并联型有源电力滤波器的SVPWM控制技术研究

针对有源滤波器常规滞环、三角载波控制时,开关频率波动大,响应慢的缺点,引入了空间电压矢量算法。在K步时,假定K+1步,APF的补偿电流完全跟踪上了谐波指令电流,再根据APF离散的数学模型及空间电压矢量调制模块,确定第K+1步的开关管驱动信号,以达到快速补偿谐波电流的目的。仿真实验表明,基于SVPWM控制的有源滤波器具有开关频率固定,动态响应快,补偿精度高的优点。     

保健型南瓜牛肉酱生产工艺研究

酱制品作为一种调味品在我国有着久远的历史,凝聚着民族文化魅力,有着极强的市场潜力.在借鉴风味酱制作工艺的基础上,结合现代食品的加工工艺,以牛肉和南瓜为主要原料,并对南瓜、辣椒、淀粉、面粉的添加量对酱体质量、风味的影响进行探讨,最后根据实验结果确定出相应的生产工艺及工艺参数.     

高分子网络凝胶法制备纳米ZnO的结构性能研究

采用高分子网络凝胶法制备了ZnO粉末样品。通过X射线衍射、扫描电镜等测试方法研究了样品的物相组成、微观形貌。X射线衍射测试结果显示,样品的衍射峰尖锐,各特征峰显示完整,与标准PDF卡片比对,证实粉末样品的物相为ZnO。使用Scherrer公式计算得到的晶粒度大小约为31.28nm,晶格常数分别为3.247和5.208。使用扫描电镜观测不同放大倍数下的样品形貌,发现晶粒外观形貌显现完整,晶粒尺寸大小与XRD测试结果相吻合。结果表明,实验成功制备了高质量的ZnO纳米多晶粉体,可以用于后续实验。     

B15-8.83/4.12型汽轮机胀差的控制

主要介绍了B15-8.83/4.12型汽轮机的运行情况,以及运行过程中产生胀差的原因、分析及控制措施。     

锅炉低温过热器管排焊接

论述了300MW火力发电机组锅炉低温过热器管排的安装焊接工艺.     

DAP-4/MW复合物的原位包覆制备及其热分解性能和感度性能研究

摘要：针对DAP-4摩擦感度较高的特点,采用非水溶剂的原位包覆方法,以微晶蜡(microcrystalline wax,MW)为包覆层,制备DAP-4/MW复合物。对DAP-4包覆前后的形貌和结构进行表征,分析DAP-4/MW复合物的热分解行为,并对其感度性能进行测试。结果表明：MW可很好地包覆在DAP-4表面;MW的原位包覆使DAP-4的初始热分解温度提前,当MW含量从1%增加到5%时,DAP-4在不同升温速率下的分解温度均呈现下降趋势,活化能(nergy of activation,Ea)呈先降低后增加趋势,少量加入MW可降低DAP-4的Ea;当MW原位包覆含量为5%时,样品DAP-4/MW 5%的摩擦感度(20%)和撞击感度(0)较DAP-4的摩感(100%)撞感(15%)显著降低,微晶蜡的原位包覆可有效提升DAP-4的安全性。     

三路集成的智能复合开关设计

研制了一种新型三路复合开关。将晶闸管和磁保持继电器并接,利用STC12C5410芯片控制复合开关在零电压投入、零电流关断。该复合开关解决了电网中因电容组的投切造成的电流冲击与电压振荡问题,在降低装置成本和体积的同时,提高了可靠性。     

基于ISPRA-Fe实验的SuperMC3.2屏蔽深穿透验证

为验证中子输运设计与安全评价软件系统SuperMC(超级蒙卡)在计算裂变堆屏蔽深穿透问题时的准确性和可靠性,采用OECD/NEA和RSICC联合发布的国际屏蔽积分实验数据库(SINBAD)中的ISPRA-Fe基准例题进行了测试验证。通过对屏蔽分析中关注的中子通量密度和反应率的计算,SuperMC所有物理量的计算结果与MCNP参考值的相对偏差均小于3σ,且与实验结果整体上吻合较好。同时,针对厚屏蔽区域的~(32)S(n,p)~(32)P反应率计算难以收敛的问题,采用了全局权窗生成器GWWG生成权窗进行计算,FOM因子提高了4 431倍,证明了SuperMC处理深穿透问题的正确性和高效性。     

第三代半导体SiC芯片关键装备现状及发展趋势

第三代半导体材料SiC具备熔点高、硬度大、稳定性好等特点,其制备工艺需要开发一些独特的工艺装备,主要涉及SiC单晶生长、衬底制备、外延生长和离子注入机及高温氧化炉等芯片制程关键装备。根据Si C技术及产业的发展特点,分析了当前SiC工艺设备特点及应用现状,展望了设备的未来发展趋势。     

SiC高温快速退火加热系统设计与研究

SiC芯片注入激活设备具有高温特点,传统的加热方式通常采用感应式和电阻式加热,采用电阻加热方式具有温度精度高、能耗小等优势。根据SiC高温快速退火设备的特点,深入结合工艺需求,通过采用正向设计手段,对功率计算、材料选型、加热器结构设计、电学参数分配,以及温控系统设计方面进行研究。