一种接触质量高和兼容特性好的金属-量子点-金属结构的自对准制备方法

我们报道了一种“金属-量子点-金属”结构的自对准制备方法。该方法主要包括“电子束曝光-薄膜淀积-刻蚀”工艺,具有套刻容限大、开发周期短以及可兼容多种材料等优点,尤其适用于具有类似结构的纳米器件制备。该方法中使用的牺牲层工艺和强化版图,降低了剥离工艺的难度,提升了可制备器件结构的力学强度。最后,作为应用实例,我们用该方法制备了尺寸为 255 nm × 45 nm × 30 nm（ 长 × 宽 × 高)的相变节点。     

理想国三个地产商的离开或重返

当年去海南淘金的年轻人,经过20余年的商场征战和大浪淘沙,有的早已沉寂,只有少数幸运儿成长为如今的大腕.张宝全和冯仑是幸运儿中的两个代表,如今他们重返海南;而谢强则在离开海南后,由报人转战地产界,如今也早成大腕,只是他再没把事业转回过海南.     

冷凝法油气回收装置的优化运行

针对冷凝法油气回收装置在运行过程中的高能耗问题,利用理论分析的方法,采用流程模拟软件HYSYS对系统回收流程进行了模拟,分析了各种工况下的能耗和回收率状况.通过对比分析,得到了冷凝法油气回收系统的最佳运行工况:预冷阶段冷凝压力800 kPa、冷凝温度4 ℃,中冷阶段冷凝压力2 600 kPa、冷凝温度-35 ℃.最佳运行工况下可以回收90%以上的非甲烷类油气.     

低影响开发措施综合布设条件下区域径流削减效果

低影响开发(LID)措施可有效缓解城市暴雨径流对地区的影响,但不同的LID措施综合布设时可能会相互影响。为研究不同子汇水区域内布设的LID措施之间的相互影响,选取张家港市老城区为例,以构建SWMM模型为研究手段,选取透水路面、雨水桶、下凹式绿地3种LID措施,对研究区域进行概化。分析了在遭遇2、5、10、20年一遇暴雨重现期情况下单独布设1种LID措施和LID综合布设情况下径流的变化情况。结果表明,这3种LID措施对径流系数的削减效果透水路面最好,雨水桶和下凹式绿地效果相当,而当不同方案组合布设时,它们之间相互影响,对径流的削减效果不是简单的叠加关系。     

住宅小区景观水体水质保持技术

本文对目前住宅小区内的景观水体存在的问题和原因作了简单的分析,综述近年来景观水体比较典型的污染控制技术及其机理。景观水体水质保持技术在工程实施中需要根据实际情况对其进行选择、优化、组合,才能获得满意的处理效果。     

环境友好型金属缓蚀剂的研究进展

本文综述了金属缓蚀剂的研究进展,特别是近年来发展迅速,受到研究者广泛重视的环境友好型金属缓蚀剂。重点介绍了几种常用的绿色金属缓蚀剂及其缓蚀机理的研究成果,并对环境友好型金属缓蚀剂的发展进行了展望。     

住宅小区景观水体水质保持技术

对目前住宅小区内的景观水体存在的问题和原因作了简单的分析,综述近年来景观水体比较典型的污染控制技术及其机理。景观水体水质保持技术在工程实施中需要根据实际情况对其进行选择、优化、组合,才能获得满意的处理效果。     

聚天冬氨酸对A3钢的缓蚀作用机理研究

文章采用失重法研究了表面活性剂聚天冬氨酸对A3钢酸溶液中的缓蚀作用,详细考察了缓蚀剂质量浓度和温度对缓蚀性能的影响。结果表明：聚天冬氨酸对A3钢在0.5 mol/LH2SO4溶液中具有良好的缓蚀作用,缓蚀率随缓蚀剂质量浓度的增加而增大,但随温度和盐酸浓度的增加而减小。通过Langmuir和Van＇t Hoff公式分别求出了相应的热力学参数,并根据这些参数讨论了聚天冬氨酸的缓蚀行为。     

电压-电流法测定电线电缆绝缘电阻的不确定度评定

通过对绝缘电阻测定值的分析和研究,我们可以及时发现电线电缆生产制造过程中存在的问题以及缺陷,可以更好的保证绝缘材料的质量和安全。对于电压-电流法测定电线电缆绝缘电阻的不确定度评定进行分析具有很好的借鉴意义。     

Investigation and solution of low yield problem for phase change memory with lateral fully-confined structure

This paper mainly focuses on solving the low yield problem for lateral phase change random access memory with a fully confined phase change material node. Improper over-etching and bad step-coverage of physical vapor deposition were the main reasons for the poor contact quality, which leads to the low yield problem. Process improvement was carried out to better control over-etching within 10 nm. Atomic layer deposition process was used to replace physical vapor deposition to guarantee good step coverage. Contrasting cross-sectional photos taken by scanning electron microscopy showed great improvement in contact quality. The atom layer deposition process was demonstrated to have good prospects in nano-contact for phase change memory application.