封装与测试——解决功率电子器件的热问题

纽约州立大学Buffalo分校电子封装实验室正在为美国海军开发新型的功率电子封装，在一些极端苛刻的工作条件下（比如在军舰和战机上）．它们能够解决大电流密度、高温和大的温度梯度所引起的种种问题。这类功率电子封装还有可能很快进入民用产品。     

电沉积过程电流密度的在线测量

一前言在电沉积过程中,电流密度的大小是影响镀层质量的主要因素之一,而目前在实际生产中主要的还是在经验的基础上来进行估算,精度差。此外,有时尽管有一个具有最佳性能的配方,由于电沉积生产周而复始的进行,各种因素的影响,镀液中各种成分都将发生变化,同时还有电网电压波动,温度的变化,都将使得电沉积过程中的电流密度发生改变。如何及时发现这种改变,并采取措施进行调整,使其复原,这是实现电镀过程控制和调节的主要     

离子膜法烧碱生产中影响槽电压的几大因素

根据实际情况，较详细地论述了离子膜法烧碱生产中影响槽电压的几个因素之间的关系。并进一步阐述了如何处理操作电流－槽电压（电力消耗）－设备投资三者的关系。     

阳极中添加剂对临界电流密度的影响

本文测定了石黑阳极掺杂碳酸锂、碳酸钠、硼酸、三氟化铝后的临界电流密度，结果表明：碳酸锂、碳酸钠使石墨阳极的临界电流密度增大，硼酸、三氟化铝则使碳阳极的临界电流密度减小，并讨论了有关机理问题，为掺杂阳极的工业应用提供了理论依据。     

电磁炉用IGBT管结构与检测

绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor)简称IGBT,是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。目前有用不同材料及工艺制作的IGBT管,但它们均可被看作是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶体     

MSA体系中电流密度与镀液温度对镀锡层组织结构的影响

针对电镀工艺参数对电镀锡层性能的影响进行试验,采取电流效率、扫描电镜（SEM）、XRD等方法研究了电镀工艺参数中的电流密度与镀液温度对一种以间苯二甲醛为光亮剂的甲磺酸镀锡液的镀层影响,为寻找甲磺酸体系镀锡液的最佳电镀参数提供实验依据。结果表明,电镀液的电流效率随电流密度的增加而先增后减,镀层都以（220）晶面为最强峰;该体系可适应较宽的温度窗口而保持高电流效率,温度过高后,镀层形貌会发生显著改变。     

共振隧穿二极管电流密度-电压曲线数值计算中积分方法的改进

提出了一种基于黄金分割法和二分法寻查思想的一维积分来实现二维积分的方法,此方法能迅速而精确地计算ＲＴＤ电流密度－电压曲线适用于ＲＴＤ及其电路的计算机辅助设计。     

一种带P型埋层的4H-SiC PiN二极管

碳化硅(SiC)PiN二极管是应用在高压大功率整流领域中的一种重要的功率二极管。受SiC外延材料的载流子寿命限制以及常规SiC PiN二极管较低的阳极注入效率的影响,SiC PiN二极管的正向导通性能较差,这极大限制了其在高压大电流领域的应用。文章提出了一种带P型埋层的4H-SiC PiN二极管,较常规SiC PiN二极管增强了阳极区的少子注入效率,降低了器件的导通电阻,增大了正向电流。仿真结果表明,当正向偏压为5 V时,引入P型埋层的SiC PiN二极管的正向电流密度比常规SiC PiN二极管提升了52.8%。