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本文介绍由DLTS法检测离子注入GaAs MESFET结构中深能级陷阱的结果,并且从实验上观测了这些陷阱能级与器件某些特性的直接联系. 相似文献
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本文叙述了用Si~+注入GaAs形成低噪声MESFET有源层的初步实验结果.获得了峰值载流子浓度为1~2×10(17)cm~(-3)、在交界面处迁移率≥3000cm~2/V·s的有源层,制出了在2GHz下NF为0.9dB、G_a为14.5dB的双栅FET和9.5GHz下NF为2.0dB、G_a为9.5dB的单栅FET.实验结果表明,采用Si~+注入沟道的器件达到了汽相外延器件的最佳性能,某些参数超过了汽相外延器件. 相似文献
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本文报导了用质子注入GaAs形成高阻隔离层的实验研究及其在微波半导体器件方面的应用.并对其隔离机理和隔离层的热稳定性问题作了讨论,指出质子注入GaAs制作隔离层是一项可靠的技术. 相似文献
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1活动挡风墙的开发背景
篦冷机挡风墙设在窑炉用风与窑头废气的分隔点,即我们常说的零压面。老式篦冷机挡风墙处于一段末尾属于高温区与中温区的分界线,理论上来说此前的风都应该以二、三次风的方式进入窑炉系统,煤磨取风源在二段和三段(这二段属于续冷却,是异常情况下的冷却补充,风量较小)。实际运行中,窑炉与窑头排风机抢风严重,易导致二、三次风及废气温度的不稳定,煤磨取风温度高,由此导致炉温不稳定,炉内燃烧状况差,致使入窑生料分解率波动;窑内热工紊乱,出窑物料结粒不均匀,大块料、细料多;而出窑物料的波动又反过来影响二、三次风温,形成恶性循环。 相似文献
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安丘山水水泥有限公司5 000t/d生产线系我集团技术中心独立设计,于2009年初达标达产。该生产线生料粉磨系统是我集团首次引进国产立磨(MLS4531A生料磨)。由于前期经验不足,配套辅机设备选型也存在不合理性,试运转期间生料粉磨及废气处理系统一直不正常,收集生料的旋风除尘器下的锁风下料设备经常跳停,导致生料供应不足,影响了窑的稳定运行及提产。公司及技术中心人员经过分析后决定对该锁风下料设备进行改造,改造后效果明显,达到了预期的目的。 相似文献
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报道光控平面GaAs-PIN二极管的实验结果。采用V形浅槽的全离子注入工艺,研制了GaAs-PIN二极管。器件击穿电压高达80V,最小电容0.2pF。光控I-V曲线类似晶体管特性,光控电流能力为300μA/mW。装成移相器电路,测得在L波段的光控相移20°~26°。 相似文献
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