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1.
2.
GaN材料在光电子器件领域的广泛应用前景使得金属与其欧姆接触的研究成为必然。本对Si基n型GaN上的A1单层及Ti/Al双层电极进行了研究。通过对不同退火条件下的I—U特性曲线,X射线衍射以及二次离子质谱分析,揭示了界面固相反应对欧姆接触的影响,提出了改善这两种电极欧姆接触的二次退火方法。 相似文献
3.
4.
介绍了A_KEY码的产生背景,阐述了A_KEY码实现的过程,说明了A_KEY码在CDMA网络中所起到作用。 相似文献
5.
本文通过对带有门限变换函数基因算法的研究,进一步研究了不同的门限值和门限宽度的选择方法。通过对算法思想的应用和计算机模拟,分析这些方法对算法性能的影响。并指出在我们的应用中GH的顺序选取法优于其它的方法。通过应用门限变换思想可以明显使算法集中于有希望找到解的区域进行搜索,提高了算法的性能。 相似文献
6.
本文介绍在y改变一个△Y期间,计数采样次数Ni,建立△ui-Ni控制曲线,在y变化较慢时能控制y的变化速度,具有微分反馈作用,参考轨迹,克服了原△ei和△^2ei在数值上的障碍。 相似文献
7.
本文提出新型布线算法,集李氏迷宫法与线搜索法的长处为一体,以饱和带法进行动态排序,以线搜索法确定借孔位置,然后用李氏法进行单层布线,获得最佳路径,从而达到线型好,布通率高的效果。 相似文献
8.
改进节点法可以处理任何实际元件组成的网络,因而在网络分析中被广泛应用.它的系数矩阵具有高度稀疏的特点,本文利用该特点,推导了计算机求网络状态方程的算法. 相似文献
9.
张明璋 《自动化与信息工程》1994,(4)
本文提出了利用矢量中断技术,在复杂控制系统中实现一个接口多种算法功能的方法,并将该方法用到感应电动控制系统的设计中。 相似文献
10.
消除应力退火热处理 (以下简称消应退火 )在热处理种类中是比较容易操作和达到目的的。消应退火基本的要求就是被热处理工件各处温度均匀达到工艺要求温度。容器整体消应退火的各种方法都应以使被热处理容器各处温差尽量达到最小值为基本条件 ,而且不超过工艺规定的最大温差值。容器整体消应退火主要有电热片电加热法、燃油燃烧加热法等方法。以下将结合容器整体消应退火实例逐一对两种方法的操作过程及注意事项、优缺点进行探讨。1 电热片电加热法对于助剂厂的尾气急冷塔及尾气吸收塔 ,采用了电热片加热法进行消应退火。将电热片放入容器内… 相似文献