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1.
应用增广电路研究了由一个连续型运放以及任意数目的电阻和独立源构成的电路的若干特性,着重讨论并得出该类电路最多只可能存在三个直流平衡点的结论。  相似文献   
2.
安森美半导体目前推出μESD(微型ESD)双串联高性能微型封装静电放电(ESD)保护二极管。μESD双串联系列产品为电压敏感元件提供双线保护而设计,适用于需要小板面积和低高度的应用,如手机、MP3播放器和便携式游戏系统。  相似文献   
3.
<正> 1.前言遵义铁合金厂是我国唯一具有采矿、选矿、球团、冶炼等工艺体系的完整的中型铁合金联合企业,是拥有职工上万名的大厂。该厂现有长城0520-CH及IBMPC/XT微机12台,已在计划统计、财务、劳动人事等方面开发了一些单机运行的事务处理程序,但还未形成以计算机为主体的全厂规模的生产经营管理信息系统,仍是一个以人工管理和经验管理为主的企业。为此提出了研制“遵义铁合金厂微机局部网络及管埋信息系统”的课题任务。2、系统设计与实现概况2.1系统环境的设计实现管理信息系统(MIS)的基础是:网络或多用户分时系统;数据库管理系统。其中硬件环境的选择对整个MIS的成本与性能起决定性的作用、鉴于如下原因我们选用了微机局部网络作为该厂MIS的环境与基础。  相似文献   
4.
5.
提出一种新型多晶硅TFT结构,它在沟道中设置了高阻的非晶硅区,从而有效地减小了漏电流。这种新器件的有源层被局部晶化,而沟道区中与源极相邻的两个边界层未被晶化,保持非晶硅态。  相似文献   
6.
7.
在AutoCAD中自动绘制任意位置、任意比例的局部放大图的基本原理和实现方法,提供了程序框图和操作实例  相似文献   
8.
9.
苏东 《电焊机》1996,(3):26-27
多枪电容放电螺柱焊机设计四川省焊接技术服务中心(610051)苏东Designformultiguncapacitor-dischargestadwelder¥(Sichuanweldingtechniqueservicecenter)SuDong1...  相似文献   
10.
本文讨论了用辉光放电法制备氮化硅薄膜时衬底温度、射频功率和气体流量比对薄膜的电导率、介电常数和击穿强度的影响。通过优化生长条件,制备了优质非晶氮化硅薄膜,其介电常数为7.5、击穿强度为5.5MV/cm、电导率为10-13(Ωcm)-1。  相似文献   
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