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1.
文中严格地讨论了任意截面形状,任意模式的柱形谐振腔Q值与构成该谐振器的传输线衰减常数间的关系,给出了更一般的公式,推广了Davidson和Sim-monds^[1]、Barlow和Cullen^[2]以及Yeh和Shimabukuro^[3,4]的结果。  相似文献   
2.
张子三 《电子技术》1997,24(9):33-34
开关电容滤波器是采样数据系统,易于产生时钟贯穿噪声和混叠误差。状态变量滤波器就能很好的解决这些问题,但UAF42是通用集成状态变量滤波器,为了方便模拟滤波器和数字系统接口,文章提供了一种用UAF42实现数字可编程滤波器的方法。  相似文献   
3.
课堂风格:深入浅出。1 CPU外围电路概述CPU概述小孙在学校里学习过单片机的知识,对CPU有一定的了解。他特别喜欢用交谈的方式向张老师学习。所以,一到张老师家,他就拿出了已经画好的图,开始讲述起来。他说:"CPU也叫中央处理器,是计算机的核心部件。  相似文献   
4.
塔康系统输出参数的精确测量方法研究   总被引:2,自引:1,他引:2  
针对塔康系统输出参数的传统测量方法测量误差大、抗干扰能力弱的问题,根据塔康信号的特征分别提出了基于正弦曲线拟合测角和基于相关接收测距的塔康系统输出参数精确测量方法,计算了传统方法与精确测量方法的测量误差,定义了被测信号的品质因数,通过它可确定测量值的可信度。通过仿真,比较了不同信噪比情况下传统测量方法和精确测量方法的性能,研究了当被测信号发生畸变时,品质因数的变化情况。仿真结果表明精确测量方法明显提高了塔康系统的测量精度和抗干扰能力,品质因数较好地反映了信号的畸变情况。  相似文献   
5.
为了进一步提高SiC JBS的反向击穿特性和BFOM值,对POP型SiC JBS结构进行了重要改进。虽然它们都是采用外延的方法在一个较窄的轻掺杂P阱上面再制作一个较宽的重掺杂P区,但是改进的结构在二者的界面附近存在一段等宽区,即P阱的上半部分与重掺杂P区同宽,从而大幅度降低重掺杂P区的边缘电场集中效应以提高击穿电压。通过理论分析与MEDICI软件仿真,深入探讨了这种结构变化对器件性能的影响。结果表明,在不增加额外工艺的情况下,改进的结构可大幅度提高BFOM和击穿电压。  相似文献   
6.
Shielding Effectiveness Estimation of Physically Small Electrically Large Enclosures through Dimensional Scaling摘要:通过对电气可扩展性的研究,提出了带有三种电尺寸孔缝的屏蔽体实例,并讨论了这三种孔缝的关系。利用Q值对三种受试屏蔽壳体之间的关系进行了检验。关键词:混响室;屏蔽效能测试;品质因数;  相似文献   
7.
《今日电子》2014,(3):64-65
FDMC86XXXP系列P沟道PowerTrenchMOSFET在尺寸减小的同时可实现卓越的开关速度和功耗性能。该系列包括FDMC86261I’150V和FDMC86139P100VP沟道MOSFET。与同类器件相比,这类P沟道MOSFET具有更好的开关性能品质因数(FOM)。此外,其导通损耗减小_,46%,开关损耗减小了38%。因此,设计人员能够缩小尺寸并提高系统整体性能。  相似文献   
8.
基于理论计算和Ansoft HFSS软件仿真,设计并优化了氢频标小型蓝宝石微波腔的尺寸.通过计算机编程,分析了TE011模式下谐振频率、Q值随腔尺寸及填充介质(蓝宝石)厚度变化关系并画出曲线,得到了设计优化微波谐振腔的理论依据,这对于氢频标小型化工作具有指导意义.基于理论分析进行仿真优化,得到Q值较高、尺寸更小的微波腔.  相似文献   
9.
采用传统固相法制备了不同摩尔配比的(1-x)MgSn0.05Ti0.95O3-xSrTiO3微波介质复相陶瓷材料,研究了复相陶瓷的烧结特性、显微结构和微波介电性能.结果表明:MgSn0.05Ti0.95O3和SrTiO3两相共存,无固溶现象.随着SrTiO3含量的增多,(1-x) MgSn0.05Ti0.95O3-xSrTiO3的相对介电常数(εr)线性增大,品质因数(Q×f)下降,谐振频率温度系数(τf)从负值变为正值.通过调节x值,可以获得近零的τf值.陶瓷的τf变化符合Lichtenecker混合法则.0.98MgSn0.05Ti0.95O3-0.02SrTiO3复相陶瓷在1330℃烧结4h,获得最佳的微波介电性能:εr=19.32,Q×f=193.527 THz,τf=-2×10-6/℃.  相似文献   
10.
摘要:简单介绍了一种利用|Γ(f)|曲线及半功率带宽方法获取谐振腔参量的方法,并介绍了半功率带宽的意义及确定方法。  相似文献   
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