原理、结构、标定、应用和计算方法．在实际应用中,采用该靶标测得了点源型红外侦察告警设备的作用距离、探测灵敏度等性能参数和现场测量大气透过率．该靶标也可作为模拟红外移动目标使用．     

自适应电子镇流器控制器IR2520原理及应用

IR2520是自适应镇流器控制器与600V半桥驱动器单片IC ,可用来驱动半桥配置中的荧光灯。文中介绍了IR2520的主要特点和基本原理 ,给出了它的典型应用电路。     

提高硫化铅红外探测器的探测率和可靠性的有效途径

本文通过对不同结构的硫化铅红外探测器的剖析和性能优劣对比,说明了新型场镜—硫化铅组合结构是提高硫化铅红外探测器的探测率和可靠性的有效途径。     

半导体致冷器与探测器杜瓦瓶钎焊的实验研究

本文论述了四级微型半导体致冷器与红外探测器金属杜瓦瓶的钎焊方法。实验证明:预先在致冷器底面和杜瓦瓶底座挂上钎料,采用钎剂和保护气体加热钎焊,可降低加热温度,提高钎焊质量;采用快速冷却可大大减小由于长时间热滞所导致致冷器性能的下降,从而为半导体致冷的红外探测器提供了最佳的组装方法和实验参考。     

红外加热技术在荧光灯生产（排气工艺）中的应用

荧光灯组装工艺流程中,存在着一系列影响灯管质量问题的因素,如材料质量、零件化学处理、热加工工艺、真空卫生条件等,这些因素的影响最终将在排气工序中反映出来。排气工序中的温度和时间两大要素,是制灯行业感到难以掌握的技术问题。目前制灯行业的加热装置中所采用的气体火焰加热和电阻丝直接加热,都存在着烘箱温度不易控制达到所需工艺温度和上下温差悬殊等弊病。本文提出将远红外加热技术应用到排气烘箱加热装置中,从实践中证实了其可行性,并收到了明显的经济效益和社会效益。     

红外警戒系统目标识别方法的研究

讨论了红外警戒系统目标识别的方法。由于目标和背景杂波在特征上既有区别又有相似之处，采用单一的识别手段无法达到满意的性能，只有在空间、时间和光谱域内采用多种手段，才能逐渐排除杂波，获取真正的威胁目标。     

红外背景中点与近点源目标探测的卷积减法滤波算法

远距离下点与近点源红外目标的有效探测与捕获，很大程度上依赖于对背景杂波的抑制，诸多滤波技术已经提出。本文在简述了主要滤波技术的特点后，提出一种新的卷积减法滤波算法（ＣｏｎｖｏｌｕｔｉｏｎＳｕｂｔｒａｃｔｉｏｎＦｉｌｔｅｒｉｎｇ），数理模型分析与计算机模拟的结果说明：这是一种易于硬件实现，能有效抑制背景杂波的线性技术。     

Spectroscopic ellipsometry for monitoring and control of molecular beam epitaxially grown HgCdTe heterostructures

A systematic study of the effect of measurement perturbation on in situ monitoring of the composition of molecular beam epitaxially (MBE) grown Hg_1−xCd_xTe using spectroscopic ellipsometry was carried out. Of the five variables investigated, which included angle of incidence, wavelength of the light beam, modulator rotation, analyzer rotation, and modulator amplitude, the angle of incidence and the modulator rotation had the strongest effect on the in situ Hg_1−xCd_xTe composition monitoring process. A wobble-free sample manipulator was installed to reduce the impact of these two variables. With these improvements, the spectroscopic ellipsometer is now routinely used to monitor Hg _1−xCd_xTe compositions during MBE growth of heterostructures and is a useful tool in diagnosing growth-related problems. Examples are included for both application areas, that include the control of the interface between Hg_1−xCd_xTe layers of different compositions, i.e. device engineering.