嵌入式系统开发方法的分析

论述了嵌入式系统设计的方法,着重于软硬功能的划分;分析了经典设计方法的缺陷,给出了克服缺陷的方案,其主要优点是软硬件并行设计,快速建立原型,可避免设计风险。指出基于模拟系统的嵌入式系统设计方法适合于更广泛的工程领域,专业领域的嵌入式系统设计应当依据不同开发方法的特点选取适合自己的一种。     

中国微纳制造研究进展

介绍了中国微纳制造领域的总体概况。从微构件力学性能、微纳摩擦磨损及粘附行为研究、典型微流体器件输运特性研究、拓扑优化技术在微纳结构设计中的应用研究、微传热学的研究和微测试方法和装置的研究具体介绍了微纳制造基础理论方面取得的进展。从设计方法、硅基微机电系统(Micro electro mechanical system,MEMS)制造工艺、非硅MEMS制造工艺等方面介绍了微系统设计与加工工艺研究进展。从物理量微传感器、微执行器件与系统、微纳生化传感与分析和微能源等方面介绍了微纳器件与微纳系统的研究进展,最后对中国微纳制造发展进行了总结和展望。     

微/微小型热管研究的现状与展望

微/微小型热管在航天器热控系统、微电子元器件散热等领域中有着广泛的应用。作者从微热管和微小型轴向槽道热管两方面综述了当前国内外关于微/微小型热管研究的现状.总结了当前该领域研究已取得的研究成果并展望了该领域的未来研究方向,希望能引起国内同行的关注。     

业界新闻

WWiSE向IEEE 802.11n任务组提出联盟提案“WWiSE”(制造商协作联盟)宣布向IEEE 802.11n 任务组(TGn)提交一份完整的联盟提案,该任务组主要负责制定能够将数据吞吐量保持在100Mbps以上的新一代Wi-Fi标准。该技术的支持基础为MIMO-OFDM。提出该提案的成员包括AirgoNetworks、Bermai、Broadcom、ConexantSystems、ST及德州仪器(TI)。世平集团演示数字家庭领域先进方案为迎接数字家庭时代来临,世平集团与英特尔邀请多家先进计算机制造商,演示了数字家庭软硬件解决方案。世平集团认为,中国拥有巨大潜力的数字家庭市场,未来10年中…     

The bond graph model of planar flexible multibody mechanical systems and its dynamic principle

Toincreasethereliabilityandefficiencyofthedy namicanalysisofflexiblemultibodysystems,differentprocedureshavebeenproposedinpreviousworks[1,2].Buttheseproceduresareonlysuitableforasingleener gydomain,suchasastrictmechanicalone,andcan notdealwiththeproblemsofcomputeraideddynamicanalysisofplanarflexiblemultibodymechanicalsys temscontainingthecouplingofmulti energydomains.Bondgraphs[3]havepotentialapplicationsinanalyzingsuchcomplexsystemsbecauseoftheirabilitytode scribethedynamicsofinteractingsyste…     

电子元器件用低介电常数聚酰亚胺研究进展

本文主要分析近年来国内外低介电常数聚酰亚胺树脂及薄膜的专利概况,介绍近年来学术研究中出现的聚酰亚胺低介电常数改性方法及在电子元器件的应用研究进展,并展望低介电常数聚酰亚胺未来的发展趋势。     

集中挤奶站的装备系统

1.挤奶系统 通过特定的机械设备产生一系列机械运动,使牛奶从乳房内被吸出来的机械系统称为挤奶机.无论是移动式挤奶机、提桶式挤奶机、管道式以及厅式挤奶机,其核心部件都是挤奶器.     

基于柯氏熵的汽车发动机状态预测的可行性研究

由于非线性系统存在长期不可预测性，基于此，建立了基于时间序列的柯尔莫哥洛夫熵求解方法，并利用柯尔莫哥洛夫熵求取了复杂机械系统状态的最大可预测的点数。这一研究为确立复杂设备状态预测的可信区间提供了理论支持，所获得的方法为复杂机械系统状态预测的可预测时间的界定提供了行之有效的技术方法。     

一种基于Au-TiW触点的提高RF MEMS开关寿命的方法

针对基于Au-Au触点的射频微电子机械系统(RF MEMS)开关寿命低的问题,提出了一种高寿命RF MEMS开关的研制方法。对比Au与其他金属的硬度、杨氏模量以及方阻,最终选择性能优良的TiW金属作为新触点材料,其制备参数为溅射功率300 W,气压5 mTorr(1 mTorr=0.133 Pa),溅射时间1 568 s。设计了基于Au-TiW触点的RF MEMS开关工艺流程,给出了详细工艺参数,为进一步提高可靠性,设计了RF MEMS开关封装工艺流程并制作了封装样品。测试比较了基于Au-Au触点的RF MEMS开关与基于Au-TiW触点的RF MEMS开关的寿命与射频性能。结果表明,虽然基于Au-TiW触点的RF MEMS开关的射频性能有所降低,但开关寿命提高了两个数量级。该研究为提高RF MEMS开关的寿命提供了一种解决办法。     

沁恒微电子潜心打造内嵌专业接口的RISC-V架构MCU

近日,苹果推出了M1处理器,相比关注具体指标,业内其实更关心M1推出后会引领产业往哪个方向发展,不少人的结论是RISC-V会成为未来芯片发展的热点,因为RISC-V有很多巧妙的方法可以提高性能.计算机界泰斗David Patterson大力支持RISC-V技术,国内单片机界泰斗何立民教授也曾表示RISC-V在人工智能领...