VO2/GaAs异质结的制备及其光电特性研究

采用直流磁控溅射和后退火氧化工艺在p型GaAs单晶衬底上成功制备了n-VO_2/pGaAs异质结,研究了不同退火温度和退火时间对VO_2/GaAs异质结性能的影响,并分析其结晶取向、化学组分、膜层质量以及光电特性。结果表明,在退火时间2 h和退火温度693 K下能得到相变性能最佳的VO_2薄膜,相变前后电阻变化约2个数量级。VO_2/GaAs异质结在308 K、318 K和328 K温度下具有较好的整流特性,对应温度下的阈值跳变电压分别为6.9 V、6.6 V和6.2 V,该结果为基于VO_2相变特性的异质结光电器件的设计与应用提供了可行性。     

合成丁苯嵌段共聚物的影响因素

采用负离子溶液聚合方法制备了丁苯嵌段共聚物，研究了引发剂、活化剂、偶合剂、终止剂对聚合产物性能的影响。     

美国对其核导弹数据再次采取保密措施

【法新社华盛顿2006年8月21日电】《华盛顿邮报》在8月21日的报道中称,美国布什政府开始对与美国冷战期间的战略核武器数量的有关情报重新制定密级,尽管这些情报曾经提供给前苏联。《华盛顿邮报》援引用美国国家安全档案(NSA)的一份新的报告称,五角大楼和能源部(DOE)正在对“民兵”、“泰坦-II”以及其他导弹的有关数据再次进行保密处理,隐去之前曾出现在公开文件中的有关数据。《华盛顿邮报》称,该报告完全是由于布什政府对政府保密的喜好,这使情报研究人员们陷入麻烦,同时产生了是否有必要对一些看起来无关紧要的数据保密的争论。五角…     

多循环、可预置、互锁功能译码器设计

本设计具有成本较低、功能可靠、抗干扰性强，并具有循环计数、重复预置及互锁功能。当给出4位编码指令后，经译码电路产生16个控制命令。     

多丝正比室中电子的最大漂移时间

多丝正比室中电子的最大漂移时间是逃逸门电路中的一个重要参数。这个参数的选择将影响逃逸门工作方式的多丝正比室的整体性能。通过实验测量得到了多丝正比室中电子的最大漂移时间的实际值和最大漂移时间随多丝正比室工作状态的变化，测量结果在实际中得到应用。     

摄影艺术表现的情感升华--摄影作品《金土地》赏析

摄影艺术是一种视觉艺术,要用眼睛去感知,从而引起人们复杂的心理活动和情感变化;要在两度空间的平面上利用线条、光线、色彩、构图等基本造型手段,进行三度空间的造型表现,去描绘各种人物以及社会或自然环境可视的艺术形象.     

高层住宅消火栓系统电气设计

论述了高层住宅消火栓系统电气设计所要遵循的主要原则，介绍了消火栓系统的几种接线形式。