基于分子束外延的6 in短波硅基碲镉汞材料的表面缺陷研究

由于大规模碲镉汞红外焦平面探测器对大尺寸硅基碲镉汞材料的需求日益增长,针对基于分子束外延(Molecular Beam Epitaxy, MBE)的6 in短波硅基碲镉汞材料的表面宏观缺陷密度进行研究。使用扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscopy, SEM)对材料表面缺陷进行分析,确定了缺陷种类及产生原因。通过对外延温区均匀性、束流均匀性和源炉稳定性进行改进,提高了材料的组分均匀性;通过材料表面缺陷控制及材料工艺参数优化,改进了基于分子束外延的6 in短波硅基碲镉汞材料制备技术,批量产出高均匀性和低表面缺陷密度的高质量6 in短波硅基碲镉汞材料。结果表明,材料中心处与边缘处的组分差距小于等于3.0%,表面宏观缺陷(大于2 μm)密度小于等于70 cm^-2。     

大学生抗逆力影响因素分析及提升策略

文章对从学校、家庭、社会、自身方面对影响大学生抗逆力的因素进行研究分析,结果表明,学校教师和辅导员等对大学生的肯定,大学生良好的家庭条件及家庭沟通,同学的支持和帮助认可,自身良好的状态有利于提升大学生的抗逆力,据此文章提出开发个体自身能力、家庭情感支持、朋辈鼓励帮助、学校心理健康培训等提升大学生抗逆力的策略。     

基于高低温循环退火方法的硅基碲镉汞位错抑制研究

高低温循环退火是降低碲镉汞(HgCdTe)材料位错密度的有效策略之一,被广泛用于提升HgCdTe质量。使用离位的高低温循环退火工艺对硅基HgCdTe材料进行热处理,并通过设计正交试验研究退火条件对HgCdTe材料的影响。在温度区间250～450 ℃、升温时间5 min、循环12次的条件下获得最佳退火效果。采用统计位错密度的方法对比退火前后HgCdTe材料的位错变化。与未退火的HgCdTe相比,退火后的HgCdTe位错密度降低了80%左右,为1×10⁶～2×10⁶ cm^-2。X射线摇摆曲线测试结果表明,退火后硅基HgCdTe的半峰宽可降至75～80 arcsec。本研究综合提升了硅基HgCdTe的质量,为焦平面器件的研发提供了高质量的材料基础。     

碲镉汞雪崩光电探测器的发展与展望

通过对现有的几类主流碲镉汞(HgCdTe)雪崩光电二极管(Avalanche Photodiode, APD)器件进行梳理,简要总结了目前国际上主流的APD器件发展路线,并分析了包括 PIN、高密度垂直集成光电二极管(High-Density Vertically Integrated Photodiode, HDVIP)和吸收-倍增分离(Separated Absorption and Multiplication, SAM)型器件在内的主要APD器件的结构与性能特点。通过对比不同技术路线的器件优化思路和性能特点,对相关器件的持续发展进行了展望。目前SAM型器件是主流APD器件中暗电流抑制和高温工作性能最好的结构,能够实现高增益条件下的高灵敏度探测。这也为相关器件工艺的发展开辟了新方向。