GaAs和（Cs，O）／GaAs热处理工艺的XPS研究

用X射线光电子能谱(XPS)研究了GaAs(100)面基片的化学清洗、热净化、(Cs，O)激活后加热的处理效果。GaAs的氧化过程是：首先，As氧化为低价态，然后Ga被氧化，再就是As氧化为高价。确保样品从刻蚀清洗到超高真空环境中，表面Ga没有被氧化，就可在较低的温度热净化，获得As稳定的且原子级清洁的GaAs表面。净化后GaAs表面Ga含量越高，则(Cs，O)激活后形成氧化物越多，从而形成了界面势垒，使电子逸出概率降低。     

（Cs,O）／GaAs热退火的变角XPS定量研究

用变角X射线光电子能谱(XPS)技术分析了GaAs光阴极的表面及其在热退火后的效应,首次定量地计算了(Cs,O)/GaAs系统的表面(Cs,O)层和界面(Ga,As)弛豫层的厚度和组分.(Cs,O)/GaAs系统在625～650℃的热退火后,(Ga,As)驰豫层厚度减薄,Ga,As的原子浓度增大;且消除了O与As的化学连接.     

光阴极材料GaAs／AlGaAs的组分分析

为探索砷化我阴极的光电灵敏度的影响因素,利用Ｘ射线光电子能谱、二次离子擀谱和电化学方法测试和分析了国内和国外ＧａＡｓ光阴极材料ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ的Ｃ,Ｏ含量的空穴深度分布。实验发现,国内的材料在ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ 面及ＡｌＧａＡｓ层的Ｏ含量分别为７．６％和１０．６％,Ｃ深度分别为５．２×１０＾１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ＾３和１．０×１０＾１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ＾３,而国外的材料的Ｏ含量相应为１．０     

用变角XPS定量分析研究GaAs光电阴极激活工艺

用变角X射线光电子能谱 (XPS)技术分析了GaAs光电阴极的激活工艺 ,定量计算了阴极表面激活层和界面氧化层的厚度和组成。界面氧化物是由于O原子穿过激活层 ,扩散到GaAs与 (Cs,O)激活层的界面上而形成的。导入过量O会增加O GaAs界面层的厚度 ,而对 (Cs,O)激活层厚度影响较小。在激活过程中 ,严格控制和减少每次导入的O量是减少界面氧化层厚度 ,提高灵敏度的重要途径。在第一步激活后的阴极样品 ,通过较低温度的加热和再激活 ,能获得比第一步高出 30 %的光电灵敏度的原因是较低温度加热减少了界面氧化层的厚度和界面势垒     

氮化钛膜AES叠峰的因子分析法分析

因子分析法是利用各种谱峰的峰形进行成分定量分析的方法,广泛应用于多种成分的混合物、化合物的谱峰分析。通过对因子分析法(FA)的数学过程及其物理意义的进一步分析,对应用 FA 对氮化钛的俄歇电子谱(AES)叠峰进行谱蜂分解和定量计算进行了研究。由于缺乏纯 N 谱峰,采用化合物(Si_3N_4、BN)中的 N 谱和纯 Ti 谱作为 TiN_x 谱中 N 和 Ti 的标准谱峰。为解决化学效应影响定量计算的问题,提出了两次迭代的分析方法。这种分析是以线性分析为基础的非线性的处理过程。应用 FA 法的两次迭代分析获得了较好的 N/Ti 原子比,分解了Ti 和 N 的叠峰,分解的峰形叠加得到的峰形与原峰形拟合的很好。     

变截面桩承载特性及施工关键技术探讨

变截面桩是在等截面桩的基础上改进而来的新桩型,但其受力变形相对复杂、施工影响因素较多。为进一步促进变截面桩在实际工程中的应用,对变截面桩承载特性和施工关键因素进行分析发现：变截面段是变截面桩承受横向和竖向荷载的主要部分,且存在最佳长度比例,超过此比例后,承载能力提升不明显;护筒直径、埋深,钻孔设备及方法,护壁泥浆等是影响变截面桩成桩的关键因素。     

半导体桥电流电压特性理论仿真研究

通过试验获得了充电电容对半导体桥(SCB)放电过程中SCB两端的电压以及流过SCB的电流,利用分段计算电阻值变化方法,得到了SCB的温度与电阻的关系,然后运用该关系模拟了SCB的电压——时间和电流——时间的关系曲线。该模拟方法主要从SCB电爆特性的物理意义出发,无需大量的数学束缚条件,且得到的模拟数值与试验结果基本一致。     

类金刚石碳膜的红外特性研究

用射频等离子体方法分解甲烷，在Ge片上制备了类金刚石碳（DLC）膜。该膜折射率在2左右，具有较好的增透作用。双面镀DLC膜系统的红外透射比，随膜厚不同，其极大值在3．8～10．6μm范围内，在10．6μm处红外透射比达94．5％、镀制在直径为100mmGe基片上的DLC／Ge／DLC膜系、在10．6μm处，膜片中心的红外透射比为93．9％，距中心不同距离的5个点的红外透射比为91．1％，该膜系具有非常好的均匀性和红外增透性。通过计算获得了DLC膜的光学吸收系数曲线，该膜在3．8μm附近吸收系数为10cm-1；在10．6μm处吸收系数为600cm-1，并对该吸收曲线进行了讨论。     

用变角XPS定量分析研究GaAs光电阴极激活工艺

用变角X射线光电子能谱（XPS）技术分析了GaAs光电阴极的激活工艺，定量计算了阴极表面激活层和界面氧化层的厚度和组成。界面氧化物是由于O原子的穿过激活导，扩散到GaAs与（Cs，O）激活层的界面上而形成的，导入过量O会增加O－GaAs界面层的厚度，而对（Cs,O）激活层厚度影响较小，在激活过程中，严格控制和减少每次导入的O量是减少界面氧化层厚度，提高灵敏度的重要途径，在第一步激活后的阴极样品，通过较低温度的加热和再激活，能获得比第一步高出30％的光电灵敏度的原因是较低温度加热减少了界面氧化层的厚度和界面势垒。     

Si片上PbTiO3薄膜的XPS研究

用溶胶－凝胶方法在Ｓｉ上成功地制备了钙钛矿型的ＰｂＴｉＯ３薄膜。Ｘ射线衍射结果显示,在热处理温度为７５０￣９００℃范围内,随温度升高,薄膜由多晶转变为定向结晶。Ｘ射线光电子能谱分析发现,薄膜表面存在ＳｉＯ２薄层,其厚度大约为０．６ｎｍ,该薄层是在制膜过程中衬底Ｓｉ通过ＰｂＴｉＯ３薄膜扩散到表面与大气中的Ｏ２反应而形成的。在７５０℃热处理的薄膜,膜层中不含ＳｉＯ２,但温度升高,膜层中存在ＳｉＯ２成分