TOP开关电源的设计与制作

利用TOP开关器件设计了一种高精度，输出电压可调的开关电源，并介绍了制作方法。     

36 m 高砖砌水塔定向折叠爆破拆除

介绍了复杂环境中砖砌高大水塔的定向折叠爆破拆除.根据周围的环境情况,在施工中采用了开定向窗、挖定位坑等技术措施,确保爆破成功,达到了设计效果.     

水文自动测报系统防雷的探讨

水文自动测报系统若配备有线／无线（GSM，GPRS）双通道，可提高系统的可靠性，保证系统的畅通。然而，有线组网方式最致命弱点是防雷能力差，针对防雷问题，在实践中探讨其有效途径，论述接地装置的设计、安装中应注意的几个问题，并介绍在实践中电话线防雷从一级防护发展到三级防护，提高防雷的效果，有待在实践中，再认识，再提高。     

微密封真空微电子二极管

本文介绍了一种微密封真空微电子二极管的工艺及实验结果。     

高性能IGBT模块的设计考虑

本文对ＩＧＢＴ模块中功率芯片（ＩＧＢＴ和续流二极管）的优化设计进行了讨论。通过优化几个重要的工艺参数并改进器件的结构，ＩＧＢＴ不仅有足够的短路容量，而且正向压降与电流下降时间之间可实现最佳折衷。另外，续流二极管的反向恢复特性也有明显改善。通过采用衬底控制技术，ＩＧＢＴ模块的输出特性不受温度的影响，输出电流更稳，输出阻抗更高。本文详细介绍了整个设计考虑。     

论GPS星座组成及若干抗AS方案

本文首先讨论GPS星座组成及美国的用政策，阐述了AS措施及其对GPS测量的影响。然后，对抗AS的若干方案进行介绍，分别对平方法、互相关法、码相关干法及P－W技术（Ashtech法）进行叙述和评论，指出它们的优缺点，评述它们在GPS技术发展过程所起的作用。最后，对GPS星座建成后的形势作了小结，并对当前我国GPS事业的有关问题提出四点建议。     

使用一个双通道器件的声光相关器及其设计方法

介绍了一种仅使用一个双反向通道式声光器件的声光相关器，从正常布喇格衍射和反常布喇格衍射两方面，讨论了这种器件的设计方法。     

NGN问题及其发展策略考虑

本文在分析讨论NGN的背景，目前存在的争议基础上，结合中国国情，重点对NGN框架目标进行了展望并提出了发展策略考虑。     

基于RF401集成电路芯片住宅小区无线呼叫报警系统的设计

住宅小区无线呼叫报警系统使用了最新推出的单片无线收发 RF4 0 1芯片 ,通过单片机控制高频发射、高频接收 ,使住宅小区形成了无线报警网络 .呼叫报警系统具有数据双向传输、频率稳定、接收发射合一的特点     

Application of SiC-Si functionally gradient material to thermoelectric energy conversion device

Because of its high–temperature chemical stability, SiC ceramic is a promising material for high-temperature device applications such as thermoelectric energy converters. However, the electrical conductivity of SiC ceramic is too low for it to be used as a thermoelectric energy converter at the cold junction. Therefore, we propose a SiC-Si functionally gradient material (FGM) in order to improve the electrical conductivity of the SiC ceramic at the cold junction. An SiC rod was fired in a temperature gradient furnace. One end of the SiC rod was maintained at 2473 K and the other end was maintained at 1973 K for 30 min. After firing, the porous SiC edge fired at 1973 K was dipped into molten Si in order to infiltrate molten Si into the porous SiC. The microstructure of the FGM is classified into three regions: the SiC-Si composite material; the porous SiC ceramic; and the densified SiC ceramic. The electrical conductivity, the Seebeck coefficient and the thermal conductivity for each region of SiC-Si FGM was measured at 300 K; a figure of merit was calculated. The figure of merit of the SiC-Si FGM at the cold junction, at room temperature, was 10⁸ times higher than that of a nongradient SiC ceramic.