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加强部队装备保障训练是新形势下提高部队保障能力的基本途径。近几年.随着我军武器装备的不断发展和新的训练大纲的颁布实施,认真研究部队装备保障训练的特点、要求与体系,对于提高装备保障训练质量,促进装备保障能力的提高,具有重要的意义。 相似文献
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采用氧化亚铜(Cu_2O)陶瓷靶,利用射频磁控溅射沉积法在氮气和氩气的混合气氛下制备了N掺杂Cu_2O(Cu_2O∶N)薄膜,并在N_2气氛下对薄膜进行了快速热退火处理,研究了N_2流量和退火温度对Cu_2O∶N薄膜的生长行为、物相结构、表面形貌及光电性能的影响。结果显示,在衬底温度300℃、N_2流量12sccm条件下生长的薄膜为纯相Cu_2O薄膜;在N_2气氛下对预沉积薄膜进行快速热退火处理不影响薄膜的物相结构,薄膜的结晶质量随退火温度(450℃)的升高而显著改善;快速热退火处理能改善薄膜的结晶质量和缺陷,降低光生载流子的散射,增强载流子的传输,预沉积Cu_2O∶N薄膜经400℃退火处理后展示出较好的电性能,薄膜的霍尔迁移率(μ)为27.8cm~2·V~(-1)·s~(-1)、电阻率(ρ)为2.47×10~3Ω·cm。研究表明低温溅射沉积和快速热退火处理能有效改善Cu_2O∶N薄膜的光电性能。 相似文献
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基于FPGA的ZBT SRAM接口控制器的设计 总被引:4,自引:0,他引:4
Zero Bus Turnaround(ZBT)SRAM是一种高速存储器,根据其操作接口的时序要求,本文介绍了一种基于Altera Stratix和Stratix GX FPGA的ZBTSRAM接口控制器,在文中详细介绍了ZBT SRAM的接口时序和fTPGA接口控制器的结构以及对ZBT SRAM的读写操作过程。 相似文献
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An over-modulation based vector control strategy for interior permanent magnet synchronous machine (IPMSM) is proposed and investigated. The strategy increases the reference flux weakening voltage to improve efficiency in flux weakening region of IPMSM with the same dynamic torque response performance in standard SVM technique. The relationship between dynamic torque performance and the reference flux weakening voltage is also discussed. In order to achieve fast and smooth shift process, the torque response must be less than 20.ms in the parallel hybrid electric vehicle (HEV), according to this, modeling and experimental studies were carried out. The results show that the proposed strategy can achieve the same dynamic and steady state torque performance with higher reference flux weakening voltage, which means higher efficiency. 相似文献
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PFC变换器是一个典型的非线性系统,宽范围交流输入电压和大幅度负载变化会对系统的鲁棒性造成严重影响。为了提高系统的鲁棒性和动态响应能力,对单相图腾柱PFC变换器自适应滑模控制方法进行了研究,分析了图腾柱PFC变换器的数学模型,基于数学模型和滑模控制理论设计了多个滑模面进行控制,同时为了充分发挥电流内环滑模控制的性能,设计了基于观测器的自适应电压环前馈控制来加速电压环的响应速度,并进行了仿真验证。最后搭建试验平台对比了传统双环PI补偿器和所提PFC自适应滑模控制的性能,验证了所提方法的有效性。 相似文献
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退火Cu2O薄膜的结构及光学特性 总被引:1,自引:1,他引:1
采用射频(RF)磁控溅射单质金属铜(Cu)靶, 在O2和Ar的混合气氛下制备了Cu2O薄 膜,并在N2气氛下对预沉积的Cu2O薄膜进行快速光热退火(RTA)处理,研究了 衬底温度及退火温度对Cu2O 薄膜的生长行为、物相结构、表面形貌及光学性能的影响。结果表明,衬底温度在300℃以 下预沉积的Cu2O薄膜 为非晶薄膜,退火处理对Cu2O薄膜的结晶行为有明显影响,在N2气氛下对Cu2O薄膜进 行退火处理不影响薄膜的物 相结构;预沉积和退火Cu2O薄膜在650nm以下波长范围内均有较强 吸收,吸收强度随退火温度的增加而增强,薄 膜在400nm以下波长范围内出现两个由缺陷引起的中间带(IB)吸收行 为,快速热退火处理不能减少或消除薄膜沉积 过程中形成的缺陷态;退火处理影响薄膜的光学带隙Eg,预沉 积薄膜经600℃退火处理,Eg值增大了 0.26eV。 相似文献
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