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91.
The preparation of poly-(3-methylthiophene)—multi-walled carbon nanotubes hybrid composite electrodes is reported. The hybrid electrode shows a synergic effect of the electrocatalytic properties, and high active surface area of both the conducting polymer and carbon nanotubes, which gives rise to a remarkable improvement of oxidation of NADH with respect to polymer-modified electrodes, and CNTs-modified electrodes. SEM showed that carbon nanotubes served as nanosized backbone for P3MT electropolymerization. The amperometric NADH detection at +300 mV provided fast responses, a range of linearity between 5.0 × 10−7 and 2.0 × 10−5 mol l−1, and a detection limit of 1.7 × 10−7 mol l−1, which compares advantageously with those reported for other NADH CNT-based amperometric sensors. Furthermore, the direct electrochemistry of cytochrome c and FAD at the hybrid electrode is also checked. 相似文献
92.
Deyang Qu 《Electrochimica acta》2003,48(12):1675-1684
The proton diffusion coefficient in γ-MnO2 at various stages of discharge of an electrolytic manganese dioxide electrode has been determined taking into consideration the true molar volume and the electrochemically accessible surface area of MnO2. The unique electrochemical cell which allows the electrode expansion during the discharge to be monitored in situ was reported. The a.c. impedance technique and the transmission line equivalent circuit were used. Electrode ohmic resistance, Faradaic resistance, and double-layer capacitance were also obtained by means of numerical fitting of the impedance data using the transmission line model. 相似文献
93.
94.
提出了一种配网单相接地在线故障定位的新方法。故障发生后从变电站母线在线向系统注入高频脉冲信号并获取线路上与注入信号相对应的反射行波,在电网结构已知的情况下,通过对反射波的分析进行故障定位。该方法不仅能检测故障点的电气距离,而且能确定故障所在的分支线路,还能通过调节注入信号的大小多次定位故障,提高定位的准确性。应用该方法进行故障定位不受接地电阻的限制。通过M atlab/S imu-link进行了建模与仿真分析,仿真结果验证了该方法的正确性。 相似文献
95.
96.
Y. Gomeniuk A. Nazarov Ya. Vovk Yi Lu O. Buiu S. Hall J.K. Efavi M.C. Lemme 《Materials Science in Semiconductor Processing》2006,9(6):980
Metal-oxide-semiconductor capacitors based on HfO2 gate stack with different metal and metal compound gates (Al, TiN, NiSi and NiAlN) are compared to study the effect of the gate electrode material on the trap density at the insulator–semiconductor interface.C–V and G–ω measurements were made in the frequency range from 1 kHz to 1 MHz in the temperature range 180–300 K. From the maximum of the plot G/ω vs. ln(ω) the density of interface states was calculated, and from its position on the frequency axis the trap cross-section was found. Reducing temperature makes it possible to decrease leakage current through the dielectric and to investigate the states located closer to the band edge.The structures under study were shown to contain significant interface trap densities located near the valence band edge (around 2×1011 cm−2eV−1 for Al and up to (3.5–5.5)×1012 cm−2 eV−1 for other gate materials). The peak in the surface state distribution is situated at 0.18 eV above the valence band edge for Al electrode. The capture cross-section is 5.8×10−17 cm2 at 200 K for Al–HfO2–Si structure. 相似文献
97.
98.
NAT—PT是实现IPv4和IPv6网络相互相通信的一个重要方法,而应用层网关可以帮助各种应用层协议穿越NAT—PT。本文介绍了一个在EZchip NP—1c网络处理器上,带有应用层网关支持的NATPT网关的设计与实现。 相似文献
99.
100.
用均匀设计方法研究药皮辅料与稳弧性的关系 总被引:1,自引:0,他引:1
运用均匀设计方法,研究了交流电弧稳定性与焊条药皮辅料之间的关系,建立了二者之间的数学模型.方差分析表明,回归方程呈高度显著,并给出了三种辅料交互作用对稳弧性影响规律曲线,用以预测电弧稳定性或控制药皮辅料的配比,也可以直观地分析焊条药皮辅料的作用. 相似文献