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1.
2.
可靠性问题是GaN基HEMT器件走向实用化的关键,逆压电效应导致器件退化是近年来比较引人瞩目的理论之一。对于GaN基HEMT器件,当其承受外加电场时,由于逆压电效应,电场最终转化成弹性势能。当电场足够大,突破势垒层材料所能承受的临界弹性势能,势垒层材料就会发生松弛。根据逆压电效应导致器件退化机理,从弹性势能的角度出发,对低Al组分AlGaN势垒层、InAlN势垒层和AlGaN背势垒等三种结构进行理论分析。分析表明,三种结构均能较大程度地改善GaN基HEMT器件的抗逆压电能力,从而提高器件可靠性。 相似文献
3.
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8.
各向异性压电陶瓷材料 总被引:5,自引:1,他引:5
本工作制备了添有少量Pb(Zn_(1/3) Nb_(2/3))O_3,Bi(Zn_(1/2) Ti_(1/2))O_3和MnO_2的高电阻率,高密度的改性(PbCa)TiO_3压电陶瓷。这种陶瓷在150℃和施加40—50kV/cm电场条件下极化之后显示出大的各向异性压电特性。它具有高的厚度扩张模式机电藕合系数Kt,高的机械品质因素Qm低的介电常数,而平面耦合系数Kp值极小。于是,这种新的压电材料适于制作高频陶瓷滤波器超声换能器,金属探伤检测器,以及声表面波器件等。 相似文献
9.
偏氰乙烯与醋酸乙烯的交替共聚物是一种能显示出压电特性的无定形聚合物。共聚物试样在Tg((?)170—180℃)温度和电场(20—60MV/m)作用下,沿电场方向排列的偶极子可通过降低温度而被冻结起来,获得很强的压电性。其压电应力常数e_(33)和机电耦合系数K_(33)分别为70mC/m~2和0.25。 · 相似文献
10.
为研究压电效应对多层陶瓷电容器放电性能的影响,搭建了放电周期可调的电路平台和基于光学多普勒效应的高精度振动测量平台。研究了陶瓷介质压电特性,电容在不同放电周期、不同加载电压下的振动状态和放电特性,以及失效放电周期和厚度的关系。结果表明,陶瓷介质具有压电效应,放电时,介质按交流电场频率规律振动,当振动频率与电容固有谐振频率一致时,激发机械共振,且振动幅度随电压增大而增大,当振动产生的应变超过介质承受极限时,介质开裂,导致击穿失效。失效放电周期随电容厚度增大而增大,呈线性关系。 相似文献